一种新型结构的大功率UVLED封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型结构的大功率UVLED封装结构，包括氮化铝陶瓷支架、紫外芯片与透镜，所述透镜扣合安装在氮化铝陶瓷支架与紫外芯片的上部，所述紫外芯片安装在氮化铝陶瓷支架的内部。通过氮化铝陶瓷支架、有机硅胶粘接槽与挡圈等结构的设计，区别于现有技术中的安装结构，透镜的底部安装在有机硅胶粘接槽中，此时挡圈贴合于透镜底部的内侧壁，则挡圈起到了对有机硅胶粘接槽的遮挡作用；设置为沟状槽的有机硅胶粘接槽能有效遮档一部分紫外线光对胶水的照射，在沟的底部区域甚至照射不到，则有机硅胶粘接槽与透镜的连接位置也不会被胶水照射，这样能让胶水避免受到紫外光的分解，达到长期稳定的状态。达到长期稳定的状态。达到长期稳定的状态。

【技术实现步骤摘要】
一种新型结构的大功率UVLED封装结构


[0001]本技术涉及UVLED封装结构
，具体为一种新型结构的大功率UVLED封装结构。

技术介绍

[0002]现有技术中是在二极管芯片基板的内侧做台阶，再涂覆胶水，再将透镜放置在台阶上，加热烘烤使胶水固化，达到透镜与芯片基板粘接的目的，如图1所示，现有方法缺陷是：涂覆在台阶上的胶水会直接受到芯片发出来的紫外线光的照射；此胶水大多选用的是有机硅胶，在长时间使用过程中会受到紫外线光的分解，同时紫外线光产生的高温会加速胶水的硬化，玻璃化，使粘接力下降甚到失效，导致长时间工作后透镜会脱落，因此我们需要提出一种新型结构的大功率UVLED封装结构。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种新型结构的大功率UVLED封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种新型结构的大功率UVLED封装结构，包括氮化铝陶瓷支架、紫外芯片与透镜，所述透镜扣合安装在氮化铝陶瓷支架与紫外芯片的上部，所述紫外芯片安装在氮化铝陶瓷支架的内部，所述氮化铝陶瓷支架上电性连接有金线与齐纳二极管，所述齐纳二极管通过金线电性连接于紫外芯片；
[0005]所述氮化铝陶瓷支架的内底部开设有圆形的有机硅胶粘接槽，所述氮化铝陶瓷支架位于有机硅胶粘接槽内侧的部分形成挡圈，所述有机硅胶粘接槽中设置有有机硅胶，所述透镜的底部通过有机硅胶粘接在有机硅胶粘接槽中。
[0006]优选的，所述氮化铝陶瓷支架的上部固定连接有支架凸台，所述支架凸台上开设有圆形孔，所述圆形孔与挡圈呈对齐设置。
[0007]优选的，所述氮化铝陶瓷支架的内底部设置有芯片基板，所述齐纳二极管与紫外芯片通过芯片基板安装在氮化铝陶瓷支架的内底部。
[0008]优选的，所述挡圈位于芯片基板的外部，所述挡圈贴合于透镜底部的内侧壁。
[0009]优选的，所述透镜的底部与有机硅胶粘接槽之间设置为间隙配合。
[0010]优选的，所述有机硅胶的宽度大于有机硅胶粘接槽的槽宽，所述有机硅胶粘接槽设置为圆形的沟状槽。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]通过氮化铝陶瓷支架、有机硅胶粘接槽与挡圈等结构的设计，区别于现有技术中的安装结构，透镜的底部安装在有机硅胶粘接槽中，此时挡圈贴合于透镜底部的内侧壁，则挡圈起到了对有机硅胶粘接槽的遮挡作用；设置为沟状槽的有机硅胶粘接槽能有效遮档一部分紫外线光对胶水的照射，在沟的底部区域甚至照射不到，则有机硅胶粘接槽与透镜的连接位置也不会被胶水照射，这样能让胶水避免受到紫外光的分解。达到长期稳定的状态。
[0013]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0014]图1为现有技术的结构示意图；
[0015]图2为本技术的拆分结构示意图；
[0016]图3为本技术氮化铝陶瓷支架的俯视结构示意图；
[0017]图4为本技术的正面结构示意图。
[0018]图中：1、氮化铝陶瓷支架；2、支架凸台；3、有机硅胶粘接槽；4、金线；5、齐纳二极管；6、紫外芯片；7、有机硅胶；8、透镜；9、挡圈；10、芯片基板。
具体实施方式
