硅棒切割方法技术

本发明专利技术公开了一种硅棒切割方法，包括如下步骤：将硅棒切割出横截面宽为b的第一硅块、横截面长为a的第二硅块、横截面长为b的第三硅块；再将第一硅块截断出长为a的第一小硅块、将第二硅块截断出长为b的第二小硅块、将第三硅块截断出长为a的第三小硅块；再将第一小硅块、第二小硅块、第三小硅块切片出长为a、宽为b的长方形硅片。本发明专利技术能将硅棒切割出长方形硅片，可以直接切割出半片或小片硅片，还可以直接切割出四角为倒角的半片或小片硅片，还能提高硅棒的利用率。高硅棒的利用率。

【技术实现步骤摘要】
硅棒切割方法


[0001]本专利技术涉及光伏领域，具体涉及一种硅棒切割方法。

技术介绍

[0002]随着太阳能组件技术的发展，半片技术已经成为组件的主流技术，并且随着对组件功率要求的进一步提高，多分片也将成为发展方向。目前组件的半片电池或者小片电池，是由成品电池整片切割而成，如将电池整片（方片或准方片）等分切割成两个或两个以上的小片电池。例如半片组件使用的半片电池，叠瓦组件或者拼片组件使用的五分之一或者六分之一电池。目前一般采用激光来对电池整片进行划片，在激光划片过程中，不可避免地对电池片带来局部热冲击损伤，激光划片完成后还需要对电池片进行裂片，裂片过程会产生额外的机械损伤，且裂片产生的横断面是裸露的界面，使得小片电池在横断面上有较多的缺陷态，这些缺陷态没有得到任何的钝化，导致横断面少子复合严重，小片电池的转换效率损失0.1个百分点以上，而随着太阳电池的技术不断进步，特别是TOPCon电池和HJT电池技术的发展，电池效率不断提高，损失的转换效率分别可接近甚至超过0.2个百分点和0.4个百分点。
[0003]直接将硅片制作成半片或者是小片，再制作成电池，将是解决以上问题的重要解决方法。目前主流的获得半片或小片硅片的方式是由整片（方片或准方片）硅片激光分片，但是该方式增加了工序，并且激光分片也会产生额外的硅片不良，因此并不是优选的方案。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硅棒切割方法，包括如下步骤：将硅棒切割出：与硅棒同向延伸的多个长方体硅块；使各硅块的横截面为长方形，该横截面垂直于硅棒延伸方向；使各硅块的横截面的长度方向相互平行；该多个硅块包括：位于硅棒中心的第一硅块，分设于第一硅块两侧的一对第二硅块，分设于该对第二硅块两侧的一对第三硅块；使第一硅块的横截面的宽为b；使第二硅块的横截面的长为a；使第三硅块的横截面的长为b；将第一硅块截断出：与第一硅块同向延伸的第一小硅块；使第一小硅块在第一硅块延伸方向上的长为a；第一小硅块具有长为a、宽为b的第一侧面；将第一小硅块切片，切片方向平行于第一侧面，得到长为a、宽为b的长方形硅片；将第二硅块截断出：与第二硅块同向延伸的第二小硅块；使第二小硅块在第二硅块延伸方向上的长为b；第二小硅块具有长为a、宽为b的第二侧面；将第二小硅块切片，切片方向平行于第二侧面，得到长为a、宽为b的长方形硅片；将第三硅块截断出：与第三硅块同向延伸的第三小硅块；使第三小硅块在第三硅块延伸方向上的长为a；第三小硅块具有长为a、宽为b的第三侧面；将第三小硅块切片，切片方向平行于第三侧面，得到长为a、宽为b的长方形硅片。
[0005]优选的，第一小硅块切片之前，先对第一小硅块上与第一侧面垂直的四个边进行
倒角处理；再将倒角处理后的第一小硅块切片，切片方向平行于第一侧面，得到长为a、宽为b且四角为倒角的长方形硅片。
[0006]优选的，第二小硅块切片之前，先对第二小硅块上与第二侧面垂直的四个边进行倒角处理；再将倒角处理后的第二小硅块切片，切片方向平行于第二侧面，得到长为a、宽为b且四角为倒角的长方形硅片。
[0007]优选的，第三小硅块切片之前，先对第三小硅块上与第三侧面垂直的四个边进行倒角处理；再将倒角处理后的第三小硅块切片，切片方向平行于第三侧面，得到长为a、宽为b且四角为倒角的长方形硅片。
[0008]优选的，硅棒为单晶硅圆棒。
[0009]优选的，使a为b的整数倍。
[0010]优选的，使a为b的2倍、3倍、4倍、5倍或6倍。
[0011]优选的，使硅棒的长为a的整数倍。
[0012]本专利技术的优点和有益效果在于：提供一种硅棒切割方法，其能将硅棒切割出长方形硅片，可以直接切割出半片或小片硅片，还可以直接切割出四角为倒角的半片或小片硅片，还能提高硅棒的利用率。
[0013]若使a为b的2倍，则本专利技术可以直接切割出半片硅片（半片的宽为长的一半）。
