用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法技术

该发明专利技术公开了一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，包括提供半导体样片，所述半导体样片包括层叠设置的牺牲层、支撑层和贯穿所述牺牲层和所述支撑层以暴露底部金属层表面凹坑的凹槽；将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层；于去除所述牺牲层后的半导体样片的表面黏贴胶带；将所述胶带撕除以去除所述凹坑上方的所述支撑层，裸露出所述凹坑。所述制备方法方法简单，且大大减小了用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备时间。制备时间。制备时间。

【技术实现步骤摘要】
用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体制程中深沟刻蚀为一关键性制程,高深宽比导致刻蚀均匀性不佳，为了精准调整到适当刻蚀参数，大范围的刻蚀结果检验提供了非常重要的依据,刻蚀若到位会于刻蚀底部结构显现出凹坑。由此通过观测刻蚀凹坑的形貌，并根据对观测结果进行分析并调节刻蚀参数，从而能够使得深沟刻蚀均匀性更好，刻蚀效果更佳。
[0003]现有技术中通常采用扫描电镜(SEM)对刻蚀后的半导体样品进行观察，由于扫描电镜观察设备的限制，对用于扫描电镜观测的样品的厚度具有一定的要求，也为了观测更加清楚需对刻蚀后的半导体样品进行处理以制备适用于扫描电镜观察的半导体样品，传统的扫描电镜的样品制备通常采用研磨技术将多余的例如凹坑上方的部分结构研磨掉，其方式为从上至下不断研磨并进入扫描电镜反复观察，避免研磨位置准确或者研磨过度，因而需要大量时间导致扫描电镜凹坑样品制备工艺复杂且效率低。

技术实现思路
r/>[0004]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体样片，所述半导体样片包括层叠设置的牺牲层、支撑层和贯穿所述牺牲层和所述支撑层以暴露底部金属层表面凹坑的凹槽；将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层；于去除所述牺牲层后的半导体样片的表面黏贴胶带；将所述胶带撕除以去除所述凹坑上方的所述支撑层，裸露出所述凹坑。2.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液和硝酸溶液中的至少一种。3.根据权利要求2所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液的浓度为40％-55％。4.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，在将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层的步骤中，所述半导体样片的浸泡时间为20s-40s。5.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，在将所述半导体样片置于刻蚀溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明德，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：