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本发明公开一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法。通过调整载流子存储层的注入顺序和注入能量，显著提高了载流子存储层的注入效率，增加了载流子存储层的浓度，降低了载流子存储槽栅双极型晶体管的导通压降和饱和电流。降和饱和电流。降和饱和电...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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