一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，涉及一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法。本发明专利技术在接触孔光刻及刻蚀后进行P型重掺杂区的光刻及注入激活，一方面在接触孔刻蚀后进行P型重掺杂区光刻再注入P型重掺杂区，可以结合接触孔的形貌有效控制P型重掺杂区与N型重掺杂区的间距，从而改善阈值分布一致性；另一方面，P型重掺杂区的光刻及注入激活放在接触孔刻蚀后，P型重掺杂区光刻版上的形貌设置可以大于实际要注入到硅中的P型重掺杂区，还避免了现有工艺中在接触孔光刻及刻蚀前进行P型重掺杂区注入，P型重掺杂区需要注入区域小，光刻工艺波动会对P型重掺杂区注入产生较大影响的风险，从而提高了器件的可制作性。件的可制作性。件的可制作性。

【技术实现步骤摘要】
一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法


[0001]本专利技术属于微电子
，涉及一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件中具有代表性的一类器件，因其同时具有高耐压、低导通压降、易驱动、开关速度快等优点，在开关电源、变频调速、逆变器等许多功率领域有重要的应用。短路和RBSOA（反向偏置安全工作区）问题是影响IGBT可靠性的重要原因之一。
[0003]随着技术的升级，IGBT结构在不断迭代，纵向结构在不断减薄，从PT型到NPT型到FS场终止型；正面结构元胞尺寸在不断减小，从平面型到沟槽型到微沟槽型结构。随着微沟槽型IGBT其元胞尺寸的不断缩小（小于2μm），电流密度越来越大，导致其短路和RBSOA能力变弱。
[0004]为解决此问题，各种降低微沟槽栅IGBT电流密度的设计应运而生，主要方式为减小导电沟道数量。一种思路为设置发射极沟槽来减小栅极沟槽的数量。另一种思路为减小N型重掺杂区的面积。N型重掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法，其特征在于，在接触孔光刻及刻蚀后进行P型重掺杂区的光刻及注入激活。2.根据权利要求1所述的微沟槽栅IGBT正面的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、在N
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型衬底上通过光刻刻蚀微沟槽并生长栅氧层；步骤S2、在N
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型衬底上淀积多晶硅，并进行多晶硅刻蚀，去除N
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型衬底表面的多晶硅，只保留微沟槽内的多晶硅；步骤S3、进行P型轻掺杂区和N型载流子存储区的光刻、注入及激活，依次在N
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型衬底上的沟槽之间分别形成P型轻掺杂区和N型载流子存储区；步骤S4、进行N型重掺杂区的光刻、注入及激活，在所述N
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型衬底上形成N型重掺杂源区；步骤S5、在所述N
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型衬底上进行层间介质层淀积，所述层间介质层的厚度为500~1500nm；步骤S6、通过接触孔的光刻，刻蚀所述层间介质层，并继续刻蚀N
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型硅衬底及沟槽内多晶硅上的相应区域，所述N
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型硅衬底上或沟槽内多晶硅上接触孔的深度为0.2~1μm，接触孔的宽度为0.2~1μm，分别形成源极接触孔及栅极接触孔；步骤S7、进行P型重掺杂区的光刻、注入并激活，在接触孔下方形成P型重掺杂区；步骤S8、正面金属溅射及光刻，分别形成发射极金属和栅极金属；步骤S9、正面钝化层淀积及光刻，分别引出发射极金属电极和栅极金属电极。3.根据权利要求2所述的微沟槽栅IGBT正面的制作方法，其特征在于，所述N
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓鸾，许生根，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：