有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机发光器件的电子设备制造技术

公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属、或元素周期表的第三行过渡金属，Ln1为双齿配体，n1为0、1、或2，且Ln2为由式1A表示的配体，其中A1、A2、Y1、Y2、R1‑

【技术实现步骤摘要】
[0014][0015]其中，在式1中，
[0016]M1为元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属、或元素周期表的第三行过渡金属，
[0017]Ln1为双齿配体，
[0018]n1为0、1、或2，和
[0019]Ln2为由式1A表示的配体，并且
[0020]在式1A和1
‑
1中，
[0021]A1、A3、和A4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，
[0022]A2为：(i)6元碳环基团或6元杂环基团，或者(ii)包括6元碳环基团的双环或多环C5‑
C
30
碳环基团、或者包括6元碳环基团和6元杂环基团的至少一种的双环或多环C1‑
C
30
杂环基团，
[0023]Y1为C或N，且Y2为C或N，
[0024]R1、R2、和R3各自独立地为由式1
‑
1表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.有机金属化合物，其由式1表示：式1M1(Ln1)
n1
(Ln2)3‑
n1
式1A式1
‑
1其中，在式1中，M1为元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属、或元素周期表的第三行过渡金属，Ln1为双齿配体，n1为0、1、或2，和Ln2为由式1A表示的配体，并且在式1A和1
‑
1中，A1、A3、和A4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，A2为6元碳环基团或6元杂环基团，或者A2为包括6元碳环基团的双环或多环C5‑
C
30
碳环基团或者包括6元碳环基团和6元杂环基团的至少一种的双环或多环C1‑
C
30
杂环基团，Y1为C或N，且Y2为C或N，R1、R2、和R3各自独立地为由式1
‑
1表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C7‑
C
60
芳烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代或未取代的C2‑
C
60
杂芳烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烷基杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q4)(Q5)、
‑
B(Q6)(Q7)、
‑
P(＝O)(Q8)(Q9)、或
‑
P(Q8)(Q9)，
R1、R2、和R3的至少一个为由式1
‑
1表示的基团，R
10
、R
20
、R
30
、和R
40
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C7‑
C
60
芳烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代或未取代的C2‑
C
60
杂芳烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烷基杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q6)(Q7)、
‑
P(＝O)(Q8)(Q9)、或
‑
P(Q8)(Q9)，R
10
、R
20
、R
30
、和R
40
中的至少两个相邻的基团任选地连接在一起以形成取代或未取代的C5‑
C
30
碳环基团或者取代或未取代的C1‑
C
30
杂环基团，b10和b20各自独立地为1
‑
10的整数，b30和b40各自独立地为1
‑
10的整数，当A1为苯基团时，数量为b20的R
20
的至少一个为取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、或
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)，或当A1为苯基团时，R1或R2为由式1
‑
1表示的基团，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，取代的C5‑
C
30
碳环基团、取代的C1‑
C
30
杂环基团、取代的C1‑
C
60
烷基、取代的C2‑
C
60
烯基、取代的C2‑
C
60
炔基、取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的C6‑
C
60
芳基、取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的C7‑
C
60
芳烷基、取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代的C2‑
C
60
杂芳烷基、取代的C2‑
C
60
烷基杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团、和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、或C1‑
C
60
烷氧基；各自被如下的一个或多个取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C1‑
C
60
杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、C2‑
C
60
杂芳烷基、C2‑
C
60
烷基杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
Ge(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
14
)(Q
15
)、
‑
B(Q
16
)(Q
17
)、
‑
P(＝O)(Q
18
)(Q
19
)、或
‑
P(Q
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴范雨，权五炫，VK雷，金炯俊，沈明善，崔炳基，小石川靖，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：