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本发明属于微电子技术领域，涉及一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法。本发明在接触孔光刻及刻蚀后进行P型重掺杂区的光刻及注入激活，一方面在接触孔刻蚀后进行P型重掺杂区光刻再注入P型重掺杂区，可以结合接触孔的形貌有效控制P型重掺杂区与N型重掺杂区...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

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