半导体装置及半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置包括：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间；第1电极，电连接在氧化物半导体层的第1位置；第2电极，电连接在氧化物半导体层的相对于第1位置位于第1方向的第2位置；第1导电层，设置在氧化物半导体层与第1电极之间、及氧化物半导体层与第2电极之间的至少任一位置，且含有氧(O)及氮(N)中的至少任一元素、第1金属元素、以及与第1金属元素不同的第1元素；以及第2导电层，设置在氧化物半导体层与第1导电层之间，且含有与第1金属元素及第1元素不同的第2元素、及氧(O)；栅极电极的隔着栅极绝缘层而与氧化物半导体层对向的部分的第1方向的位置位于第1位置与第2位置之间。位置之间。位置之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体存储装置
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2020
‑
155888号(申请日：2020年9月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。

技术介绍

[0004]在氧化物半导体层中形成有通道的氧化物半导体晶体管具有以下优异特性，即，断开动作时的通道漏电流极小。因此，例如研究了将氧化物半导体晶体管应用于动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的存储单元的开关晶体管。
[0005]例如，在将氧化物半导体晶体管应用于存储单元的开关晶体管时，氧化物半导体晶体管会经历形成存储单元或配线时所伴随的热处理。因此，期待实现一种即使经历热处理，特性变动也较少且耐热性高的氧化物半导体晶体管。

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。/>[0007]实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于包括：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间；第1电极，电连接在所述氧化物半导体层的第1位置；第2电极，电连接在所述氧化物半导体层的相对于所述第1位置位于第1方向的第2位置；第1导电层，设置在所述氧化物半导体层与所述第1电极之间、及所述氧化物半导体层与所述第2电极之间的至少任一位置，且含有氧及氮中的至少任一元素、第1金属元素、以及与所述第1金属元素不同的第1元素；以及第2导电层，设置在所述氧化物半导体层与所述第1导电层之间，且含有与所述第1金属元素及所述第1元素不同的第2元素、以及氧；且所述栅极电极的隔着所述栅极绝缘层而与所述氧化物半导体层对向的部分的所述第1方向的位置位于所述第1位置与所述第2位置之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1金属元素是选自由钛、银、镍、铜及钽所组成的群中的至少一种元素。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1元素是选自由锌、硅、铝、锡、镓、铪、镧及铈所组成的群中的至少一种元素。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第2元素是选自由铟、锌、锡及镉所组成的群中的至少一种元素。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极及所述第2电极是具有与所述第1导电层不同化学组成的金属。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极及所述第2电极含有钨或钼。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述氧化物半导体层含有铟、镓及锌。8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于还包括：第3导电层，设置在所述第1电极或所述第2电极与所述第1导电层之间，含有所述第1金属元素，且所述第1金属元素的浓度高于所述第1导电层的所述第1金属元素的浓度。9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1导电层的厚度比所述第2导电层的厚度厚。10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1导电层的结晶粒径小于所述第2导电层的结晶粒径。11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1导电层为非晶质...

【专利技术属性】
技术研发人员：片冈淳司，上田知正，郑述述，齐藤信美，池田圭司，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：