【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]本公开涉及半导体器件和制造其的方法，更具体地，涉及包括在垂直于衬底的方向上堆叠的半导体图案的半导体器件和制造其的方法。
技术介绍
[0002]为了满足消费者所要求的优异性能和低廉价格，提高半导体元件的集成度是有利的。在半导体元件的情况下，因为集成度是决定产品价格的重要因素，所以尤其需要提高的密度。
[0003]在常规的二维或平面半导体元件的情况下，集成度主要由例如单位存储单元所占据的区域中的元件密度决定，因此，集成度极大地受到精细图案形成技术的水平影响。然而，因为图案的进一步小型化需要超昂贵的设备，所以二维半导体元件的集成度在提高，但仍然是有限的。因此，已经提出了包括三维布置的半导体图案的半导体元件。
技术实现思路
[0004]提供了具有改善的元件性能和可靠性的半导体器件的一些示例实施方式。
[0005]示例实施方式的方面还提供了制造具有改善的元件性能和可靠性的半导体器件的方法。
[0006]然而，示例实施方式的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的详细说...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并接触所述多个硅化物图案，其中每个所述硅化物图案包括面对所述多个半导体图案中的相应半导体图案的第一侧壁和面对所述多个第一金属导电膜中的相应第一金属导电膜的第二侧壁，所述硅化物图案的所述第一侧壁和所述硅化物图案的所述第二侧壁在所述第一方向上延伸，以及所述硅化物图案的所述第一侧壁和所述硅化物图案的所述第二侧壁是弯曲表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述弯曲表面朝向所述多个半导体图案中的相应半导体图案凸出。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述硅化物图案在第二方向上的宽度是恒定的，以及所述第二方向垂直于所述第一方向。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述硅化物图案在第二方向上的宽度增大然后减小，以及所述第二方向垂直于所述第一方向。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述模制绝缘层包括在所述第一方向上彼此相反的上表面和下表面，以及每个所述硅化物图案不沿着所述模制绝缘层的所述上表面和所述模制绝缘层的所述下表面延伸。6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：电容器电介质膜，在所述第一金属导电膜上；以及第二金属导电膜，在所述电容器电介质膜上。7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：栅电极，在每个所述半导体图案上。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述栅电极包括第一子栅电极和第二子栅电极，以及所述多个半导体图案中的半导体图案在所述第一子栅电极和所述第二子栅电极之间。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述第一金属导电膜完全填充所述多个模制绝缘层中的相邻模制绝缘层之间的空间。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中每个所述模制绝缘层包括在所述第一方向上彼此相反的上表面和下表面，以及每个所述第一金属导电膜包括沿着所述模制绝缘层中的第一模制绝缘层的上表面、所述硅化物图案的所述第二侧壁和所述模制绝缘层中的与所述第一模制绝缘层相邻的第二模制绝缘层的下表面延伸的阻挡导电膜以及填充由所述阻挡导电膜限定的填充凹陷的填充导电膜。11.一种半导体器件，包括：
多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；多个侧延伸孔，由所述多个硅化物图案和所述多个模制绝缘层中的在所述第一方向上彼此相邻的相邻模制绝缘层限定，所述多个侧延伸孔在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及在所述多个侧延伸孔中的多个第一金属导电膜，所述多个第一金属导电膜连接到所述多个硅化物图案，其中每个所述硅化物图案包括面对所述多个半导体图案中的相应半导体图案的第一侧壁和面对所述多个第一金属导电膜中的相应第一金属导电膜的第二侧壁，每个所述侧延伸孔包括由所述相...
【专利技术属性】
技术研发人员：李珍秀，蔡弘植，金润洙，金泰均，曹仑廷，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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