本发明专利技术实施例提供的一种氮化镓器件，包括：衬底层；位于所述衬底层之上的氮基半导体层；在所述氮基半导体层上形成的源电极、漏电极以及位于所述源电极和所述漏电极之间的栅结构，所述栅结构包括：钝化层；位于所述钝化层之上的浮栅，所述浮栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上并与所述氮基半导体层接触形成p‑n结二极管；位于所述浮栅之上的控制栅，所述控制栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上，所述控制栅通过栅介质层与所述浮栅和所述氮基半导体层隔离。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氮化镓器件，特别是涉及一种氮化镓器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着5g时代到来，通信领域对高频、高功率射频器件的需求越来越强烈，氮化镓(gan)器件由于可以实现超快开关频率，在未来通信领域被寄予了厚望。氮化镓高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)通常是耗尽型器件，即当阈值电压vth<0v、栅电极电压vg＝0v时，器件处于导通状态。如果做增强型gan hemt需用p-gan作为栅极，或者通过f注入来调整vth，或者通过刻蚀极化层来调整vth。采用p-gan作为栅极时，栅极会形成pn结，造成栅极漏电大，而且栅极容易击穿；通过f注入调整vth时，vth难以精确控制，并且vth在高温下会发生变化；通过刻蚀极化层调整vth时，极化层的刻蚀精度难以控制，而且容易造成缺陷并导致迁移率降低等问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种氮化镓器件及其制造方法，以实现氮化镓器件的vth的动态调整。
>2、本专利技术实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.氮化镓器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述衬底层的材料为硅。
3.如权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氮基半导体层包括：位于所述衬底层之上的缓冲层；位于所述缓冲层之上的沟道层；位于所述沟道层之上的势垒层；位于所述势垒层之上的帽层。
4.如权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化镓、氮化铝、氮化铝镓或其组合。
5.如权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，所述沟道层的材料为氮化镓。
6.如权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，所述势垒层的材料为氮化铝镓。...
【技术特征摘要】
1.氮化镓器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述衬底层的材料为硅。
3.如权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氮基半导体层包括：位于所述衬底层之上的缓冲层；位于所述缓冲层之上的沟道层；位于所述沟道层之上的势垒层；位于所述势垒层之上的帽层。
4.如权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化镓、氮化铝、氮化铝镓或其组合。
5.如权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，所述沟道层的材料为氮化镓。
6.如权利要求3所述的氮化镓器件，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，林敏之，刘磊，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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