一种有效分析TIW结构的处理方法技术

本发明专利技术提供一种有效分析TIW结构的处理方法。所述有效分析TIW结构的处理方法包括以下步骤：S1优先将样品进行Cross section处理；S2在步骤S1中Cross section处理后的表面涂覆处理溶液进行反应；S3去除步骤S2中反应后的处理溶液；S4对步骤S3处理完全后的样品在SEM机台下分析TIW层厚度。本发明专利技术提供的有效分析TIW结构的处理方法具有样品Cross section后表面变的光滑且平整，涂抹KI溶液后会与金发生反应，却不与TIW层发生反应，去除KI与AU的反应溶液后，发现金表面会变的粗糙，而TIW层依旧平整光滑，TIW层较为明显的突出，在SEM机台下区分变得较为明显。得较为明显。得较为明显。

【技术实现步骤摘要】
一种有效分析TIW结构的处理方法


[0001]本专利技术涉及驱动芯片金凸块封装领域，尤其涉及一种有效分析TIW结构的处理方法。

技术介绍

[0002]在驱动芯片金凸块封装时，需要对封装的芯片进行取样分析，分析时为了保障芯片能够达标，需要对样品中的TIW层厚度进行检测和分析。
[0003]在对样品进行分析时，优先将样品在Cross section后SEM机台亮度过暗环境下分析TIW层厚度时，无法有效区分TIW层与bump层，导致分析TIW层厚度时易存在误差。
[0004]在分析前没有对Cross section后的样品进行提前的处理工序，用于TIW层与bump层的分层，有助于TIW层厚度的检测和分析。
[0005]因此，有必要提供一种有效分析TIW结构的处理方法解决上述技术问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种有效分析TIW结构的处理方法，解决了驱动芯片金凸块封装的样品分层检测时不方便有效区分TIW层与bump层的问题。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术提供的有效分析TIW结构的处理方法包括以下步骤：S1优先将样品进行Cross section处理；
[0008]S2在步骤S1中Cross section处理后的表面涂覆处理溶液进行反应；
[0009]S3去除步骤S2中反应后的处理溶液；
[0010]S4对步骤S3处理完全后的样品在SEM机台下分析TIW层厚度。
[0011]优选的，所述步骤S1中的样品为驱动芯片金凸块，分为bump层和TIW层。
[0012]优选的，所述步骤S2中处理溶液为KI溶液，反应时间为30min～60min，KI溶液制备公式：
[0013]KI+I2—KI3+KI。
[0014]优选的，所述步骤S3中的处理溶液为KI溶液与AU进行反应后的溶液，反应公式：
[0015]3KI3+2AU—2KAUI4+KI。
[0016]优选的，所述步骤S2中对样品Cross section处理后的表面进行涂覆时需要使用到涂覆设备，涂覆设备包括：
[0017]盒体、固定板和隔板，所述固定板的表面将所述盒体的内部分隔成储液槽和反应槽，所述隔板的表面将所述反应槽的内部分隔成第一安装槽和第二安装槽，所述盒体的顶端开设有连接卡槽；
[0018]盖板，所述盖板的一侧通过铰链转动连接于所述隔板的顶端，用于所述储液槽的遮挡；
[0019]引流组件，所述引流组件安装于所述盒体的外侧，所述引流组件包括引流泵、抽取管和引流管，用于储液槽内部的反应溶液的输送；
[0020]夹持板，所述夹持板的表面安装于所述连接卡槽的内部；
[0021]涂覆样品本体，所述涂覆样品本体的表面安装于所述夹持板的内侧；
[0022]排流管，所述排流管的一侧固定于所述盒体的一侧，用于连接所述反应槽的内部。
[0023]优选的，所述引流泵的表面固定安装于所述盒体的外表面，所述引流泵的输入端通过所述抽取管与所述储液槽的内部相互连通，所述引流泵的输出端通过所述引流管与所述反应槽的内部相互连通。
[0024]优选的，所述夹持板的内部开设有插孔和伸缩槽，所述伸缩槽的内壁固定连接有弹性件，所述弹性件的一端固定连接有夹持件，用于对所述涂覆样品本体进行稳定的夹持。
[0025]优选的，所述伸缩槽的内部与所述插孔的内部相互连通，用于所述涂覆样品本体的安装。
[0026]优选的，所述夹持件位于所述插孔的内部，用于抵触所述涂覆样品本体的表面。
[0027]优选的，所述弹性件包括弹簧和弹簧伸缩杆。
[0028]与相关技术相比较，本专利技术提供的有效分析TIW结构的处理方法具有如下有益效果：
