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本发明实施例提供的一种氮化镓器件，包括：衬底层；位于所述衬底层之上的氮基半导体层；在所述氮基半导体层上形成的源电极、漏电极以及位于所述源电极和所述漏电极之间的栅结构，所述栅结构包括：钝化层；位于所述钝化层之上的浮栅，所述浮栅向所述源电极的一...
该专利属于苏州东微半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体股份有限公司授权不得商用。

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