[0019]在不同附图中以相同标号来标示相同或类似组件；另外请了解文中诸如“第一”、“第二”、“第三”、“上”、“下”、“前”、“后”、“内”、“外”、“端”、“部”、“段”、“宽度”、“厚度”、“区”等等及类似用语仅便于看图者参考图中构造以及仅用于帮助描述本技术而已，并非是对本技术的限定。
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：
[0022]一种新型结构的大功率UVLED封装结构，包括氮化铝陶瓷支架1、紫外芯片6与透镜8，所述透镜8扣合安装在氮化铝陶瓷支架1与紫外芯片6的上部，所述紫外芯片6安装在氮化铝陶瓷支架1的内部，所述氮化铝陶瓷支架1上电性连接有金线4与齐纳二极管5，所述齐纳二极管5通过金线4电性连接于紫外芯片6，通过设置齐纳二极管5可起到对紫外芯片6的保护作用，防止紫外芯片6被静电击穿；
[0023]所述氮化铝陶瓷支架1的内底部开设有圆形的有机硅胶粘接槽3，所述氮化铝陶瓷支架1位于有机硅胶粘接槽3内侧的部分形成挡圈9，所述有机硅胶粘接槽3中设置有有机硅胶7，所述透镜8的底部通过有机硅胶7粘接在有机硅胶粘接槽3中。
[0024]所述氮化铝陶瓷支架1的上部固定连接有支架凸台2，所述支架凸台2上开设有圆形孔，所述圆形孔与挡圈9呈对齐设置，实际的安装过程中，透镜8扣合安装氮化铝陶瓷支架1上后，支架凸台2套设在透镜8的外部。
[0025]所述氮化铝陶瓷支架1的内底部设置有芯片基板10，所述齐纳二极管5与紫外芯片6通过芯片基板10安装在氮化铝陶瓷支架1的内底部；所述挡圈9位于芯片基板10的外部，所述挡圈9贴合于透镜8底部的内侧壁。
[0026]所述透镜8的底部与有机硅胶粘接槽3之间设置为间隙配合，设置为间隙配合的透镜8的底部与有机硅胶粘接槽3方便两者之间有机硅胶7的设置；所述有机硅胶7的宽度大于有机硅胶粘接槽3的槽宽，所述有机硅胶粘接槽3设置为圆形的沟状槽。
[0027]在实际的加工过程中，本封装结构首先是将预制可延展的伐合金环用冷压的方式，将透镜8挤到可伐合金环内，合金环一半的深度卡住透镜8，一半预留出来准备与氮化铝陶瓷支架1的有机硅胶粘接槽3结合；然后采用陶瓷板的DPC工艺，多次电镀出一个与可伐合金相对应的圆形沟状槽；最后在陶瓷板的沟状槽(有机硅胶粘接槽3)内注入小量有机硅胶(有机硅胶7)，再将加了合金环的透镜8置入沟状槽内，再进行烘烤固化。
[0028]通过氮化铝陶瓷支架1、有机硅胶粘接槽3与挡圈9等结构的设计，区别于现有技术中的安装结构，透镜8的底部安装在有机硅胶粘接槽3中，此时挡圈9贴合于透镜8底部的内侧壁，则挡圈9起到了对有机硅胶粘接槽3的遮挡作用；设置为沟状槽的有机硅胶粘接槽3能有效遮档一部分紫外线光对胶水的照射，在沟的底部区域甚至照射不到，则有机硅胶粘接槽3与透镜8的连接位置也不会被胶水照射，这样能让胶水避免受到紫外光的分解。达到长期稳定的状态。
[0029]本申请文件UVLED的控制方式是通过控制器来自动控制，控制器的控制电路通过本领域的技术人员简单编程即可实现，属于本领域的公知常识，并且本申请文件主要用来保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型结构的大功率UVLED封装结构，包括氮化铝陶瓷支架(1)、紫外芯片(6)与透镜(8)，所述透镜(8)扣合安装在氮化铝陶瓷支架(1)与紫外芯片(6)的上部，其特征在于：所述紫外芯片(6)安装在氮化铝陶瓷支架(1)的内部，所述氮化铝陶瓷支架(1)上电性连接有金线(4)与齐纳二极管(5)，所述齐纳二极管(5)通过金线(4)电性连接于紫外芯片(6)；所述氮化铝陶瓷支架(1)的内底部开设有圆形的有机硅胶粘接槽(3)，所述氮化铝陶瓷支架(1)位于有机硅胶粘接槽(3)内侧的部分形成挡圈(9)，所述有机硅胶粘接槽(3)中设置有有机硅胶(7)，所述透镜(8)的底部通过有机硅胶(7)粘接在有机硅胶粘接槽(3)中。2.根据权利要求1所述的一种新型结构的大功率UVLED封装结构，其特征在于：所述氮化铝陶瓷支架(1)的上部固定连接有支架凸台(2)，所述支架凸台(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王巍，罗磊，潘松，
申请(专利权)人：东莞市鸿日电子有限公司，
类型：新型
国别省市：