屏蔽装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种屏蔽装置及其制备方法，装置包括底座(1)、侧壁(2)和上盖(3)，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)均由高原子序数层(4)和低原子序数层(5)交替层叠形成。本发明专利技术能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。明能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。明能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽装置及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种屏蔽装置及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子器件飞速的向着小型化、高度集成化发展以及器件输出功率的不断增加，对封装器件所用的陶瓷管壳的导热性能也提出了更高的要求。氧化铝陶瓷基板作为比较成熟的封装互联产品，其具备优秀的热导率，一般在30W/mK左右。但是，针对于高功率高集成的器件，其热导率仍不能满足使用需求。对此，一些技术中尝试采用氧化铝陶瓷加钨铜底座等方式来改进封装的散热性能。这种方式虽然也能取得一些积极效果，但是，其产品结构相当于是在陶瓷的基础上又增加了金属底座，因此会严重增加器件体积，不利于器件向着小体积方向发展的趋势。同时，铜基材料与硅基芯片热膨胀系数匹配相差较大，因此在器件发热量加大时也会影响到芯片的可靠性。
[0003]另外，在宇航应用中对器件的抗辐照指标有着严格的要求，因此抗辐照封装加固技术一直是宇航应用的难点。现有技术中，对电子元器件抗辐射加固技术的研究包括了从材料的选择到器件内部的元件结构、制作工艺、电路设计以及屏蔽封装等一系列工艺。而利用封装进行辐照加固技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽装置，包括底座(1)、侧壁(2)和上盖(3)，其特征在于，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)均由高原子序数层(4)和低原子序数层(5)交替层叠形成。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，形成所述底座(1)的低原子序数层(5)设有通孔和导电层；所述通孔中填充有导电物，所述导电物和所述导电层的材质均为钨；所述导电层的厚度为0.01
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20μm。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述底座(1)的相对两个面上设有焊盘(6)；所述底座(1)上还镀制有镍层、金层。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)通过焊接组装；所述底座(1)和所述侧壁(2)之间的焊料为银铜，所述上盖(3)和所述侧壁(2)之间的焊料为金锡。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高原子序数层(4)的材质为钨，所述低原子序数层(5)的材质为氮化铝。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)中分别具备8
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40对高原子序数层(4)和低原子序数层(5)。7.一种用于制备权利要求1
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6中任一项所述的屏蔽装置的方法，包括以下步骤：a、制备低原子序数层(5)，并在低原子序数层(5)上形成高原子序数层(4)；b、利用制...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐林江，孙晓峰，李炎，李辉耀，彭聪辉，陈滔，飞景明，刘硕，隋淞印，万成安，张明华，陈雅容，张彬彬，
申请(专利权)人：北京卫星制造厂有限公司，
类型：发明
国别省市：