一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构及制造方法技术

本发明专利技术提供一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构及制造方法，减小框架引脚间距，提高整个封装结构的集成度，同时降低封装成本。包括刻蚀有多个引脚的裸铜框架，相邻引脚之间的空隙填充有塑封料，形成第一塑封体；裸铜框架正面的引脚贴装有倒装芯片和无源器件，倒装芯片和无源器件外包裹有第二塑封体，裸铜框架背面的引脚裸露在第一塑封体外。通过在原刻蚀好引脚的裸铜框架的背面先进行一次塑封，塑封料填充框架引脚间的空隙，并在正面引脚pad上贴装倒装芯片和无源器件，后通过二次塑封把倒装芯片与无源器件填充包裹起来，利用研磨技术将框架背面塑封体研磨掉，露出框架背面引脚，镀锡后切割成单颗成品。后切割成单颗成品。后切割成单颗成品。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构及制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，具体为一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构及制造方法。

技术介绍

[0002]基板是实现高密度互连的载体，复杂的通信类、CPU处理器类、AI智能类芯片封装都必须用到基板，但是基板产能远远不能满足市场需求，且采购成本居高不下。QFN(方形扁平无引脚封装)为表面贴装型封装之一，也是一种无引脚封装，封装成本较低，且由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，能提供卓越的电性能。
[0003]但是，框架结构封装之间的引脚间距通常较大，相对于基板倒装芯片来说，无法产生更多引脚输出，实现更多功能芯片封装。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构及制造方法，减小框架引脚间距，提高整个封装结构的集成度，同时降低封装成本。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，包括刻蚀有多个引脚的裸铜框架，相邻引脚之间的空隙填充有塑封料，形成第一塑封体；
[0007]裸铜框架正面的引脚贴装有倒装芯片和无源器件，倒装芯片和无源器件外包裹有第二塑封体，裸铜框架背面的引脚裸露在第一塑封体外。
[0008]优选地，所述相邻引脚之间的间距不大于150um。
[0009]优选地，所述无源器件与裸铜框架正面的引脚焊接互联。
[0010]优选地，所述倒装芯片和裸铜框架正面的引脚之间通过凸点部件互联。
[0011]优选地，所述第一塑封体的厚度为裸铜框架厚度的一半。
[0012]优选地，所述无源器件采用电阻或电容。
[0013]优选地，所述第一塑封体和第二塑封体均采用环氧树脂材料。
[0014]一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构的制造方法，包括如下步骤，对裸铜框架的正面和背面刻蚀布线，形成多个引脚；
[0015]将塑封料填充在引脚之间的空隙内，进行一次塑封；
[0016]将无源器件和倒装芯片分别与裸铜框架的正面对应的引脚贴合互联；
[0017]利用塑封料将裸铜框架正面的无源器件和倒装芯片包裹起来，进行二次塑封；
[0018]将裸铜框架背面的第一塑封体研磨直至露出裸铜框架背面引脚，封装完成。
[0019]优选地，所述封装完成后，还包括在裸铜框架背面引脚上镀锡。
[0020]优选地，所述对裸铜框架的正面和背面刻蚀布线，形成多个引脚后，在裸铜框架的正面贴膜。
[0021]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0022]本专利技术提供一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，通过在原刻蚀好引脚的裸铜框架的背面先进行一次塑封，塑封料填充框架引脚间的空隙，替代基板的复杂走线以及绿油、Core材的覆盖填充，并在正面引脚pad上贴装倒装芯片和无源器件，接着过回流焊焊接，倒装芯片和无源器件与框架引脚Pad之间形成一级互联，后通过二次塑封把倒装芯片与无源器件填充包裹起来，利用研磨技术将框架背面塑封体研磨掉，露出框架背面引脚，镀锡后切割成单颗成品，本专利技术通过巧妙利用二次塑封技术，框架引脚间距可以蚀刻到150um以下，细间距的框架引脚相对于芯片来说有更多引脚输出，可以组装出高密度引脚输出的芯片或WLCSP产品，无源器件如电阻或电容器件也可以组装焊接，且由于引脚间塑封料的阻隔，能够有效防止锡桥连接，从而整个产品封装结构的厚度降低，同时产品的散热性能得到进一步提升，降低了封装成本，在一定程度上替代了基板，实现一种超薄、高密度FCQFN封装结构。
附图说明
[0023]图1为本专利技术蚀刻框架的截面图；
[0024]图2为本专利技术框架背面贴膜截面图；
[0025]图3为本专利技术框架背面一次塑封截面图；
[0026]图4为本专利技术框架背面撕膜图；
[0027]图5为本专利技术框架正面贴装芯片与无源元器件图；
[0028]图6为本专利技术框架正面二次塑封截面图；
[0029]图7为本专利技术FCQFN封装结构示意图。
[0030]图中，与无源器件结合的正面引脚1，与倒装芯片结合的正面引脚2，框架背面引脚3，胶膜4，一次塑封填充料5，无源器件6，倒装芯片7，芯片凸点8，二次塑封填充料9。
具体实施方式
[0031]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0032]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0033]下面结合附图对本专利技术做进一步详细描述：
[0034]如图7所示，本专利技术一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，包括刻蚀有多个引脚
的裸铜框架，相邻引脚之间的空隙填充有塑封料，形成第一塑封体；
[0035]裸铜框架正面的引脚贴装有倒装芯片7和无源器件6，倒装芯片7和无源器件6外包裹有第二塑封体，裸铜框架背面的引脚裸露在第一塑封体外。
[0036]其中，引脚包括与无源器件结合的正面引脚1、与倒装芯片结合的正面引脚2以及框架背面引脚3。
[0037]本专利技术提供一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，通过在原刻蚀好引脚的裸铜框架的背面先进行一次塑封，塑封料填充框架引脚间的空隙，替代基板的复杂走线以及绿油、Core材的覆盖填充，并在正面引脚pad上贴装倒装芯片7和无源器件6，接着过回流焊焊接，倒装芯片7和无源器件6与框架引脚Pad之间形成一级互联，后通过二次塑封把倒装芯片7与无源器件6填充包裹起来，利用研磨技术将框架背面塑封体研磨掉，露出框架背面引脚3，镀锡后切割成单颗成品，本专利技术通过巧妙利用二次塑封技术，框架引脚间距可以蚀刻到150um以下，细间距的框架引脚相对于芯片来说有更多引脚输出，可以组装出高密度引脚输出的芯片或WLCSP产品，无源器件6如电阻或电容器件也可以组装焊接，且由于引脚间塑封料的阻隔，能够有效防止锡桥连接，从而整个产品封装结构的厚度降低，同时产品的散热性能得到进一步提升，降低了封装成本，在一定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，包括刻蚀有多个引脚的裸铜框架，相邻引脚之间的空隙填充有塑封料，形成第一塑封体；裸铜框架正面的引脚贴装有倒装芯片(7)和无源器件(6)，倒装芯片(7)和无源器件(6)外包裹有第二塑封体，裸铜框架背面的引脚裸露在第一塑封体外。2.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述相邻引脚之间的间距不大于150um。3.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述无源器件(6)与裸铜框架正面的引脚焊接互联。4.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述倒装芯片(7)和裸铜框架正面的引脚之间通过凸点部件互联。5.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述第一塑封体的厚度为裸铜框架厚度的一半。6.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述无源器件(6)采用电阻或电容。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐召明，张建东，袁致波，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：