[0014]若使a为b的n倍（n为大于2的整数），则本专利技术可以直接切割出小片硅片（小片的宽为长的n分之一，如小片的宽为长的三分之一、四分之一、五分之一、六分之一）。
[0015]若对小硅块切片之前，先对小硅块进行倒角处理，则本专利技术可以直接切割出四角为倒角的半片或小片硅片。
[0016]本专利技术先将硅棒切割出第一硅块、第二硅块、第三硅块，再将第一硅块、第二硅块、第三硅块切割出相同尺寸的长方形硅片，增加了硅棒的利用率。
具体实施方式
[0017]下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0018]本专利技术具体实施的技术方案如下：实施例1一种硅棒切割方法，硅棒为单晶硅圆棒，硅棒的长为a的整数倍，包括如下步骤：将硅棒切割出：与硅棒同向延伸的多个长方体硅块；使各硅块的横截面为长方形，该横截面垂直于硅棒延伸方向；使各硅块的横截面的长度方向相互平行；该多个硅块包括：位于硅棒中心的第一硅块，分设于第一硅块两侧的一对第二硅块，分设于该对第二硅块两侧的一对第三硅块；使第一硅块的横截面的宽为b；使第二硅块的横截面的长为a；使第三硅块的横截面的长为b；a为b的2倍；将第一硅块截断出：与第一硅块同向延伸的第一小硅块；使第一小硅块在第一硅块延伸方向上的长为a；第一小硅块具有长为a、宽为b的第一侧面；将第一小硅块切片，切片方向平行于第一侧面，得到长为a、宽为b的长方形半片硅片；将第二硅块截断出：与第二硅块同向延伸的第二小硅块；使第二小硅块在第二硅块延伸方向上的长为b；第二小硅块具有长为a、宽为b的第二侧面；将第二小硅块切片，切片
方向平行于第二侧面，得到长为a、宽为b的长方形半片硅片；将第三硅块截断出：与第三硅块同向延伸的第三小硅块；使第三小硅块在第三硅块延伸方向上的长为a；第三小硅块具有长为a、宽为b的第三侧面；将第三小硅块切片，切片方向平行于第三侧面，得到长为a、宽为b的长方形半片硅片。
[0019]实施例2一种硅棒切割方法，硅棒为单晶硅圆棒，硅棒的长为a的整数倍，包括如下步骤：将硅棒切割出：与硅棒同向延伸的多个长方体硅块；使各硅块的横截面为长方形，该横截面垂直于硅棒延伸方向；使各硅块的横截面的长度方向相互平行；该多个硅块包括：位于硅棒中心的第一硅块，分设于第一硅块两侧的一对第二硅块，分设于该对第二硅块两侧的一对第三硅块；使第一硅块的横截面的宽为b；使第二硅块的横截面的长为a；使第三硅块的横截面的长为b；a为b的3倍、4倍、5倍或6倍；将第一硅块截断出：与第一硅块同向延伸的第一小硅块；使第一小硅块在第一硅块延伸方向上的长为a；第一小硅块具有长为a、宽为b的第一侧面；将第一小硅块切片，切片方向平行于第一侧面，得到长为a、宽为b的长方形小片硅片；将第二硅块截断出：与第二硅块同向延伸的第二小硅块；使第二小硅块在第二硅块延伸方向上的长为b；第二小硅块具有长为a、宽为b的第二侧面；将第二小硅块切片，切片方向平行于第二侧面，得到长为a、宽为b的长方形小片硅片；将第三硅块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅棒切割方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅棒切割出：与硅棒同向延伸的多个长方体硅块；使各硅块的横截面为长方形，该横截面垂直于硅棒延伸方向；使各硅块的横截面的长度方向相互平行；该多个硅块包括：位于硅棒中心的第一硅块，分设于第一硅块两侧的一对第二硅块，分设于该对第二硅块两侧的一对第三硅块；使第一硅块的横截面的宽为b；使第二硅块的横截面的长为a；使第三硅块的横截面的长为b；将第一硅块截断出：与第一硅块同向延伸的第一小硅块；使第一小硅块在第一硅块延伸方向上的长为a；第一小硅块具有长为a、宽为b的第一侧面；将第一小硅块切片，切片方向平行于第一侧面，得到长为a、宽为b的长方形硅片；将第二硅块截断出：与第二硅块同向延伸的第二小硅块；使第二小硅块在第二硅块延伸方向上的长为b；第二小硅块具有长为a、宽为b的第二侧面；将第二小硅块切片，切片方向平行于第二侧面，得到长为a、宽为b的长方形硅片；将第三硅块截断出：与第三硅块同向延伸的第三小硅块；使第三小硅块在第三硅块延伸方向上的长为a；第三小硅块具有长为a、宽为b的第三侧面；将第三小硅块切片，切片方向平行于第三侧面，得到长为a、宽为b的长方...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹育红，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：