【技术实现步骤摘要】
IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置
[0001]本专利技术涉及IGBT器件，特别涉及IGBT器件集射极饱和压降，具体为IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置。
技术介绍
[0002]随着电力电子技术产业的发展，IGBT器件作为能源变换和传输的核心器件，其应用范围越来越广泛。功率变换器系统运行时，IGBT器件的开关损耗和导通损耗会使IGBT器件芯片的温度升高，使得IGBT器件内部材料承受热应力，加速了IGBT器件老化程度以及失效率，导致IGBT器件发生故障，所以IGBT器件健康状态以及使用寿命评估具有非常重要的意义。
[0003]一些学者探讨了IGBT器件集射极饱和压降Vce(sat)与其失效过程的关系，通过IGBT器件的加速老化试验，结果证明IGBT器件的集射极饱和压降Vce(sat)会随着失效进程逐渐增大，并将“IGBT器件集射极饱和压降值超过正常值的5%”作为评价IGBT器件是否失效的衡量标准。因此，如何对IGBT器件集射极饱和压降Vce(sat)进行在线检测，是电力电子领域亟需解决的问题。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置，其特征在于，包括放大器、依次串接于IGBT集电极C与发射极E之间的第一二极管D1、第一电阻R1、整流二极管DZ，整流二极管DZ的阳极与IGBT器件的发射极E的连接节点接GND，放大器的反相输入端与第一二极管D1的阳极、第一电阻R1的连接节点之间依次串接有第三电阻R3、第二二极管D2，第二二极管D2的阳极与第三电阻的连接节点通过第二电阻R2与电源连接，放大器的同相输入端连接于整流二极管DZ的阴极与第一电阻R1的连接节点处，放大器的输出端通过第四电阻R4连接于第三电阻R3与放大器的反相输入端的连接节点处，整流二极管DZ的击穿电压大于电源电压，第三电阻R3与第四电阻R4的电阻值相等，第一二极管D1与第二二极管D2均正向导通且导通压降相等。2.根据权利要求1所述的IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置，其特征在于，电源电压为15V。3.根据权利要求2所述的IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置，其特征在于，整流二极管DZ的击穿电压VDZ为22V。4.根据权利要求3所述的IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置，其特征在于，第三电阻R3与第四电阻R4的电阻值均为10 KΩ。5.IGBT器件的集射极饱和压降的在线检测装置，其特征在于，包括放大器、依次串接于IGBT集电极C与发射极E之间的第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第一电阻R1、整流二极管DZ，整流二极管DZ的阳极与IGBT器件的发射极E的连接节点接GND，放大器的反相输入端与第六二极管D6的阳极、第一电阻R1的连接节点之间依次串接有第三电阻R3、第十二极管D10、第九二极管D9、第八二极管D8、第七二极管D7，第十二极管D10的阳极与第三电阻的连接节点通过第二电阻R2与电源连接，放...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志敏，郭佳，俞晓丽，余华，杨伟民，王欢欢，
申请(专利权)人：中车永济电机有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。