一种红光LED组件、显示面板及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种红光LED芯片、显示面板及制备方法。红光LED芯片组件包括绝缘基板以及设置在该绝缘基板上的多颗红光LED芯片。红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接。在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再采用激光分解BCB胶层，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升红光LED芯片的品质。而且，避免了激光分解BCB胶层不彻底，从而导致的红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。一步增强了红光LED芯片的品质。一步增强了红光LED芯片的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种红光LED组件、显示面板及制备方法


[0001]本专利技术涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)
，尤其涉及一种红光LED芯片组件、显示面板及制备方法。

技术介绍

[0002]目前，LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的，制备完成后，需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言，成熟简单。但对于红光LED芯片而言，因为其制备过程中在生长基板上形成红光外延层以及ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)层后，实际上是通过BCB(Benzocyclobutene，苯并环丁烯)胶粘接转移至蓝宝石衬底上的，因此剥离蓝宝石衬底实际上就是分解BCB胶层。不过BCB胶对激光的吸收较差，所以该过程往往需要较高的激光能量，但激光能量会损伤ITO层。为了防止红光LED芯片损坏，就需要增加ITO层的厚度，而ITO层的厚度增加也会导致其内应力增大，进而使得设置在ITO层上的电极容易脱落，影响红光LED芯片的可靠性，降低红光LED芯片的品质。
[0003]因此，如何提升红光LED芯片的品质目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种红光LED芯片、显示面板及制备方法，旨在解决相关技术中红光LED芯片可靠性不高的问题。
[0005]本申请提供一种红光LED芯片组件，包括：
[0006]绝缘基板；<br/>[0007]设置在绝缘基板上的多颗红光LED芯片；以及
[0008]用于粘接绝缘基板与红光LED芯片的热释放胶层；
[0009]红光LED芯片包括与热释放胶层接触的电流扩展层，位于电流扩展层上的红光外延层以及分别与红光外延层中两个半导体层电连接的电极；热释放胶层用于在将红光外延层自生长基板转移至绝缘基板的过程中实现电流扩展层与绝缘基板的结合。
[0010]上述红光LED芯片组件中包括绝缘基板以及设置在该绝缘基板上的多颗红光LED芯片。这些红光LED芯片在制备过程中，通过电流扩展层与热释放胶层的结合将红光外延层与电流扩展层转移至绝缘基板上，所以，在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再用到激光剥离，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，可以不必增加电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了激光分解BCB胶层不彻底而导致的红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。
[0011]可选地，红光LED芯片组件还包括包覆红光LED芯片的绝缘保护层，红光LED芯片的电极的部分区域外露于绝缘保护层。
[0012]上述红光LED芯片组件中，红光LED芯片被绝缘保护层包覆，但保证电极的部分区域外露以便和外部电路形成电连接。绝缘保护层不仅能隔绝外接电气结构对红光LED芯片红光外延层、电流扩展层的电气影响，对红光LED芯片进行电气保护；同时，也能对红光LED芯片形成物理保护，避免红光LED芯片因外界冲击而受损的情况发生，有利于提升红光LED芯片的可靠性。
[0013]可选地，绝缘保护层包覆热释放胶层的侧面，并与绝缘基板接触。
[0014]上述红光LED芯片组件中，绝缘保护层包覆了热释放胶层的侧面，且与绝缘基板接触，但因为热释放胶层的占位，使得绝缘保护层在热释放胶层所在的平面上并不会形成结实的层结构，而只能在热释放胶层侧面形成“弱化结构”，当热释放胶层失效后，通过对绝缘基板向着红光LED芯片一侧进行简单的按压，就能使得热释放胶层侧面的绝缘保护层断裂，从而使得绝缘基板脱离红光LED芯片。
