一种多晶硅样芯的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅样芯的制备方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：取第一多晶硅样棒，对所述第一多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为50

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅样芯的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种多晶硅样芯的制备方法。

技术介绍

[0002]多晶硅检测样品的碳、氧、施主和受主杂质浓度，通过在多晶硅上制取生长层样芯和硅芯样芯，样芯在区熔炉内拉制成单晶，检测单晶来表征多晶硅的碳、氧、施主和受主杂质。
[0003]在现有技术中，样芯制备方法没有去除柱体多晶硅的应力，在钻取样芯时样芯易破碎，而且样芯直径太小，样芯两端没有倒角，在区熔炉内拉制单晶时，样芯易断裂，导致成晶性较差；另外，样芯高度过高，会浪费多晶硅产品，特别是区熔用的多晶硅棒，对产品的成品率有较大影响，而且样芯高度过高，还会导致取样时间过长，因此在实际操作中，造成了生产的能耗高、成品率低、多晶硅浪费较多等缺陷。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种多晶硅样芯的制备方法，以解决成品率低、能耗高和浪费多晶硅的技术问题。
[0005]为实现上述目的，根据本专利技术实施例提供了一种多晶硅样芯的制备方法，包括：
[0006]取第一多晶硅样棒，对所述第一多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为50
‑
100mm的第一柱体多晶硅棒；
[0007]根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，然后从纵向切割后的所述第一柱体多晶硅棒上钻取硅芯样芯；
[0008]取第二多晶硅样棒，对所述第二多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为70
‑
100mm的第二柱体多晶硅棒；
[0009]根据所述第二柱体多晶硅棒直径不同，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀或两刀，然后从纵向切割后的所述第二柱体多晶硅棒上钻取生长层样芯。
[0010]可选地，所述第一柱体多晶硅棒的两端面均为平面，所述第二柱体多晶硅棒的两端面均为平面。
[0011]可选地，所述第一柱体多晶硅棒的切口处为山形或者扇形，所述第二柱体多晶硅棒的切口处为山形或者扇形。
[0012]可选地，所述硅芯样芯的直径为23
‑
30mm，所述生长层样芯的直径为23
‑
30mm。
[0013]可选地，根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，包括：
[0014]根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，在距离所述第一柱体多晶硅棒的硅芯10
‑
30mm处，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀。
[0015]可选地，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，包括：
[0016]若所述第一柱体多晶硅棒直径为65
‑
80mm，则对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割
一刀；
[0017]若所述第一柱体多晶硅棒直径为80
‑
120mm，则对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割两刀，所述两刀互相垂直或者互相平行；
[0018]若所述第一柱体多晶硅棒直径大于120mm，则对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割四刀，所述四刀互相垂直。
[0019]可选地，根据所述第二柱体多晶硅棒直径不同，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀或两刀，包括：
[0020]若所述第二柱体多晶硅棒直径为60
‑
100mm，则对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀，制备成两个扇形的多晶硅棒；
[0021]若所述第二柱体多晶硅棒直径大于100mm，则对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀，制备成两个扇形的多晶硅棒，或者，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割两刀，制备成四个扇形的多晶硅棒，所述两刀互相垂直。
[0022]可选地，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀，制备成两个扇形的多晶硅棒，包括：
[0023]在距离所述第二柱体多晶硅棒的硅芯5
‑
30mm处，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀，制备成两个扇形的多晶硅棒。
[0024]可选地，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割两刀，制备成四个扇形的多晶硅棒，包括：
[0025]在距离所述第二柱体多晶硅棒的硅芯10
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20mm处，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀，制备成两个扇形的多晶硅棒；
[0026]在距离所述第二柱体多晶硅棒的硅芯10
‑
20mm处，再对所述两个扇形的多晶硅棒纵向切割一刀，制备成四个扇形的多晶硅棒。
[0027]可选地，从纵向切割后的所述第一柱体多晶硅棒上钻取硅芯样芯之后，还包括：
[0028]对所述硅芯样芯的两端使用倒角机进行倒角或磨锥；
[0029]从纵向切割后的所述第二柱体多晶硅棒上钻取生长层样芯之后，还包括：
[0030]对所述生长层样芯的两端使用倒角机进行倒角或磨锥。
[0031]上述专利技术中的一个实施例具有如下优点或有益效果：本专利技术实施例可以通过显微镜可视化观察多晶硅棒的生长情况，生长层的纹路以及缺陷清晰可见，而且该方法操作简单，对设备要求低，工艺稳定。
[0032]上述的非惯用的可选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0034]图1是根据本专利技术实施例的多晶硅样芯的制备方法的主要流程的示意图；
[0035]图2是根据本专利技术实施例的对第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀的示意图；
[0036]图3是根据本专利技术实施例的对第一柱体多晶硅棒纵向切割垂直两刀的示意图；
[0037]图4是根据本专利技术实施例的对第一柱体多晶硅棒纵向切割平行两刀的示意图；
[0038]图5是根据本专利技术实施例的对第一柱体多晶硅棒纵向切割四刀的示意图；
[0039]图6是根据本专利技术实施例的对第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀的示意图；
[0040]图7是根据本专利技术实施例的对第二柱体多晶硅棒纵向切割两刀的示意图；
[0041]图8是根据本专利技术实施例的山形切口的结构示意图；
[0042]图9是根据本专利技术实施例的扇形切口的结构示意图。
具体实施方式
[0043]以下结合附图对本专利技术的示范性实施例做出说明，其中包括本专利技术实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本专利技术的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
[0044]多晶硅材料是制造半导体、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。在多晶硅取样时，制备样芯的高度过高，产品浪费严重，取样成功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅样芯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：取第一多晶硅样棒，对所述第一多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为50
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100mm的第一柱体多晶硅棒；根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，然后从纵向切割后的所述第一柱体多晶硅棒上钻取硅芯样芯；取第二多晶硅样棒，对所述第二多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为70
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100mm的第二柱体多晶硅棒；根据所述第二柱体多晶硅棒直径不同，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀或两刀，然后从纵向切割后的所述第二柱体多晶硅棒上钻取生长层样芯。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一柱体多晶硅棒的两端均为平面，所述第二柱体多晶硅棒的两端面均为平面。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一柱体多晶硅棒的切口处为山形或者扇形，所述第二柱体多晶硅棒的切口处为山形或者扇形。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅芯样芯的直径为23
‑
30mm，所述生长层样芯的直径为23
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30mm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，包括：根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，在距离所述第一柱体多晶硅棒的硅芯10
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30mm处，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，包括：若所述第一柱体多晶硅棒直径为65
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80mm，则对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀；若所述第一柱体多晶硅棒直径为80
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭荣，刘建中，曹得财，陈文凯，刘强强，刘禹劭，乔亮，
申请(专利权)人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：