一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术涉及硅片生产制造技术领域，公开一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备。该硅片湿法刻蚀用槽体结构包括槽体、溢流组件和调节螺栓，槽体内盛装有刻蚀溶液；溢流组件包括固定板和活动板，固定板设置于槽体的槽壁上，活动板上设置有容纳槽，活动板可上下活动地设置于容纳槽内，活动板上设置有轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔；调节螺栓能旋拧于第一螺纹孔内并抵接于容纳槽的槽底；或者容纳槽的槽底对应第一螺纹孔设置有第二螺纹孔，调节螺栓依次穿设于第一螺纹孔和第二螺纹孔内。所述硅片湿法刻蚀用槽体结构，结构简单，只需要旋拧调节螺栓即可实现活动板与固定板之间相对位置的调节，从而起到调节槽体内刻蚀溶液的液面高度的效果。的液面高度的效果。的液面高度的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备


[0001]本技术涉及硅片生产制造
，尤其涉及一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备。

技术介绍

[0002]太阳能电池主要是以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质，当掺入硼、磷等杂质时，硅晶体中就会存在着一个空穴，形成N型半导体；当掺入磷原子以后，硅晶体中就会有一个电子，形成P型半导体；P型半导体与N型半导体结合在一起形成PN结，当太阳光照射硅晶体后，PN结中N型半导体的空穴往P型区移动，而P型半导体的电子往N型区移动，从而形成N型区到P型区的电流，在PN结中形成电势差，这就形成了太阳能电池。太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。目前在单晶硅太阳能电池的制备工艺中，扩散工序是采取将两片硅片并列放置操作，由于气流的关系，不可避免地会在硅片的非扩散面边缘形成PN结，从而导致硅片短路。因此，需要在扩散后增加一步刻蚀工艺，将扩散工序中形成在硅片四周及背面的PN结去除，以使硅片上下表面隔断。
[0003]目前通常采用湿法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片湿法刻蚀用槽体结构，其特征在于，包括：槽体(1)，所述槽体(1)内盛装有刻蚀溶液；溢流组件(2)，包括固定板(21)和活动板(22)，所述固定板(21)设置于所述槽体(1)的槽壁上，所述固定板(21)上设置有容纳槽(211)，所述活动板(22)可上下活动地设置于所述容纳槽(211)内，所述活动板(22)上设置有轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔；调节螺栓(3)，所述调节螺栓(3)能旋拧于所述第一螺纹孔内并抵接于所述容纳槽(211)的槽底；或者所述容纳槽(211)的槽底对应所述第一螺纹孔设置有第二螺纹孔，所述调节螺栓(3)依次穿设于所述第一螺纹孔和所述第二螺纹孔内。2.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构，其特征在于，所述活动板(22)的上表面与水平面平行。3.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构，其特征在于，所述活动板(22)上沿其高度方向设置有刻度线。4.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀用槽体结构，其特征在于，所述调节螺栓(3)的数量为多个，多个所述调节螺栓(3)沿所述活动板(22)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：易书令，唐步玉，姜大俊，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：