绝缘栅双极型晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述绝缘栅双极型晶体管的制造方法包括：提供一衬底，形成沟槽于所述衬底中；形成掺杂层于所述沟槽底部；执行退火工艺，使得所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述衬底中，以形成包围所述沟槽底部的少子存储层；去除所述掺杂层；形成栅极结构于所述沟槽中；以及，形成体区于所述沟槽两侧的衬底顶部，所述体区与所述少子存储层之间间隔所述衬底。本发明专利技术的技术方案能够减小对阈值电压的影响且降低成本。术方案能够减小对阈值电压的影响且降低成本。术方案能够减小对阈值电压的影响且降低成本。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件易于驱动、输入阻抗低和开关速度快的特点，又有双极型器件通态电流密度大、导通压降低、损耗小、稳定性好的优点。
[0003]沟槽型IGBT采用少子存储层能够降低其饱和压降和关断时间，有利于器件性能提升。目前，通常采用外延或高能离子注入的方法形成少子存储层，但是，这两种方法的工艺稳定性差，对阈值电压影响大，且对设备能力要求高，需要多层外延或高能离子注入机，成本很高。
[0004]因此，如何对少子存储层的形成方法进行改进，以减小对阈值电压的影响以及降低成本是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，能够减小对阈值电压的影响且降低成本。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了一种绝缘栅双本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，形成沟槽于所述衬底中；形成掺杂层于所述沟槽底部；执行退火工艺，使得所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述衬底中，以形成包围所述沟槽底部的少子存储层；去除所述掺杂层；形成栅极结构于所述沟槽中；以及，形成体区于所述沟槽两侧的衬底顶部，所述体区与所述少子存储层之间间隔所述衬底。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂层于所述沟槽底部的步骤包括：于所述沟槽中填满掺杂材料层；以及，刻蚀去除部分所述掺杂材料层，保留位于所述沟槽底部的掺杂材料层作为所述掺杂层。3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述掺杂层的材质为含有掺杂离子的多晶硅。4.如权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述掺杂离子的浓度为1E16 cm
‑3~1E18 cm
‑3。5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为3μm~6μm。6.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述衬底与所述少子存储层具有第一导电类型，所述体区具有第二导电类型。7.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡钰祺，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：