[0015]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种红光LED芯片组件制备方法，包括：
[0016]提供一生长基板，以及形成于生长基板表面上的红光外延层；
[0017]在红光外延层上设置一电流扩展层；
[0018]透过一热释放胶层将电流扩展层与一绝缘基板粘合；
[0019]去除生长基板，以实现红光外延层从生长基板转移至绝缘基板；
[0020]在红光外延层上设置电极，以形成包括红光LED芯片的红光LED芯片组件。
[0021]上述红光LED芯片组件制备方法，在置于生长基板表面的红光外延层上设置一电流扩展层，然后采用热释放胶层将电流扩展层与绝缘基板结合在一起，并去除生长基板，以将红光外延层从生长基板转移至绝缘基板，并在绝缘基板上的红光外延层上设置电极。在红光LED芯片在制备过程中，通过电流扩展层与热释放胶层的结合被粘接转移至绝缘基板上，所以，红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接。在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再进行激光剥离，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了分离激光分解BCB胶层不彻底，从而在红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。
[0022]可选地，在红光外延层上设置电极之前还包括：
[0023]在红光外延层上分别设置包覆红光外延层的绝缘保护层，绝缘保护层与热释放胶层一起对红光外延层与电流扩展层形成包裹；
[0024]图案化绝缘保护层以外露出电极设置区；
[0025]或，
[0026]在红光外延层上设置电极之后还包括：
[0027]形成包覆红光LED芯片的绝缘保护层，红光LED芯片的电极的部分区域外露于绝缘保护层。
[0028]可选地，透过一热释放胶层将电流扩展层与绝缘基板粘合的步骤包括以下几种中的任意一种：
[0029]方式一：
[0030]在电流扩展层上设置热释放胶层；
[0031]透过热释放胶层将绝缘基板粘接在电流扩展层上；
[0032]方式二：
[0033]在绝缘基板上设置热释放胶层；
[0034]采用热释放胶层远离绝缘基板的一面粘接电流扩展层；
[0035]方式三：
[0036]在电流扩展层上设置第一热释放胶层，并在绝缘基板上设置第二热释放胶层；
[0037]粘接第一热释放胶层与第二热释放胶层。
[0038]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种红光LED芯片制备方法，包括：
[0039]采用上述任一项的红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件；
[0040]升温至热释放胶层受热失效后分离绝缘基板与红光LED芯片。
[0041]上述红光LED芯片制备方法，在由于红光LED芯片的红光外延层通过电流扩展层与热释放胶层的结合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光LED芯片组件，其特征在于，包括：绝缘基板；设置在所述绝缘基板上的多颗红光LED芯片；以及用于粘接所述绝缘基板与所述红光LED芯片的热释放胶层；所述红光LED芯片包括与所述热释放胶层接触的电流扩展层，位于所述电流扩展层上的红光外延层以及分别与所述红光外延层中两个半导体层电连接的电极；所述热释放胶层用于在将所述红光外延层自生长基板转移至所述绝缘基板的过程中实现所述电流扩展层与所述绝缘基板的结合。2.如权利要求1所述的红光LED芯片组件，其特征在于，所述红光LED芯片组件还包括包覆所述红光LED芯片的绝缘保护层，所述红光LED芯片的电极的部分区域外露于所述绝缘保护层。3.如权利要求2所述的红光LED芯片组件，其特征在于，所述绝缘保护层包覆所述热释放胶层的侧面，并与所述绝缘基板接触。4.一种红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，包括：提供一生长基板，以及形成于所述生长基板表面的红光外延层；在所述红光外延层上设置一电流扩展层；透过一热释放胶层将所述电流扩展层与一绝缘基板粘合；去除所述生长基板，以实现所述红光外延层从所述生长基板转移至所述绝缘基板；在所述红光外延层上设置电极，以形成包括红光LED芯片的红光LED芯片组件。5.如权利要求4所述的红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述在所述红光外延层上设置电极之前还包括：在所述红光外延层上设置包覆所述红光外延层的绝缘保护层，所述绝缘保护层与所述热释放胶层一起对所述红光外延层与所述电流扩展层形成包裹；图案化所述绝缘保护层以外露出电极设置区；或，所述在所述红光外延层上设置电极之后还包括：形成包覆所述红光LED芯片的绝缘保护层，所述红光LED芯片的电极的部分区域外露于所述绝缘保护层。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：