一种双调幅电路及可变增益移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明专利技术的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种双调幅电路及可变增益移相器


[0001]本专利技术涉及移相器和衰减器
，尤其是一种双调幅电路及可变增益移相器。

技术介绍

[0002]移相器和衰减器是相控阵系统中两个重要的功能性模块，可以定量地改变射频信号的相位和幅度，从而实现不同指向的天线波束形成和扫描，完成特定方向的发射与接收功能。现有的相控阵收发前端普遍采用独立的移相器和衰减器来分别完成相位和幅度的调制，其中移相器主要使用开关型的无源移相器和矢量合成型的有源移相器，衰减器主要使用T型或Pi型的无源衰减器和可变增益放大型的有源衰减器。无源结构工作带宽大，但通常引入大量感性器件，导致整体系统芯片的面积难以压缩，且精度越高面积越大，不利于系统集成。有源结构工作带宽窄，功耗多，更容易受温度的影响，但感性器件相对较少，提高精度不会增加过多的芯片面积。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的在于：针对上述问题，一种基于有源矢量合成结构的可变增益移相器，通过采用一种双调幅电路，同时实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数、缩减芯片面积、提高集成度、降低成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双调幅电路，其特征在于：包括输入级差分共源对管组、中间级差分共栅对管、输出级差分共栅对管和可调电流源组；所述输入级差分共源对管组分别与中间级差分共栅对管连接，所述输出级差分共栅对管分别与中间级差分共栅对管连接，所述可调电流源组分别与输入级差分共源对管组、中间级差分共栅对管连接。2.如权利要求1所述的一种双调幅电路，其特征在于：所述输入级差分共源对管组包括输入级第一差分共源对管和输入级第二差分共源对管；输入级第一差分共源对管和输入级第二差分共源对管做输入电压反向输出电流相加的设置。3.如权利要求2所述的一种双调幅电路，其特征在于：所述可调电流源组包括第一可调电流源、第二可调电流源、第三可调电流源和第四可调电流源；所述第一可调电流源与输入级第一差分共源对管连接，所述第二可调电流源与输入级第二差分共源对管连接；第三可调电流源和第四可调电流源分别与中间级差分共栅对管连接。4.如权利要求3所述的一种双调幅电路，其特征在于：所述输入级第一差分共源对管包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述输入级第二差分共源对管包括第三NMOS管和第四NMOS管；所述中间级差分共栅对管包括第五NMOS管和第六NMOS管，第三可调电流源与第五NMOS管连接，第四可调电流源与第六NMOS管连接；所述输出级差分共栅对管包括第七NMOS管和第八NMOS管，第七NMOS管与第五NMOS管连接，第八NMOS管与第六NMOS管连接。5.如权利要求4所述的一种双调幅电路，其特征在于：第一NMOS管的基极与第三NMOS管的基极相连，作为双调幅电路的正相输入端IP；第二NMOS管的基极与第四NMOS管的基极相连，作为双调幅电路的反相输入端IN；第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连，并与所述第一可调电流源的第一端相连；第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连，并与所述第二可调电流源的第一端相连；所述第二NMOS管的漏极与第六NMOS管的源极和第四可调电流源的第一端相连；所述第四NMOS管的漏极与第五NMOS管的源极和第三可调电流源的第一端相连；所述第三可调电流源的第二端和第四可调电流源的第二端均与公共电源相连；所述第五NMOS管的基极和第六NMOS管的基极相连，并接入偏置电压Vb。6.如权利要求5所述的一种双调幅电路，其特征在于：所述第七NMOS管之后设置有第五电感、第七电感、第九电感和第一电容；所述第八NMOS管之后设置有有第六电感、第八电感、第十电感和第二电容；所述第七NMOS管的基极与第九电感的第一端相连，并接到公共电源上；所述第八NMOS管的基极与第十电感的第一端相连，并接到公共电源上；所述第七NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极连接；第七NMOS管的漏极与第五电感的第一端相连；第八NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐全文，费泽松，刘自成，李潇然，万嘉月，韩放，陈志铭，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：