标签制造技术

一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：基材(11)；以及导体图案层(12)，被形成在基材(11)上，具有相互相邻配设的第1及第2缝隙(13a)、(13b)，第1缝隙(13a)构成在第1频率处具有共振频率的第1共振元件(13Qa)，第2缝隙(13b)构成在比第1频率高的第2频率处具有共振频率的第2共振元件(13Qb)，在被照射了电磁波时，在第1频率处表现出的共振峰的Q值，比在由第1缝隙(13a)单独构成该标签的共振构造的情况下在第1频率处表现出的共振峰的Q值高。的情况下在第1频率处表现出的共振峰的Q值高。的情况下在第1频率处表现出的共振峰的Q值高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】标签


[0001]本公开涉及标签。

技术介绍

[0002]近年来，作为替代条形码和IC芯片内置型的电子标签的技术，使用被称为“无芯片RFID标签”的标签的RFID系统受到关注。
[0003]无芯片RFID标签在该标签内不具有集成电路，而通过被照射了电磁波时的反射特性来构成识别信息。另外，在这种RFID系统中成为如下机制：从标签读取器向无芯片RFID标签照射电磁波，标签读取器对无芯片RFID标签的反射特性进行检测，从而读取该无芯片RFID标签被赋予的识别信息。
[0004]作为这种无芯片RFID标签，例如已知如下标签：在该标签的基材上，形成具有相互不同的共振频率的多个共振元件，通过该共振元件的组合来表现识别信息(例如参照专利文献1)。
[0005]另一方面，这种标签也被用作以非接触方式对物体或者环境的状态变化进行检测的无芯片传感器标签(例如参照专利文献2)。无芯片传感器标签例如构成为：具有与检测对象的状态以物理性建立了关联的共振元件，根据该共振元件的共振频率的变化，对检测对象的状态变化进行检测。另外成为如下机制：无芯片传感器标签所检测的检测对象的状态变化，作为该无芯片传感器标签对于从标签读取器出射的电磁波的反射波谱的变化被标签读取器读取。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特表2009
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529724号公报
[0009]专利文献2:日本特开2001
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134726号公报
专利技术内容
[0010]本专利技术所要解决的课题
[0011]另外，在如上所述的根据标签的电磁波反射特性读取该标签的属性(意味着无芯片RFID标签的识别信息、或者无芯片传感器标签所检测的检测对象的状态。下同)的系统中，存在如下课题：在从标签读取器向标签照射了电磁波时，共振峰(即，在标签内构成的共振元件的共振频率处表现出的共振峰)处的反射波的信号的SN比差。因此，在标签读取器中，产生如下问题：无法高精度地读取标签被赋予的识别信息或标签所检测的检测对象的状态变化。
[0012]本公开鉴于上述问题点而作出，其目的在于，提供能够提高共振峰处的反射波的信号的SN比的标签。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]用于解决上述课题的本公开的主要内容在于，
[0015]一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：
[0016]基材；以及
[0017]导体图案层，被形成在所述基材上，具有相互相邻配设的第1及第2缝隙；
[0018]所述第1缝隙构成在第1频率处具有共振频率的第1共振元件，
[0019]所述第2缝隙构成在比所述第1频率高的第2频率处具有共振频率的第2共振元件，
[0020]在被照射了所述电磁波时，在所述第1频率处表现出的共振峰的Q值，比在由所述第1缝隙单独构成该标签的共振构造的情况下在所述第1频率处表现出的共振峰的Q值高。
[0021]另外，在其他方式中，
[0022]一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：
[0023]基材；以及
[0024]导体图案层，具有被形成在所述基材上的n(n为3以上的正整数)个缝隙；
[0025]所述n个缝隙构成具有相互不同的共振频率的n个共振元件，而且，以该共振元件的共振长度依次变短的方式相互相邻配设，
[0026]在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的第k(k为1至n
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1之中的各整数)个共振元件的共振频率处表现出的共振峰的Q值，比由该第k个共振元件单独构成该标签的共振构造的情况下表现出的共振峰的Q值高。
[0027]专利技术效果
[0028]根据本公开所涉及的标签，能够提高共振峰处的反射波的信号的SN比。
