一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台制造技术

本发明专利技术公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压，负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明专利技术可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试，从而在人机交互界面实时显示出辐照时，器件在关断状态下，可获得器件的SEB阈值电压，从而为其辐射环境应用的选型及防护加固提供技术支持。技术支持。技术支持。

【技术实现步骤摘要】
一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件测试
，具体涉及一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台。

技术介绍

[0002]功率金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是通常使用的一类功率器件。它是由金属、氧化物及半导体三种材料制成的器件。功率MOSFET器件因其输入阻抗高、温度稳定性好、安全工作区大等优点，特别是在高频高压领域的明显优势，广泛应用于固态变压器、轨道交通、智能电网、高压传输、航天、核工业等领域。但是在核工业和空间应用中，功率MOSFET器件有可能会遭受到高能粒子的辐射，从而引起器件损毁、阈值偏移和性能退化等不可逆损伤，这将会严重影响器件的工作安全。单粒子效应(SEE)中的单粒子烧毁(SEB)对器件的危害尤其严重，当器件发生SEB烧毁是一种不可逆损伤，这将直接导致器件无法正常工作。因此，对功率MOSFET器件展开在地面模拟单粒子测试尤为重要，这将为在真实辐射环境应用中的器件选型和技术加固与屏蔽提供重要依据。
[0003]现有功率MOSFET器件地面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，其特征在于，包括测试板、上位机和外加电源；所述上位机与所述测试板以及外加电源连接；所述测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管；其中，所述电源转换模块用于为所述大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块供电，所述DSP模块根据从所述上位机接收到的信号控制所述大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块，所述大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块用于分别对应控制所述大功率碳化硅MOSFET开关管的导通与关闭，所述测试板上设有多个待测器件，所述大功率碳化硅MOSFET开关管用于对应控制各待测器件的导通与关闭；所述外加电源包括一个高压直流电源和一个负低压电源；其中，所述高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压V
ds
，所述负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压V
gs
。2.根据权利要求1所述的功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，其特征在于，所述高压直流电源的输出正极分别连接所述测试板上各待测器件的漏极引出的接插件，所述负低压电源的输出正极分别连接所述测试板上各待测器件的栅极引出的接插件，所述高压直流电源和负低压电源的输出负极均连接所述测试板的地，所述大功率碳化硅MOSFET开关管的漏极与所述测试板上对应待测器件的源极相连，所述大功率碳化硅MOSFET开关管的漏极接所述测试板的地。3.根据权利要求1所述的功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，其特征在于，所述上位机通过信号采集卡连接所述外加电源。4.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：孟洋，蒋煜琪，薛玉雄，曹荣幸，李林欢，黄鑫，汪珂佳，曾祥华，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：