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本发明公开一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法,包括以下步骤:S1、将石墨进气管插入液态金属中,然后通过石墨进气管向液态金属中通入含碳源气体/氮气的混合气体,在液态金属中生长石墨烯粉体,石墨烯粉体连续生长预定时间后,断开含碳源气...该专利属于常州二维碳素科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州二维碳素科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法,包括以下步骤:S1、将石墨进气管插入液态金属中,然后通过石墨进气管向液态金属中通入含碳源气体/氮气的混合气体,在液态金属中生长石墨烯粉体,石墨烯粉体连续生长预定时间后,断开含碳源气...