一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法技术

本发明专利技术公开一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法。通过调整载流子存储层的注入顺序和注入能量，显著提高了载流子存储层的注入效率，增加了载流子存储层的浓度，降低了载流子存储槽栅双极型晶体管的导通压降和饱和电流。降和饱和电流。降和饱和电流。

【技术实现步骤摘要】
一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法。

技术介绍

[0002]电力电子设备是电力电子技术发展与进步的基础。高性能电力电子设备可以节省电能，从而节省化石能源并减少环境污染。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)控制的双极结型晶体管(BJT)，它结合了功率MOSFET的高频特性和BJT的低导通压降优点，具有高输入阻抗和低开关损耗等特点。目前IGBT已经成为能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU”。
[0003]尽管IGBT具有处理高电压和大电流的特性，但由于N
‑
漂移区存在大量多余的载流子，因此它在关闭时会出现电流拖尾现象。相应地，载流子存储槽栅双极型晶体管(IGBT)导通压降与关断时间(或关断功耗)之间存在折衷关系。CSTBT结构极大的优化器件的这一折衷关系，成为IGBT器件发展史的一大突破。CSTBT的P型体区域下方的载流子存储层(CS层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法，其特征在于，包括以下步骤：在N
‑
掺杂的硅衬底上通过P型离子注入形成P型阱区；刻蚀形成沟槽，生长第一氧化层作为栅氧层，使其覆盖所述沟槽表面并延伸覆盖所述P型阱区表面；淀积第一多晶硅层，使其覆盖所述沟槽表面的第一氧化层，并完全填充沟槽，且其上表面与所述第一氧化层上表面相持平；刻蚀所述第一氧化层，仅保留边缘处的第一氧化层，使所述第一多晶硅层和部分所述P型阱区表面露出，通过N型离子注入形成N
+
区，去除表面的第一氧化物层以露出衬底；通过高能N型离子注入在P型阱区下方形成载流子存储层；淀积第二氧化层覆盖衬底表面，刻蚀去除边缘处的第二氧化层以露出部分硅衬底，进行P型离子注入形成P
+
区；在所述P

【专利技术属性】
技术研发人员：徐航，徐大朋，陈琳，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：