一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法技术方案

本发明专利技术提供一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法，离子注入系统包括离子束产生模块、真空注入模块、装载模块和大气传送模块，离子束产生模块、真空注入模块、装载模块以及大气传送模块依次相连，即离子束产生模块连接到真空注入模块，真空注入模块与装载模块相连接，装载模块与大气传送模块相连接。本发明专利技术开创性地将多个离子源装置进行组合，通过拓展线圈和准直线圈得到了所需有效高度的离子束，且离子束的束流宽度较小、离子密度较高，实现了对大尺寸玻璃基板进行离子注入的技术。了对大尺寸玻璃基板进行离子注入的技术。

【技术实现步骤摘要】
一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法。

技术介绍

[0002]在电子工业中，离子注入现已成为半导体工艺及微电子工艺中的一种重要的掺杂技术。离子注入是指，将离子束射向固体材料(靶片)，并最终停留在该固体材料中。
[0003]例如对于液晶显示屏中采用的TFT(薄膜晶体管)阵列基板，目前的发展趋势之一为采用金属氧化物TFT(Metal Oxide TFT)例如IGZO(铟镓锌氧化物)薄膜制成。但纯IGZO薄膜的薄层电阻(Sheet Resistance)较高，其属于半导体的范围；进行离子注入(例如硼离子)后，薄层电阻可大幅降低至导体的范围，从而获得较高的电子迁移率。但所需的离子注入剂量大，例如为10
15
/cm2，并且采用金属氧化物技术的TFT阵列基板(表面附有金属氧化物TFT薄膜的玻璃基板，为便于描述，本专利技术中将其简称为玻璃基板)通常较大，例如G8.5代玻璃基板为宽2200mm、长2500mm的长方形，而目前已有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大面积靶片用离子注入系统，其特征在于，其包括离子束产生模块、真空注入模块、装载模块和大气传送模块，离子束产生模块、真空注入模块、装载模块以及大气传送模块依次相连，即离子束产生模块连接到真空注入模块，真空注入模块与装载模块相连接，装载模块与大气传送模块相连接；离子束产生模块用于产生一定规格的离子束，所述一定规格的离子束具备真空离子注入所需离子种类、离子浓度以及离子束高度；真空注入模块用于完成对玻璃基板进行离子注入；装载模块用于上载或下载玻璃基板以辅助完成玻璃基板在真空注入模块中完成离子注入；大气传送模块用于在常压环境中传送玻璃基板，通过大气机械手臂将玻璃基板自玻璃基板盒取出或放回；真空注入模块包括法拉第分析器，其作用是实时显示出离子束的束流密度及形状，从而根据侦测的数据进行注入剂量控制。2.根据权利要求1所述的大面积靶片用离子注入系统，其特征在于，离子束产生模块用于产生具备所需离子种类、离子浓度以及离子束高度的离子束；离子束产生模块包括包括离子源组合装置、引出电极组合、分析磁场单元、拓展线圈组合和准直线圈组，其中离子源组合装置包括多个离子源装置，引出电极组合包括多个引出电极，拓展线圈组合包括多个拓展线圈；离子源装置用于产生等离子体；引出电极用于提供引出电场，引出等离子体束；分析磁场单元用于筛除等离子体束中的杂质，获得比较纯净的所需离子的离子束；拓展线圈用于对离子束进行拓展拉伸，增加离子束的高度；准直线圈组用于对离子束进行准直或平行拉伸，使离子束中离子的行进方向均相互平行。3.根据权利要求2所述的大面积靶片用离子注入系统，其特征在于，起弧室中设置有多个并排设置的离子源装置，离子源装置产生等离子体。4.根据权利要求3所述的大面积靶片用离子注入系统，其特征在于，产生的等离子体从离子源装置的引出缝中被引出，形成纵截面为条形的等离子体束。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维，李加，宋开轮，蔡春强，邝斌，杨一，赵露，
申请(专利权)人：浙江兴芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：