【技术实现步骤摘要】
微电子装置及相关方法和系统
[0001]优先权要求
[0002]本申请案要求2020年9月9日申请的对于“具有由渐进地间隔开的狭缝分离的分层块的微电子装置及相关方法和系统(MICROELECTRONIC DEVICES WITH TIERED BLOCKS SEPARATED BY PROGRESSIVELY SPACED SLITS,AND RELATED METHODS AND SYSTEMS)”的美国专利申请案序列号17/016,039的申请日的权益。
[0003]本公开的实施例涉及微电子装置设计和制造的领域。更确切地说，本公开涉及用于形成具有包含竖直交替的导电结构和绝缘结构的分层堆叠结构的微电子装置(例如，存储器装置，如3D NAND存储器装置)的方法、相关系统以及用于形成此类结构和装置的方法。
技术介绍
[0004]存储器装置提供用于电子系统的数据存储装置。快闪存储器装置是各种存储器装置类型中的一种并且大量用于现代计算机和其它电气装置中。常规的快闪存储器装置可包含具有布置成行和列的大量电荷存储装置(...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括以层次布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列；和一系列狭缝结构，其延伸穿过所述堆叠结构且将所述堆叠结构划分成一系列块，在所述一系列块的渐进部分中，每一块包括：支柱阵列，其延伸穿过所述块的所述堆叠结构；和与所述一系列块的所述渐进部分的相邻块的块宽度不同的块宽度，所述渐进部分中的所述支柱阵列中的至少一个支柱展现弯曲。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一系列块进一步包括所述一系列块的非渐进部分，所述非渐进部分的每一块包括：额外支柱阵列，其延伸穿过所述非渐进部分的所述块的所述堆叠结构；和与所述非渐进部分的相邻块的块宽度大体上相等的块宽度。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一系列块进一步包括所述一系列块的额外渐进部分，所述额外渐进部分的每一块包括：额外支柱阵列，其延伸穿过所述堆叠结构；和与所述一系列块的所述额外渐进部分的相邻块的块宽度不同的块宽度。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述一系列块的所述渐进部分和所述额外渐进部分处于所述堆叠结构的邻近部分的对置横向侧上。5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述邻近部分包括延伸穿过所述堆叠结构的至少一部分的至少一个导电接触件。6.根据权利要求3所述的微电子装置，其中：在所述一系列块的渐进部分中，所述块宽度随着与所述额外渐进部分的横向距离增大而减小；且在所述一系列块的所述额外渐进部分中，所述块宽度随着距所述渐进部分的横向距离增大而减小。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中，对于与所述一系列块的所述渐进部分中的两个块相邻的所述一系列块的所述渐进部分的每一块，所述不同块宽度在块宽度上大于所述两个相邻块中的第一个的量与其在块宽度上小于所述两个相邻块中的第二个的量相等。8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述一系列块的所述渐进部分包括多于十个所述块。9.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述一系列块的所述渐进部分的所述块中的至少一者的所述导电结构在所述块中的所述至少一者的至少上部高程中包括：第一轨道部分，其在所述狭缝结构中的第一者与所述支柱阵列的第一横向侧之间；和第二轨道部分，其在所述狭缝结构中的第二者与所述支柱阵列的第二横向侧之间，所述第二横向侧与所述第一横向侧相对，所述第一轨道部分在横向宽度上不同于所述第二轨道部分。10.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括邻近所述一系列块的所述渐进部分的所述堆叠结构的额外部分，所述额外部分包含所述堆叠结构的边
缘。11.一种形成微电子装置的方法，其包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括以层次布置的绝缘结构和其它结构的竖直交替序列；形成穿过所述堆叠结构的一系列支柱阵列，所述支柱中的至少一些展现弯曲；和形成穿过所述堆叠结构的一系列狭缝开口以将所述堆叠结构划分成一系列块，所述一系列块的渐进部分的所述块各自包括所述一系列支柱阵列中的阵列，且各自包括与所述一系列块的所述渐进部分的至少一个相邻块...
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