[0029]本专利技术提供一种有效分析TIW结构的处理方法，样品Cross section后表面变的光滑且平整，涂抹KI溶液后会与金发生反应，却不与TIW层发生反应，去除KI与AU的反应溶液后，发现金表面会变的粗糙，而TIW层依旧平整光滑，TIW层较为明显的突出，在SEM机台下区分变得较为明显。
附图说明
[0030]图1为本专利技术提供的有效分析TIW结构的处理方法中使用的涂覆设备的结构示意图；
[0031]图2为图1所示的盒体部分的结构示意图；
[0032]图3为图2所示的盒体部分的截面图；
[0033]图4为图1所示的夹持板部分的结构示意图；
[0034]图5为图4所示的A部放大示意图；
[0035]图6为图1所示的隔板的另一种实施方式的结构示意图；
[0036]图7为图6所示的B部的放大示意图；
[0037]图8为图6所示的隔板部分的结构示意图。
[0038]图中标号：
[0039]1、盒体，110、储液槽，120、反应槽，121、第一安装槽，122、第二安装槽，130、连接卡槽，140、活动槽；
[0040]2、固定板；
[0041]3、隔板；
[0042]4、盖板；
[0043]5、引流组件，51、引流泵，52、抽取管，53、引流管；
[0044]6、夹持板，61、插孔，62、伸缩槽，63、弹性件，64、夹持件；
[0045]7、涂覆样品本体；
[0046]8、排流管；
[0047]9、调节板，91、调节螺栓。
具体实施方式
[0048]下面结合附图和实施方式对本专利技术作进一步说明。
[0049]请结合参阅图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8，其中，图1为本专利技术提供的有效分析TIW结构的处理方法中使用的涂覆设备的结构示意图；图2为图1所示的盒体部分的结构示意图；图3为图2所示的盒体部分的截面图；图4为图1所示的夹持板部分的结构示意图；图5为图4所示的A部放大示意图；图6为图1所示的隔板的另一种实施方式的结构示意图；图7为图6所示的B部的放大示意图；图8为图6所示的隔板部分的结构示意图。
[0050]一种有效分析TIW结构的处理方法包括：包括以下步骤：
[0051]S1优先将样品进行Cross section处理；
[0052]S2在步骤S1中Cross section处理后的表面涂覆处理溶液进行反应；
[0053]S3去除步骤S2中反应后的处理溶液；
[0054]S4对步骤S3处理完全后的样品在SEM机台下分析TIW层厚度。
[0055]所述步骤S1中的样品为驱动芯片金凸块，分为bump层和TIW层。
[0056]所述步骤S2中处理溶液为KI溶液，反应时间为30min～60min，KI溶液制备公式：
[0057]KI+I2—KI3+KI。
[0058]所述步骤S3中的处理溶液为KI溶液与AU进行反应后的溶液，反应公式：
[0059]3KI3+2AU—2KAUI4+KI。
[0060]与相关技术相比较，本专利技术提供的有效分析TIW结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有效分析TIW结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1优先将样品进行Cross section处理；S2在步骤S1中Cross section处理后的表面涂覆处理溶液进行反应；S3去除步骤S2中反应后的处理溶液；S4对步骤S3处理完全后的样品在SEM机台下分析TIW层厚度。2.根据权利要求1所述的有效分析TIW结构的处理方法，其特征在于，所述步骤S1中的样品为驱动芯片金凸块，分为bump层和TIW层。3.根据权利要求1所述的有效分析TIW结构的处理方法，其特征在于，所述步骤S2中处理溶液为KI溶液，反应时间为30min～60min，KI溶液制备公式：KI+I2—KI3+KI。4.根据权利要求3所述的有效分析TIW结构的处理方法，其特征在于，所述步骤S3中的处理溶液为KI溶液与AU进行反应后的溶液，反应公式：3KI3+2AU—2KAUI4+KI。5.根据权利要求1所述的有效分析TIW结构的处理方法，其特征在于，所述步骤S2中对样品Cross section处理后的表面进行涂覆时需要使用到涂覆设备，涂覆设备包括：盒体、固定板和隔板，所述固定板的表面将所述盒体的内部分隔成储液槽和反应槽，所述隔板的表面将所述反应槽的内部分隔成第一安装槽和第二安装槽，所述盒体的顶端开设有连接卡槽；盖板，所述盖板的一侧通过铰链转动连接于所述隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：余蒙恩，权循健，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：