离子注入装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种离子注入装置及其控制方法。所述离子注入装置包括载物部、转动控制部、N个转动部和温控管路，N为大于1的正整数。所述N个转动部顺次活动连接并通信连接所述转动控制部，所述转动控制部控制至少一个所述转动部转动以带动所述载物部进行转动，有利于实现所述载物部的大角度转动；所述温控管路呈螺旋状朝向所述载物部延伸且设置于每个所述转动部，并设置于所述载物部的底部，避免了所述温控管路单次转动过大的角度，有利于降低冷却管开裂以及引起漏液的风险。管开裂以及引起漏液的风险。管开裂以及引起漏液的风险。

【技术实现步骤摘要】
离子注入装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及离子注入装置及其控制方法。

技术介绍

[0002]随着CMOS工艺按摩尔定律而高速发展，CMOS器件对超浅结的要求越来越高，低温注入技术随之而发展起来。传统低温离子注入机通过注入液氮或液氦的冷却管道进入承载硅片的载物台底部，对硅片进行降温，并进行低温离子注入工艺。由于温度较低，同时根据工艺需求硅片载物台会进行转动并带动冷却管扭动，容易导致冷却管裂开并引起漏液等问题。
[0003]因此，有必要开发一种新型的离子注入装置及其控制方法以解决现有技术存在的上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种离子注入装置及其控制方法，以实现载物部大角度转动并降低冷却管开裂以及引起漏液的风险。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的所述离子注入装置包括：
[0006]载物部；
[0007]N个转动部，顺次活动连接，第N个所述转动部活动连接所述载物部，N为大于1的正整数；
[0008]转动控制部，通信连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入装置，其特征在于，包括：载物部；N个转动部，顺次活动连接，第N个所述转动部活动连接所述载物部，N为大于1的正整数；转动控制部，通信连接所述N个转动部，所述转动控制部控制至少一个所述转动部转动，以带动所述载物部转动；温控管路，呈螺旋状朝向所述载物部延伸，并设置于每个所述转动部以及所述载物部。2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述温控管路还自所述载物部起呈螺旋状远离所述载物部延伸且设置于每个所述转动部。3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，所述温控管路呈双螺旋状。4.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述温控管路的数目至少为2。5.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述温控管路固定设置于每个所述转动部。6.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，还包括本体部以及设置于所述本体部的开口空腔，所述N个转动部设置于所述开口空腔，所述载物部设置于所述本体部一侧表面并与第N个所述转动部活动连接，所述温控管路自所述开口空腔的开口端引入。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：