键合技术的键合能测试方法技术

本申请实施例公开了键合技术的键合能测试方法，包括如下步骤：提供键合样品，键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，第二键合部位于第二表面的中部；对键合样品施加压力：在第一表面向第一键合部施加第一压力；同时，在第二表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加多个第二压力；记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时，对应的第一压力与第二压力；根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力，计算键合能；通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险，进而为晶圆的质量提供可靠保障。进而为晶圆的质量提供可靠保障。进而为晶圆的质量提供可靠保障。

【技术实现步骤摘要】
键合技术的键合能测试方法


[0001]本申请涉及半导体技术的领域，具体而言，涉及一种键合技术的键合能测试方法。

技术介绍

[0002]在相关的
中，将两个晶圆相互键合的晶圆键合技术是一项关键技术。其中，为了评估晶圆的界面键合强度，需要对表征界面键合强度的晶圆界面键合能进行量化评估。
[0003]目前，在测试晶圆界面键合能的过程中，一般采用插刀式的双悬臂梁法(doublecantileverbeam，DCB)进行测定。该方法使用一定厚度的刀片沿着晶圆的边缘位置插入键合界面，使用红外成像设备测定裂纹长度，并结合刀片厚度及晶圆厚度计算得到界面键合能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种键合技术的键合能测试方法，旨在为晶圆提供一种避免晶圆破裂的键合能测试方法。
[0005]本申请实施例提供了一种键合技术的键合能测试方法，包括如下步骤：提供键合样品，键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，第一键合部的面积尺寸大于第二键合部的面积尺寸，第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，第二键合部位于第二表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合技术的键合能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：提供键合样品，所述键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，所述第一键合部的面积尺寸大于所述第二键合部的面积尺寸，所述第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，所述第二键合部位于所述第二表面的中部；对所述键合样品施加压力：在所述第一表面向所述第一键合部施加第一压力，所述第一压力的施力位置落入所述第二键合部在所述第一表面上的正投影内；同时，在所述第二表面或者在所述第一键合部的周侧面向所述第一键合部施加多个第二压力，多个所述第二压力的施力位置对称分布于所述第二键合部的周侧；记录所述第二键合部与所述第一键合部键合的边缘出现裂纹时，对应的所述第一压力与所述第二压力；根据所述裂纹的长度、所述第二键合部与所述第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的所述第一压力以及所述第二压力，计算键合能。2.如权利要求1所述的键合技术的键合能测试方法，其特征在于，在对所述键合样品施加压力的过程中，所述第一压力的值等于多个所述第二压力的合力的值。3.如权利要求1所述的键合技术的键合能测试方法，其特征在于：所述第一压力的施力位置对应于所述第二键合部在所述第一表面的正投影的几何中心。4.如权利要求1所述的键合技术的键合能测试方法，其特征在于，所述第一压力于所述第一表面的施力位置所对应的面积小于所述第二键合部在所述第一表面上的正投影的面积。5.如权利要求1所述的键合技术的键合能测试方法，其特征在于，所述第一键合部具有中轴线，所述中轴线穿过所述第二键合部在所述第一表面的正投影的几何中心且垂直于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余汇宇，刘武，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：