附图说明
[0029]图1是第1实施方式所涉及的RFID系统的结构的一例。
[0030]图2是表示第1实施方式所涉及的标签读取器的结构的一例的图。
[0031]图3是第1实施方式所涉及的标签的平面图。
[0032]图4是第1实施方式所涉及的标签的斜视图。
[0033]图5是表示第1实施方式所涉及的标签的反射特性的图。
[0034]图6A、图6B及图6C是关于第1实施方式所涉及的标签中的牺牲效应进行说明的图。
[0035]图7是表示向第1实施方式所涉及的标签照射了电磁波的情况下检测的电流分布(强度分布)的图。
[0036]图8是示意性地表示根据图7的电流分布推测的电流路径的图。
[0037]图9是表示针对信号缝隙与牺牲缝隙之间的长度比率以及由于牺牲效应而变化的反射特性进行验证的模拟结果的图。
[0038]图10A及图10B是表示第1实施方式所涉及的标签的变形例的结构(图10A)及标签的反射特性(图10B)的图。
[0039]图11A及图11B是表示第1实施方式所涉及的标签的变形例的结构(图11A)及标签的反射特性(图11B)的图。
[0040]图12A及图12B是表示第2实施方式所涉及的标签的结构(图12A)及标签的反射特性(图12B)的图。
[0041]图13A及图13B是表示导体图案层仅具有1个缝隙的比较例1的结构(图13A)及比较
例1的反射特性(图13B)的图。
[0042]图14A及图14B是表示导体图案层仅具有2个缝隙的比较例2的结构(图14A)及比较例2的反射特性(图14B)的图。
[0043]图15A及图15B是表示导体图案层仅具有缝隙13f及缝隙13h的比较例3的结构(图15A)及比较例3的反射特性(图15B)的图。
[0044]图16A及图16B是关于第2实施方式所涉及的标签中的牺牲效应进行说明的图。
[0045]图17是表示第3实施方式所涉及的状态检测系统的结构的一例的图。
[0046]图18A及图18B是表示第3实施方式所涉及的标签的结构的一例的图。
[0047]图19A、图19B及图19C是表示伴随着标签的检测对象的状态变化而产生的标签的反射波谱的变化的一例的图。
具体实施方式
[0048]以下参照附图关于本公开的适宜的实施方式详细进行说明。此外，在本说明书及附图中，针对在实质上具有相同功能的结构要素，通过赋予相同的标记来省略重复说明。
[0049][RFID系统的结构][0050]首先，参照图1～图2，关于一个实施方式所涉及的RFID系统U的整体结构进行说明。
[0051]图1是表示本实施方式所涉及的RFID系统U的结构的一例的图。
[0052]本实施方式所涉及的RFID系统U构成为包括无芯片RFID标签1及标签读取器2。
[0053]无芯片RFID标签1(以下简称为“标签1”)通过对于从外部(在此为标签读取器2)照射的电磁波的反射特性，构成识别信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：基材；以及导体图案层，被形成在所述基材上，具有相互相邻配设的第1及第2缝隙；所述第1缝隙构成在第1频率处具有共振频率的第1共振元件，所述第2缝隙构成在比所述第1频率高的第2频率处具有共振频率的第2共振元件，在被照射了所述电磁波时，在所述第1频率处表现出的共振峰的Q值，比在由所述第1缝隙单独构成该标签的共振构造的情况下在所述第1频率处表现出的共振峰的Q值高。2.一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：基材；以及导体图案层，具有被形成在所述基材上的n(n为3以上的正整数)个缝隙，所述n个缝隙构成具有相互不同的共振频率的n个共振元件，而且，以该共振元件的共振长度依次变短的方式相互相邻配设，在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的第k(k为1至n
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1之中的各整数)个共振元件的共振频率处表现出的共振峰的Q值，比由该第k个共振元件单独构成该标签的共振构造的情况下表现出的共振峰的Q值高。3.如权利要求2所述的标签，通过所述n个共振元件的共振频率之中的除了最大的共振频率以外的n
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1个共振频率，构成所述识别信息。4.如权利要求2或者3所述的标签，在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的所述第k个共振元件的共振频率处表现出的共振峰的Q值，是在由该第k个共振元件单独构成该标签的共振构造的情况下表现出的共振峰的Q值的1.5倍以上。5.如权利要求2至4中任一项所述的标签，在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石渡拓己，高桥伸明，新井贤司，波木井健，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：