氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用。所述氧杂、硫杂甘菊环衍生物结构通式如式I所示：本发明专利技术提供的氧杂、硫杂甘菊环衍生物具有较高的载流子迁移率，适宜作为有机电致发光元件用材料使用，通过在本发明专利技术的有机电致发光元件用材料中含有本发明专利技术的氧杂、硫杂甘菊环衍生物，从而能够提供启动电压降低，提高发光效率和亮度的有机电致发光元件用材料。料。

【技术实现步骤摘要】
氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用。

技术介绍

[0002]近年来，有机电致发光显示技术己趋于成熟，一些产品已进入市场，但在产业化过程中，仍有许多问题亟待解决，特别是用于制作元件的各种有机材料，其载流子注入、传输性能，材料电发光性能、使用寿命、色纯度、各种材料之间及与各电极之间的匹配等，尚有许多问题还未解决。尤其是发光元件在发光效率和使用寿命还达不到实用化要求，这大大限制了OLED技术的发展。
[0003]有机电致发光主要分为荧光和磷光，但根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的概率为1：3，即来白单重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为25％，三重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为75％。如何利用75％的三线态激子的能量成为当务之急。1997年Forrest等发现磷光电致发光现象突破了有机电致发光材料量子效率25％效率的限制,引起研究人员对金属配合物磷光材料的广泛关注。从此，研究人员对磷光材料进行大量的研究。

技术实现思路

[0004]本专利技术的第一目的是提供一种氧杂、硫杂甘菊环衍生物；将该氧杂、硫杂甘菊环衍生物作为有机电致发光元件用材料的原料，由此能够提供启动电压降低、发光效率、亮度提高的有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件，以及使用了该有机电致发光元件的电子设备。
[0005]本专利技术所述氧杂、硫杂甘菊环衍生物的结构通式如式I所示：
[0006][0007]其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7在每次出现时相同或不同地选自氢、氘、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个原子的芳香族环系或杂芳族环系组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R取代；
[0008]X选自O或S；
[0009]W选自CR或N，并且两个相邻的基团W代表如式(a)所示的基团：
[0010][0011]其中，G代表C(R)2、NR、氧或硫；Z代表CR或N；^代表式(a)中相邻的基团W；
[0012]R在每次出现时相同或不同地选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R8)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R8、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～80个、优选5～60个原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个原子的芳氧基或杂芳氧基组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R8取代，或这些体系的组合中，其中一个或多个非相邻的-CH
2-基团可被R8C＝CR8、C≡C、Si(R8)2、Ge(R8)2、Sn(R8)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR8、P(＝O)(R8)、SO、SO2、NR8、O、S或CONR8代替，并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R8取代；
[0013]R8在每次出现时相同或不同地选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R9)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R9、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个原子的芳氧基或杂芳氧基组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R9取代，或这些体系的组合中，其中一个或多个非相邻的-CH
2-基团可被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R9取代；
[0014]Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5～30个原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个非芳族基团R9取代；此处键合至同一氮原子或磷原子的两个基团Ar1也可通过单键或选自N(R9)、C(R9)2、氧或硫的桥连基彼此桥连；
[0015]R9选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1～C
20
的脂族烃基、具有5～30个原子的芳族环或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子或腈基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R9可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。
[0016]作为优选，所述氧杂、硫杂甘菊环衍生物选自如下式I-1～式I-6所示化合物中的一种：
[0017][0018][0019]其中，R、R、R、R、R、R、R、R、R、Ar的含义具有上述给出的含义；
[0020]R
10
、R
11
、R
12
、R
13
、R
14
各自独立地选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1～C
20
的脂族烃基、具有5～30个原子的芳族环或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、或腈基代替，其中两个或更多个相邻的取代基可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。
[0021]在本专利技术意义上的芳族或杂芳族环系旨在被认为是指不必仅含有芳基或杂芳基的体系，而是其中多个芳基或杂芳基还可以由非芳族单元例如C、N、O或S原子连接。因此，和其中两个或更多个芳基被例如短的烷基连接的体系一样，诸如芴、9,9
’-
螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚等的体系也被认为是指在本专利技术意义上的芳族环系。
[0022]本专利技术意义上的芳基含有6～60个碳原子，在本专利技术意义上的杂芳基含有2～60个碳原子和至少一个杂原子，其条件是碳原子和杂原子的总和至少是5；所述杂原子优选选自N、O或S。此处的芳基或杂芳基被认为是指简单的芳族环，即苯、萘等，或简单的杂芳族环，如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或杂芳基，如蒽、菲、喹啉、异喹啉等。通过单键彼此连接的芳族环，例如联苯，相反地不被称为芳基或杂芳基，而是称为芳族环系。
[0023本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧杂、硫杂甘菊环衍生物，其特征在于，其结构通式如式I所示：其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7在每次出现时相同或不同地选自氢、氘、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
40
的烯基或炔基、具有5～60个原子的芳香族环系或杂芳族环系组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R取代；X选自O或S；W选自CR或N，并且两个相邻的基团W代表如式(a)所示的基团：其中，G代表C(R)2、NR、氧或硫；Z代表CR或N；^代表式(a)中相邻的基团W；R在每次出现时相同或不同地选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R8)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R8、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
40
的直链烷基、具有C1～C
40
的直链杂烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的烷基、具有C3～C
40
的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
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的烯基或炔基、具有5～80个、优选5～60个原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个原子的芳氧基或杂芳氧基组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R8取代，或这些体系的组合中，其中一个或多个非相邻的-CH
2-基团可被R8C＝CR8、C≡C、Si(R8)2、Ge(R8)2、Sn(R8)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR8、P(＝O)(R8)、SO、SO2、NR8、O、S或CONR8代替，并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R8取代；R8在每次出现时相同或不同地选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar1)2、N(R9)2、C(＝O)Ar1、C(＝O)R9、P(＝O)(Ar1)2、具有C1～C
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的直链烷基、具有C1～C
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的直链杂烷基、具有C3～C
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的支链或环状的烷基、具有C3～C
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的支链或环状的杂烷基、具有C2～C
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的烯基或炔基、具有5～60个原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个原子的芳氧基或杂芳氧基组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R9取代，或这些体系的组合中，其中一个或多个非相邻的-CH
2-基团可被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝
Se、C＝NR9、P(＝O)(R...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜卫东，朱波，冯静，程友文，谢佩，侯斌，孙建波，李程辉，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：