一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法技术

本发明专利技术公开一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法，包括以下步骤：S1、将石墨进气管插入液态金属中，然后通过石墨进气管向液态金属中通入含碳源气体/氮气的混合气体，在液态金属中生长石墨烯粉体，石墨烯粉体连续生长预定时间后，断开含碳源气体，氮气流量保持不变，暂停石墨烯粉体生长；S2、调整熔融液态金属的温度；S3、将石墨进气管的出气口移出液态金属的液面，然后向石墨进气管内通入氧气/氮气混合气体；S4、氧气/氮气混合气体通入设定时间后，断开氧气，氮气保持不变，降温。本发明专利技术方法不仅能高效去除进气管内壁积碳，而且操作简单，从暂停石墨烯粉体生长到再次生长间隔时间短，石墨烯粉体生长效率高。石墨烯粉体生长效率高。石墨烯粉体生长效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法


[0001]本专利技术属于石墨烯的
，具体涉及一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法。

技术介绍

[0002]石墨烯是一种由碳原子以SP2杂化组成的二维蜂窝状晶体材料。由于其具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳米加工、能源、生物医学等领域具有重要的应用前景，因此受到诸多研究工作者的广泛关注。
[0003]目前石墨烯粉体的制备方法有机械剥离法、氧化还原法和CVD(化学气相沉积)法；机械剥离法虽然能制备得到缺陷少的石墨烯粉体，但是石墨烯层数厚，制备成本高；氧化还原法虽然能以较低成本制备石墨烯粉体，但是因为使用大量的强酸、强氧化剂，不仅对石墨烯的结构造成严重破坏，而且在制备过程中产生的大量废水也会对环境造成严重污染。CVD(化学气相沉积)法是目前公认的制备高质量石墨烯薄膜以及石墨烯粉体最有效的方法。
[0004]CVD法制备石墨烯粉体一般是将含碳源气体通入熔融的液态金属中，在液态金属内部产生大量气泡，石墨烯就在气泡表面生长，当气泡到达液面后，气泡破裂，石墨烯粉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将石墨进气管插入液态金属中，然后通过石墨进气管向液态金属中通入含碳源气体/氮气的混合气体，在所述液态金属中生长石墨烯粉体，所述石墨烯粉体连续生长预定时间后，断开含碳源气体，氮气流量保持不变，暂停石墨烯粉体生长；S2、调整熔融液态金属的温度；S3、将石墨进气管的出气口移出液态金属的液面，然后向石墨进气管内通入氧气/氮气混合气体；S4、所述氧气/氮气混合气体通入设定时间后，断开氧气，氮气流量保持不变，降温。2.根据权利要求1所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S1中，将石墨进气管通过升降装置插入液态铜中，然后通过石墨进气管向液态铜中通入甲烷/氮气的混合气体，在所述液态铜中生长石墨烯粉体，所述石墨烯粉体连续生长8
‑
12h后，断开甲烷，氮气流量保持不变，暂停石墨烯粉体生长。3.根据权利要求2所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过调节加热功率，使液态铜温度处于1100℃～1600℃。4.根据权利要求3所述的进气管内壁积碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：王增奎，金虎，邓科文，常博文，
申请(专利权)人：常州二维碳素科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：