本发明专利技术公开了一种输出隔离MOS管防倒灌控制电路，属于航天器二次电源技术领域。该电路包括控制控电电源U1、电阻R1～R3、二极管D1～D2、三极管Q1～Q2、电容C0、MOS管M1，通过采样MOS管M1两端电压，在MOS管的源极S电压低于漏极D电压时，MOS管M1截止，从而防止未发生故障的二次电源输出反灌入故障二次电源，保护二次电源并联后的输出电压正常工作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种输出隔离mos管防倒灌控制电路，属于航天器二次电源。
技术介绍
1、航天器二次电源是为航天器电子单机提供各种供电的重要设备，由于宇航高可靠要求，二次电源的输出多采用主备冗余设计，因此二次电源主备份的输出需要进行主备隔离设计，当二次电源输出电流较小时，可采用二极管隔离的形式，这种隔离形式简单可靠，缺点是产生的热耗较大，不适用于大电流隔离电路。由于功率mos管的导通电阻较小，因此，为了减小单机热耗，提升变换效率，针对输出电流较大的情况，较多的采用功率mos管进行输出隔离。另外，随着航天器平台和载荷功能的不断增强，对供电功率需求也不断提高，二次电源采用多台并联的形式实现大功率输出需求，因此，在输出电流较大时，并联输出的隔离管采用mos管实现，以减小单机的热耗。
2、采用mos管作为输出隔离管时，存在某个二次电源内部发生输出短路失效时，故障二次电源的隔离mos管不能及时关闭，导致并联捏合后的输出电压倒灌至故障模块，从而引起输出母线电源发生掉电，影响后级电子设备的正常工作。严重时，会引起航天器的任务执行。
>3、经检索国内外相本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种输出隔离MOS管防倒灌控制电路，其特征在于，包括控制控电电源U1、电阻R1～R3、二极管D1～D2、三极管Q1～Q2、电容C0、MOS管M1；
2.根据权利要求1所述的一种输出隔离MOS管防倒灌控制电路，其特征在于，电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2、二极管D1和二极管D2组成电流镜电路，采样隔离MOS管M1源极和漏极之间的电压。
3.根据权利要求1所述的一种输出隔离MOS管防倒灌控制电路，其特征在于，电阻R1、电阻R3和二次电源的输出滤波电容组成MOS管M1的驱动电路。
4.根据权利要求1所述的一种输出隔离MOS管防倒灌控制电路，其特...
【技术特征摘要】
1.一种输出隔离mos管防倒灌控制电路，其特征在于，包括控制控电电源u1、电阻r1～r3、二极管d1～d2、三极管q1～q2、电容c0、mos管m1；
2.根据权利要求1所述的一种输出隔离mos管防倒灌控制电路，其特征在于，电阻r1、电阻r2、三极管q1、三极管q2、二极管d1和二极管d2组成电流镜电路，采样隔离mos管m1源极和漏极之间的电压。
3.根据权利要求1所述的一种输出隔离mos管防倒灌控制电路，其特征在于，电阻r1、电阻r3和二次电源的输出滤波电容组成mos管m1的驱动电路。
4.根据权利要求1所述的一种输出隔离mos管防倒灌控制电路，其特征在于，mos管m1的栅极驱动电压大于7v以上。
5.根据权利要求1所述的一种输出隔离mos管防倒灌控制电路，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢鹏飞，郭晓峰，刘密，朱建龙，樊泽凯，谢丹阳，赵闯，杨冬平，纪明明，
申请(专利权)人：北京卫星制造厂有限公司，
类型：发明
国别省市：
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