一种半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，包括器件结构和位于器件结构外围的保护结构，该保护结构包括第一保护结构，和位于第一保护结构上与该第一保护结构连接的第二保护结构。第一保护结构包括第一保护环，围绕第一保护环的第二保护环，以及位于第一保护环和第二保护环之间的第一连接结构。第二保护结构包括第三保护环，围绕第三保护环的第四保护环，以及位于第三保护环和第四保护环之间的第二连接结构。其中，第一连接结构将第一保护结构连接成为一个整体，第二连接结构将第二保护结构连接成为一个整体，因此第二保护结构具有更大的覆盖窗口，还可以改善第二保护结构与第一保护结构的连接，增强保护结构的隔绝性能。增强保护结构的隔绝性能。增强保护结构的隔绝性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件


[0001]本专利技术总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种半导体器件的保护结构。

技术介绍

[0002]保护结构位于器件结构外围，且位于切割道与器件结构之间，可以在进行器件结构切割时保护器件结构不受机械损伤，并阻止水汽和氧气进入器件结构内。
[0003]保护结构中具有导电金属，主要用于带有接地的静电保护，可以保护传感设备和/或主器件结构免受电子和/或静电损坏(ESD)。
[0004]如何确保保护结构的隔绝性能一直是半导体器件领域研究的热点。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包括器件结构和位于所述器件结构外围的保护结构；所述保护结构包括：
[0006]第一保护结构，所述第一保护结构包括第一保护环、第二保护环和第一连接结构，所述第二保护环围绕所述第一保护环，所述第一连接结构位于所述第一保护环和所述第二保护环之间、连接所述第一保护环和所述第二保护环；
[0007]第二保护结构，所述第二保护结构位于所述第一保护结构上，且与所述第一保护结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括器件结构和位于所述器件结构外围的保护结构；所述保护结构包括：第一保护结构，所述第一保护结构包括第一保护环、第二保护环和第一连接结构，所述第二保护环围绕所述第一保护环，所述第一连接结构位于所述第一保护环和所述第二保护环之间、连接所述第一保护环和所述第二保护环；第二保护结构，所述第二保护结构位于所述第一保护结构上，且与所述第一保护结构连接，所述第二保护结构包括第三保护环、第四保护环和第二连接结构，所述第四保护环围绕所述第三保护环，所述第二连接结构位于所述第三保护环和所述第四保护环之间、连接所述第三保护环和所述第四保护环。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二保护结构至少覆盖所述第一保护结构。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一保护结构具有第一宽度，所述第二保护结构具有第二宽度，且所述第二宽度大于所述第一宽度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述器件结构外围的第一介质层和第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层上。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一保护结构贯穿所述第一介质层，所述第二保护结构贯穿所述第二介质层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一连接结构包括相互平行...

【专利技术属性】
技术研发人员：李倩，伍术，肖亮，华子群，胡思平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：