一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器制造技术

本发明专利技术属于射频集成电路领域，提供一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器，应用于150～170GHz频段。本发明专利技术中输入信号进入90

【技术实现步骤摘要】
一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器


[0001]本专利技术属于射频集成电路领域，涉及D波段移相器，具体提供一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器，应用于150～170GHz频段。

技术介绍

[0002]太赫兹波段(0.1～3THz)具有丰富的频谱资源、强穿透力和良好的方向性，在太空、医疗、通信领域具有很大的应用潜力；在众多太赫兹频谱中，D波段以其较大的带宽成为了高速通信的备选波段之一。D波段移相器作为D波段相控阵收发机的关键模块之一，逐渐成为研究热点。
[0003]在文献“Analysis and Design of a CMOS Bidirectional Passive Vector
‑
Modulated Phase Shifter(P.Gu,D.Zhao and X.You,2021TCAS
‑Ⅰ
,pp.1398
‑
1408,2021)”中提出了一种70～90GHz的移相器，如图2所示；其核心模块是两个X型衰减器，可以同时实现反相与幅度控制的功能，从而生成目标相位值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器，包括：90
°
电桥、可变增益放大器、X型反相器及威尔金森功率合成器；其特征在于，输入信号进入90
°
电桥，90
°
电桥的直通端和耦合端输出两路正交信号；两路正交信号分别依次经过一个可变增益放大器与一个X型反相器后，由威尔金森功率合成器中完成矢量合成后输出。2.按权利要求1所述基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器，其特征在于，所述X型反相器包括：NMOS晶体管M1～M4，传输线电感L1、传输线电感L2，以及输入马相巴伦、输出马相巴伦；其中，晶体管M1与晶体管M2的源极相连、晶体管M3与晶体管M4的源极相连、晶体管M1与晶体管M3的漏极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王政，张振翼，谢倩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：