低损耗稳压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了稳压电路技术领域的低损耗稳压电路，包括PMOS管、充电电容、稳压二极管、LDO模块和比较模块，所述PMOS管的源极电性连接有电源，所述PMOS管的漏极电性连接充电电容的正极，所述PMOS管的栅极电性连接比较模块，所述充电电容的正极和比较模块均电性连接LDO模块的输入端，所述LDO模块的输出端电性连接有负载；本实用新型专利技术的电源输入端VCC_IN通过PMOS管B1后给充电电容C95充电，再通过充电电容C95给LDO模块U92供电，使得电源输入端VCC_IN输入的电压不管多大，充电电容C95给LDO模块U92供电的电压始终保持恒定，从而降低了LDO模块U92的功耗，实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
低损耗稳压电路


[0001]本技术涉及稳压电路
，具体是低损耗稳压电路。

技术介绍

[0002]LDO是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET)，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。
[0003]传统的LDO电源输出一个固定的5V电压，输入端要接8V以上，如果输出电流在1A，那3V的压降就会在LDO上产生1A*3V＝3W的功耗，而输入的电压越高，造成的功耗就越高。
[0004]为此，本技术提供了低损耗稳压电路，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了低损耗稳压电路，解决了上述问题。
[0006]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：低损耗稳压电路，包括PMOS管、充电电容、稳压二极管、LDO模块和比较模块，所述PMOS管的源极电性连接有电源，所述PMOS管的漏极电性连接充电电容的正极，所述PMOS管的栅极电性连接比较模块，所述充电电容的正极和比较模块均电性连接LDO模块的输入端，所述LDO模块的输出端电性连接有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.低损耗稳压电路，其特征在于：包括PMOS管、充电电容、稳压二极管、LDO模块和比较模块，所述PMOS管的源极电性连接有电源，所述PMOS管的漏极电性连接充电电容的正极，所述PMOS管的栅极电性连接比较模块，所述充电电容的正极和比较模块均电性连接LDO模块的输入端，所述LDO模块的输出端电性连接有负载。2.根据权利要求1所述的低损耗稳压电路，其特征在于：所述比较模块为运算放大器组成的比较电路。3.根据权利要求2所述的低损耗稳压电路，其特征在于：电源输入端VCC_IN电性连接所述PMOS管的S引脚和所述运算放大器的正电源引脚，所述电源输入端VCC_IN还电性连接有电容C93和电阻R242，所述电容C93另一端接地，所述电阻R242另一端电性连接电源输出端VCC_5V_OUT，所述PMOS管的S引脚串联电阻R237后电性连接PMOS管的G引脚，所述PMOS管的G引脚串联电阻R238后电性连接所述运算放大器的输出引脚，所述运算放大器的输出引脚依次串联电容C94和电阻R239后电性连接运算放大器的正输入引脚，所述运算放大器的正输入引脚还电性...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢祖策，
申请(专利权)人：深圳市佳维恒信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：