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该发明公开了一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，包括提供半导体样片，所述半导体样片包括层叠设置的牺牲层、支撑层和贯穿所述牺牲层和所述支撑层以暴露底部金属层表面凹坑的凹槽；将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层；于去...
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