一种高性能声表滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及滤波器技术领域，具体涉及一种高性能声表滤波器，包括依次叠加设置的金属层、压电层、第一支撑层、第二支撑层，所述金属层上设置有谐振器，所述第一支撑层上设置有贯穿所述第一支撑层的通道，所述通道自所述金属层朝向第二支撑层的方向其内径逐渐增大，在第一支撑层上设置贯穿的通道，通道与压电层、第二支撑层配合形成向下开口的空腔，由于空腔被击中在压电薄层内，最大成都降低了体波泄漏，提升了器件质量因子，有利于最终滤波电路降低插入损耗，提高功率容量。提高功率容量。提高功率容量。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能声表滤波器


[0001]本技术属于滤波器
，具体涉及一种高性能声表滤波器。

技术介绍

[0002]随着5G通信技术的发展，对于高速的要求，正交振幅调制QAM逐渐从QAM16向QAM64、QAM256发展，射频发射信号的峰值能量也逐步上升以满足高密度信号的要求。声表面滤波器射频前端重要组成器件，通讯系统对其的插损、功率容量、带外抑制等性能指标提出了更高的要求。声表滤波器采用压电材料的特性，对通信信号进行电信号
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声表面波
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电信号的转换过程完通带内信号传输与带外信号的抑制。声表面波能量除了在平面XY方向可能产生泄漏，同时在垂直Z轴方向也会以体波形式泄漏，造成能量损失，插损上升，进而限制器件的功率容量

技术实现思路

[0003]本技术提供一种高性能声表滤波器，以解决上述问题：包括依次叠加设置的金属层、压电层、第一支撑层、第二支撑层，所述金属层上设置有谐振器，所述第一支撑层上设置有贯穿所述第一支撑层的通道，所述通道自所述金属层朝向第二支撑层的方向其内径逐渐增大，通道与压电层、第二支撑层配合形成上小下大的空腔。
[0004]优选的，所述谐振器的谐振区位于所述通道正上方。
[0005]优选的，所述谐振器的传输电极上设置有增强金属层。
[0006]优选的，所述谐振器上设置有温度补偿层。
[0007]优选的，所述第二支撑层为高阻硅材料。
[0008]优选的，所述压电层厚度为0.2
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2微米。
[0009]优选的，所述金属层上还设置有钝化层或介质层。
[0010]本技术具有以下有益效果：提供一种高性能声表滤波器，在第一支撑层上设置贯穿的通道，通道与压电层、第二支撑层配合形成向下开口的空腔，由于空腔被击中在压电薄层内，最大成都降低了体波泄漏，提升了器件质量因子，有利于最终滤波电路降低插入损耗，提高功率容量。
附图说明
[0011]图1为本技术实施例中滤波器整体结构剖面图；
[0012]图2为本技术实施例中滤波器带有温度补偿层的剖面图；
[0013]图3为本技术实施例中滤波器俯视图。
[0014]10
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金属层；20
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压电层；30
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第一支撑层；31
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通道；40
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第二支撑层；50
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谐振器；60
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温度补偿层。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。
[0016]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0017]如图1
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图3所示，一种高性能声表滤波器，包括依次叠加设置的金属层10、压电层20、第一支撑层30、第二支撑层40，金属层10上设置有谐振器50，第一支撑层30上设置有贯穿第一支撑层30的通道31，通道31自金属层10朝向第二支撑层40的方向其内径逐渐增大，通道31与压电层20、第二支撑层40配合形成上小下大的空腔。
[0018]压电层20的材料可以选择钽酸锂、铌酸锂等，第一支撑层30则可以采用淀积的方式做在压电层20下方，第一支撑层30的材料可以选择二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，具体可以以气相淀积、溅射等方式实施淀积工艺，一般来说第一支撑层30的厚度根据产品需求可以在0.2
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20微米之间；空腔上小下大的结构更加有利于声表面波能量在压电层20内的集中，最大程度上降低体波泄漏。
[0019]作为优选的方案，谐振器50的谐振区位于通道31正上方，谐振器50工作状态下，由于空腔的存在，通信信号转换过程中的声表面波能量在垂直方向上很大程度被击中在压电薄层内，降低了体波泄漏。
[0020]作为优选的方案，谐振器50的传输电极上设置有增强金属层10，增强金属层10的材料可以选用包括铝、铜、钛等单质、合金、复合层，以降低传输损耗。
[0021]作为优选的方案，谐振器50上设置有温度补偿层60，可抑制器件频率特性随温度的变化量进而扩展工作温度范围，通过淀积的方式将温补材料淀积到谐振器50之上，其材料包括氧化硅、氮氧化硅及其掺杂衍生材料，在淀积过程中传输电极上可能会附着到温补材料，此时需要去除传输电极上的温补材料。
[0022]作为优选的方案，第二支撑层40为高阻硅材料，具有较高的导热率，有利于提升器件的功率耐受。
[0023]作为优选的方案，压电层20厚度为0.2
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2微米，压电层20厚度与器件的品质因子，介电常数，谐波频率等特性有关，根据工作频率可进行优化设置。
[0024]作为优选的方案，金属层10上还设置有钝化层或介质层，钝化层与介质层对谐振器50的金属叉指起到一定保护作用，防止短路击穿的产生。
[0025]以上的实施例仅是对本技术的优选方式进行描述，并非对本技术的范围进行限定，在不脱离本技术设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本技术的技术方案做出的各种变形、变型、修改、替换，均应落入本技术权利要求书确定的保护范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能声表滤波器，其特征在于：包括依次叠加设置的金属层、压电层、第一支撑层、第二支撑层，所述金属层上设置有谐振器，所述第一支撑层上设置有贯穿所述第一支撑层的通道，所述通道自所述金属层朝向第二支撑层的方向其内径逐渐增大。2.根据权利要求1所述的一种高性能声表滤波器，其特征在于：所述谐振器的谐振区位于所述通道正上方。3.根据权利要求2所述的一种高性能声表滤波器，其特征在于：所述谐振器的传输电极上设置有增...

【专利技术属性】
技术研发人员：张元，赵孟娟，董元旦，杨涛，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：