HDP-CVD设备的控制方法、设备和存储介质技术

本申请公开了一种HDP

【技术实现步骤摘要】
HDP
‑
CVD设备的控制方法、设备和存储介质


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition，HDP
‑
CVD)设备的控制方法、设备和存储介质。

技术介绍

[0002]HDP
‑
CVD设备广泛应用于半导体集成电路的生产制造工艺中，其原理为等离子体在低压下以高密度混合气体的形式接触到反应腔中晶圆的表面形成薄膜，为了形成高密度等离子体，在HDP
‑
CVD设备的反应腔中，由电感耦合等离子体发生器(inductive coupled plasma emission spectrometer，ICP)来产生并维持高密度的等离子体。
[0003]HDP
‑
CVD设备在打开腔室进行预防性维护(preventive maintenance，PM)后，容易引起金属污染，其原因主要由HDP
‑
CVD设备的特点决定：首先，HDP
‑
CVD工艺中的等离子体比较重，高密度的等离子体会增加反应腔的热负荷，使得其腔室温度相对于其它CVD设备较高，因此容易将腔室内的部件里的金属元素析出来，若使用进行PM后的HDP
‑
CVD设备制作对金属元素污染要求较高的产品(例如，互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxide semiconductor contact image sensor，CIS)器件)时，会影响产品的品质。
[0004]鉴于此，每当HDP
‑
CVD设备在打开腔室进行PM后，需要通过人工的方式使用设备先运行预设数量(该数量由实际生产要求和测试结果决定)的废片(dummy)晶圆，然后再使用该设备运行特定产品(对金属元素污染要求较高的产品，例如，CIS)的晶圆，从而降低金属元素对特定产品的污染。
[0005]然而，通过人工的方式操作HDP
‑
CVD设备运行预设数量的废片晶圆后再运行特定产品的晶圆，准确度较低，且对设备的利用率较低(例如，当使用该HDP设备运行了预设数量及以上的非特定产品的晶圆后，就不需要再运行废片晶圆了)。

技术实现思路

[0006]本申请提供了一种HDP
‑
CVD设备的控制方法、设备和存储介质，可以解决相关技术中通过人工的方式操作HDP
‑
CVD设备运行预设数量的废片晶圆后再运行特定产品的晶圆，准确度较低且对设备的利用率较低的问题。
[0007]一方面，本申请实施例提供了一种HDP
‑
CVD设备的控制方法，包括：
[0008]检测是否满足触发条件，所述触发条件包括以下条件中的至少一种：所述HDP
‑
CVD设备中最近一次运行的任务和即将运行的任务不属于同一任务组；所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次任务运行完成的时间超过预设时间；距离所述HDP
‑
CVD设备最近一次腔室清洁工艺之后运行的晶圆数量大于预设数量；
[0009]当满足所述触发条件时，控制所述HDP
‑
CVD设备进行腔室清洁工艺；
[0010]控制所述HDP
‑
CVD设备运行第一数量的废片晶圆，所述废片晶圆是不用于集成产品的晶圆；
[0011]控制所述HDP
‑
CVD设备运行第二数量的目标晶圆，所述目标晶圆是用于集成目标产品的晶圆；
[0012]其中，所述HDP
‑
CVD设备中需要运行的晶圆包括所述目标晶圆、所述废片晶圆和其它晶圆，所述其它晶圆是用于集成其它产品的晶圆，所述目标产品对金属元素污染的要求大于所述其它产品。
[0013]在一些实施例中，所述检测是否满足触发条件，包括：
[0014]根据检测所述HDP
‑
CVD设备是否存在未完成的任务；
[0015]当存在所述未完成的任务时，检测即将运行的任务和所述未完成的任务是否属于同一任务组；
[0016]当所述即将运行的任务和所述未完成的任务不属于同一任务组时，确定满足所述触发条件。
[0017]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0018]当所述即将运行的任务和所述未完成的任务属于同一任务组时，统计得到第三数量，所述第三数量是所述未完成的任务所属的任务组最近一次所运行的晶圆数量；
[0019]计算得到所述第三数量除以极限数量得到的余数，所述极限数量大于等于所述预设数量；
[0020]检测所述余数是否为零；
[0021]当所述余数为零时，确定满足所述触发条件。
[0022]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0023]当所述余数不为零时，运行第四数量的晶圆，所述第四数量为所述极限数量和所述余数之间的差值。
[0024]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0025]当不存在所述未完成的任务时，检测所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量是否为零；
[0026]当所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量为零时，控制所述HDP
‑
CVD设备运行所述第一数量的废片晶圆；
[0027]控制所述HDP
‑
CVD设备运行所述第二数量的目标晶圆。
[0028]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0029]当所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量不为零时，检测最近一次运行完成的任务和所述即将运行的任务是否属于同一任务组；
[0030]当所述最近一次运行完成的任务和所述即将运行的任务不属于同一任务组时，确定满足所述触发条件。
[0031]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0032]当所述最近一次运行完成的任务和所述即将运行的任务属于同一任务组时，检测距离所述最近一次运行完成的任务完成的时间是否超过预设时间；
[0033]当距离所述最近一次运行完成的任务完成的时间超过所述预设时间时，确定满足所述触发条件。
[0034]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0035]当距离所述最近一次运行完成的任务完成的时间没有超过所述预设时间时，检测
最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量是否超过极限数量，所述极限数量大于等于所述预设数量；
[0036]当所述最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量超过所述极限数量时，将所述预设数量赋值为所述极限数量，确定满足所述触发条件。
[0037]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0038]当所述最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量不超过所述极限数量时，检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HDP
‑
CVD设备的控制方法，其特征在于，包括：检测是否满足触发条件，所述触发条件包括以下条件中的至少一种：所述HDP
‑
CVD设备中最近一次运行的任务和即将运行的任务不属于同一任务组；所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次任务运行完成的时间超过预设时间；距离所述HDP
‑
CVD设备最近一次腔室清洁工艺之后运行的晶圆数量大于预设数量；当满足所述触发条件时，控制所述HDP
‑
CVD设备进行腔室清洁工艺；控制所述HDP
‑
CVD设备运行第一数量的废片晶圆，所述废片晶圆是不用于集成产品的晶圆；控制所述HDP
‑
CVD设备运行第二数量的目标晶圆，所述目标晶圆是用于集成目标产品的晶圆；其中，所述HDP
‑
CVD设备中需要运行的晶圆包括所述目标晶圆、所述废片晶圆和其它晶圆，所述其它晶圆是用于集成其它产品的晶圆，所述目标产品对金属元素污染的要求大于所述其它产品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测是否满足触发条件，包括：根据检测所述HDP
‑
CVD设备是否存在未完成的任务；当存在所述未完成的任务时，检测即将运行的任务和所述未完成的任务是否属于同一任务组；当所述即将运行的任务和所述未完成的任务不属于同一任务组时，确定满足所述触发条件。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述即将运行的任务和所述未完成的任务属于同一任务组时，统计得到第三数量，所述第三数量是所述未完成的任务所属的任务组最近一次所运行的晶圆数量；计算得到所述第三数量除以极限数量得到的余数，所述极限数量大于等于所述预设数量；检测所述余数是否为零；当所述余数为零时，确定满足所述触发条件。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述余数不为零时，运行第四数量的晶圆，所述第四数量为所述极限数量和所述余数之间的差值。5.根据权利要求2至4任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当不存在所述未完成的任务时，检测所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量是否为零；当所述HDP
‑
CVD设备距离最近一次腔室清洁工艺后运行的晶圆数量为零时，控制所述HD...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈翔，刘善鹏，许隽，金立培，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：