一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法技术

本发明专利技术公开了一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法，根据曝光光强分布与光刻胶不同成分的吸收系数、光敏系数等参数的关系，建立光刻胶的光敏混合物(PAC)浓度分布对曝光光强的响应模型；根据光刻胶完全曝光的显影速率、光刻胶未曝光的显影速率、光敏物质相对浓度的阈值、显影选择常数等参数建立光刻胶显影模型；通过分层计算光刻胶各点PAC浓度分布和显影速率分布，再结合采用微小单元格去除法，建立起从曝光量到实际显影图形轮廓的仿真流程；根据掩模移动曝光原理建立二元掩模开口函数与曝光量的关系；再通过迭代优化算法，优化设计得到曲面浮雕轮廓器件制作所需的掩模版图案。掩模版图案。掩模版图案。

【技术实现步骤摘要】
一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法


[0001]本专利技术涉及在集成电路、平板显示、微机电系统、微光学等领域的曲面浮雕轮廓器件制造
，尤其涉及一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法。

技术介绍

[0002]掩模版是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩模图形结构，再通过分步重复或步进扫描曝光等方式将图形信息转移到产品基片上。掩模版是芯片制造过程中的图形“底片”，用于转移高精密电路设计，承载了图形设计和工艺技术等知识产权信息。掩模版用于芯片的批量生产，是下游生产流程衔接的关键部分，是芯片精度和质量的决定因素之一。
[0003]待加工的掩模版由玻璃/石英基片、铬层和光刻胶层构成。其图形结构可通过制版工艺加工获得，常用加工设备为直写式光刻设备，如激光直写光刻机、电子束光刻机等。掩模版应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩模版，如IC(Integrated Circuit，集成电路)、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)、MEMS(Micro 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法，其特征在于：包含以下步骤：步骤(1)、根据曝光光强分布与光敏材料的吸收系数、不参与光化学反应的光刻胶吸收系数、光刻胶的光敏系数的关系，建立光刻胶的光敏混合物(PAC)浓度分布对曝光光强的响应模型；步骤(2)、根据曝光模型、初始条件和边界条件，分层计算曝光过程中光刻胶内部各点的光敏混合物(PAC)的光化学反应后的光敏混合物(PAC)浓度分布；步骤(3)、根据光刻胶完全曝光的显影速率、光刻胶未曝光的显影速率、光敏物质相对浓度的阈值、显影选择常数参数建立光刻胶显影模型，并建立光敏混合物(PAC)浓度分布与显影速率的关系；步骤(4)、采用微小单元格去除法进行计算机模拟，将显影速率转化为光...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志祥，徐富超，贾辛，谢强，
申请(专利权)人：成都同力精密光电仪器制造有限公司，
类型：发明
国别省市：