集成电路器件和包括该集成电路器件的电子系统技术方案

提供了集成电路器件和包括其的电子系统。所述集成电路器件可以包括：栅极堆叠件，所述栅极堆叠件在所述衬底上在可以平行于衬底的主表面的第一方向上延伸，所述栅极堆叠件包括在可以垂直于所述衬底的所述主表面的垂直方向上彼此交叠的多个栅电极；沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸穿过所述栅极堆叠件；字线切割开口，所述字线切割开口在所述垂直方向上延伸穿过所述栅极堆叠件并且在所述第一方向上延伸；以及上支撑层，所述上支撑层位于所述栅极堆叠件上，并且包括在所述垂直方向上与所述字线切割开口交叠的孔。所述沟道结构的上表面与所述上支撑层的下表面接触。结构的上表面与所述上支撑层的下表面接触。结构的上表面与所述上支撑层的下表面接触。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件和包括该集成电路器件的电子系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2020年9月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0124070的优先权，通过引用将其公开内容全部并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及集成电路器件和包括该集成电路器件的电子系统，更具体地，涉及包括非易失性垂直存储器件的集成电路器件和包括该非易失性垂直存储器件的电子系统。

技术介绍

[0004]对于性能和制造成本来说，增加集成电路器件的集成度会是有益的。因为二维存储器件的集成度取决于单位存储单元占据的面积，所以其可能受到精细图案形成技术的水平的影响。然而，昂贵的设备可以用于形成精细图案，并且芯片裸片的面积可能受到限制，因此二维存储器件的集成度的增加会受到限制。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些实施例提供了具有优异的电特性的集成电路器件。集成电路器件可以通过这样的方法制造，其中，在垂直存储器件中，可以首先在沟道孔中形成绝缘牺牲层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：衬底；下基体层和上基体层，所述下基体层和所述上基体层顺序地堆叠在所述衬底上；第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件在所述上基体层上在平行于所述衬底的主表面的第一方向上延伸，所述第一栅极堆叠件包括在垂直于所述衬底的所述主表面的第二方向上交替地堆叠的多个第一栅电极和多个第一绝缘层；第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件在所述第一栅极堆叠件上在所述第一方向上延伸，并且包括在所述第二方向上交替地堆叠的多个第二栅电极和多个第二绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在所述第二方向上延伸穿过所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件；字线切割开口，所述字线切割开口在所述第二方向上延伸穿过所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件，并在所述第一方向上延伸；上支撑层，所述上支撑层位于所述第二栅极堆叠件上，并且包括多个孔，所述多个孔中的每个孔在所述第二方向上与所述字线切割开口交叠并且包括位于所述第二栅极堆叠件中的一部分；以及绝缘结构，所述绝缘结构位于所述字线切割开口和所述多个孔中，其中，所述沟道结构的上表面与所述上支撑层的下表面接触，并且所述沟道结构的所述上表面高于所述多个孔的各自的最下端。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述沟道结构包括：掩埋绝缘层；沟道层和栅极绝缘层，所述沟道层和所述栅极绝缘层顺序地堆叠在所述掩埋绝缘层的侧壁上；以及导电插塞，所述导电插塞位于所述掩埋绝缘层上，其中，所述导电插塞的上表面与所述上支撑层的所述下表面接触。3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述绝缘结构包括：第一绝缘结构，所述第一绝缘结构位于所述字线切割开口中；以及多个第二绝缘结构，所述多个第二绝缘结构分别位于所述多个孔中，其中，每个所述第二绝缘结构的下表面接触所述第一绝缘结构的上表面并横向地向外突出超过所述第一绝缘结构的所述上表面，并且其中，相对于所述衬底，每个所述第二绝缘结构的所述下表面低于所述导电插塞的所述上表面。4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述绝缘结构包括：绝缘间隔物，所述绝缘间隔物在所述字线切割开口和所述多个孔的侧壁和底表面上延伸，并限定空间；以及绝缘掩埋层，所述绝缘掩埋层位于所述空间中。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述字线切割开口包括与所述多个孔交叠的第一部分和被所述上支撑层覆盖的第二部分，并且所述多个孔沿着所述字线切割开口在所述第一方向上以均匀的距离彼此间隔开。6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述多个孔各自在第三方向上的最窄宽
度大于所述字线切割开口在所述第三方向上的最宽宽度，并且所述第三方向平行于所述衬底的所述主表面并且垂直于所述第一方向。7.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述沟道结构延伸穿过所述上基体层和所述下基体层并且接触所述衬底，并且所述沟道层接触所述下基体层。8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述下基体层包括接触所述沟道层的突起，并且其中，相对于所述衬底，所述突起的上表面高于所述下基体层的上表面，并且相对于所述衬底，所述突起的下表面低于所述下基体层的下表面。9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述字线切割开口延伸穿过所述上基体层和所述下基体层，所述字线切割开口包括下扩展部分和上扩展部分，所述下扩展部分横向地突出到所述下基体层中，所述上扩展部分横向地突出到所述上基体层中，其中，所述下扩展部分在第三方向上的最宽宽度大于所述上扩展部分在所述第三方向上的最宽宽度，并且所述第三方向平行于所述衬底的所述主表面并且垂直于所述第一方向。10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述下扩展部分在所述第二方向上的高度大于所述上扩展部分在所述第二方向上的高度。11.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：栅极堆叠件，所述栅极堆叠件在所述衬底上在平行于衬底的主表面的第一方向上延伸，并且包括在垂直于所述衬底的所述主表面的垂直方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋炫周，李海旻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：