含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机发光材料领域，具体涉及一种含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置。所述含氮化合物的结构如式1所示，所述含氮化合物用于有机电致发光器件中，可提高器件的性能。能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置


[0001]本申请属于有机发光材料
，具体提供一种含氮化合物以及包含其的有机电致发光器件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。近年来，有机电致发光器件(OLED)作为新一代显示技术逐渐进入人们的视野。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向发光层移动，阳极侧的也向发光层移动，两者在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态释放能量变为基态释放能量的过程对外发光。目前，有机电致发光器件仍存在性能差的问题，尤其是如何在保证器件具有较低驱动电压和较高发光效率的情况下，又能提高器件的使用寿命，仍是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种含氮化合物，以及包含其的有机电致发光器件和电子装置。该含氮化合物用于有机电致发光器件中，可提高器件的性能。
[0004]为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种含氮化合物，具有如式1所示的结构：
[0005][0006]式1中，X1～X3相同或不同，且各自独立地选自C(H)或N，且至少一个为N；
[0007]L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0008]Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6
‑
40的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
‑
40的取代或未取代的杂芳基；
[0009]Ar1、Ar2、L、L1和L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原
子数为6
‑
18的芳基、碳原子数为5
‑
18的杂芳基、碳原子数为3
‑
10的环烷基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3
‑
15的饱和或不饱和环。
[0010]本申请第二方面提供一种有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；其中，所述功能层包含本申请第一方面所述的含氮化合物。
[0011]本申请第三方面提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的有机电致发光器件。
[0012]本申请的含氮化合物中，以7
‑
氧杂
‑
7H
‑
苯并[DE]蒽的5号和6号位上以特定位置稠合吲哚所形成的结构为母核，该母核结构具有较强的共轭效应，结合母核上含有的O和N原子，使得原子间的键能较高，母核整体具有较好的空穴传输能力，进一步在母核中的N原子上引入三嗪类等缺电子的电子输注基团，这种组合使得化合物具有较高的T1能级，能减小空穴传输层与发光层间的界面效应所造成的电荷累积，并且三嗪类基团与该母核在空间上具有适当的旋转角度，可改善化合物的稳定性。因此，本申请的含氮化合物作为主体材料用于有机电致发光器件中，能进一步提高器件的发光效率和使用寿命。
附图说明
[0013]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0014]图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0015]附图标记说明
[0016]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；400、电子装置。
具体实施方式
[0017]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解地是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0018]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施方式的充分理解。
[0019]在本申请中，所采用的描述方式“各
……
独立地为”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“其中，各q独立地为0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q
‑
1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可
以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q
‑
2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。
[0020]在本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以但不必发生，该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如，“任选地，任意两个相邻的取代基形成环”意味着任意的两个取代基可以形成环但不是必须形成环，其包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。
[0021]在本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、烷基、卤代烷基、环烷基、三烷基硅基等。在本申请中，“取代的”官能团可以被上述Rc中的1个或2个以上所取代；当同一个原子上连接有两个取代基Rc时，这两个取代基Rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环；当官能团上存在两个相邻的取代基Rc时，相邻的两个取代基Rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。
[0022]在本申请中，“任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3
‑
15的饱和或不饱和环”中，所形成的饱和环例如可以为环戊烷环己烷所形成的不饱和环例如可以为苯环、萘环或芴环
[0023]在本申请中，取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物，其特征在于，该含氮化合物的结构如式1所示：式1中，X1～X3相同或不同，且各自独立地选自C(H)或N，且X1～X3中的至少一个为N；L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6
‑
40的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
‑
40的取代或未取代的杂芳基；Ar1、Ar2、L、L1和L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
18的芳基、碳原子数为5
‑
18的杂芳基、碳原子数为3
‑
10的环烷基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3
‑
15的饱和或不饱和环。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6
‑
25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
‑
20的取代或未取代的杂芳基；优选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为1
‑
5的氟代烷基、碳原子数为3
‑
7的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基、碳原子数为5
‑
10的环烷基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为5
‑
15的饱和或不饱和环。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；优选地，Ar1、Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环己基；任选地，Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成苯环、环戊烷、环己烷或芴环。4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志伟，王金平，薛震，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：