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本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述绝缘栅双极型晶体管的制造方法包括：提供一衬底，形成沟槽于所述衬底中；形成掺杂层于所述沟槽底部；执行退火工艺，使得所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述衬底中，以形成包围所述沟槽底部的少子存储层...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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