本发明专利技术涉及独蒜兰培养技术领域，特别是涉及一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基及其应用和培育方法。本发明专利技术所述培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括以下组分：NAA 0.5～1mg/L、蔗糖30g/L、椰汁100mL/L、琼脂7g/L和活性炭1g/L，所述培养基的pH值为5.6～5.8。本发明专利技术提供的培养基通过在常规独蒜兰培养基中复配适宜浓度的椰汁和活性炭，显著提高了独蒜兰杂交种子的萌发率，从而降低了远缘杂交独蒜兰的培育成本。蒜兰的培育成本。蒜兰的培育成本。
【技术实现步骤摘要】
一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基及其应用和培育方法
[0001]本专利技术涉及独蒜兰培养
，特别是涉及一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基及其应用和培育方法。
技术介绍
[0002]兰科独蒜兰属(Pleione D.Don)为原产我国的观赏兰花，其色泽艳丽，花形优美，在国际兰花贸易中具有重要的位置。全属有二十余种，按照开花时间，可分为春花类和秋花类，前者花期一般在3～5月，后者花期一般在9～10月。
[0003]虽然，现有研究中有将春花类独蒜兰和秋花类独蒜兰之间进行杂交育种，从而培育可以在冬季开花的独蒜兰，由于这两类植物分类学上属独蒜兰属下不同的组(独蒜兰组和春花独蒜兰组)，亲缘关系较远、杂交成功率低，且种胚发育不完全，现有的方法培育的杂交种子萌发率也较低，仅为2％～5％，培养成本高。
技术实现思路
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基及其应用和培育方法。本专利技术提供的培养基可以提高杂交种子的萌发率，从而降低了远缘杂交独蒜兰的培育成本。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]本专利技术提供了一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基，所述培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括以下组分：NAA 0.5～1mg/L、蔗糖30g/L、椰汁80～100mL/L、琼脂6～7g/L和活性炭1g/L，所述培养基的pH值为5.6～5.8。
[0007]本专利技术还提供了上述培养基在提高独蒜兰杂交种子萌发率中的应用。
[0008]本专利技术还提供了上述培养基在培育冬季开花的独蒜兰品种中的应用。
[0009]本专利技术还提供了一种冬季开花的独蒜兰品种的培育方法，包括以下步骤：
[0010]1)将春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交，得到杂交种子；
[0011]2)将杂交种子加入到上述的培养基中，依次经过暗培养和光暗交替培养，得到萌发幼苗；
[0012]3)将萌发幼苗转入生根培养基中，光暗交替培养，得到独蒜兰幼苗；所述生根培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括6
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BA 0.5～1mg/L、NAA 0.5～1mg/L、香蕉泥30～50g/L、蔗糖30g/L和琼脂6～7g/L；所述生根培养基的pH值为5.6～5.8；
[0013]4)将独蒜兰幼苗进行移栽，得到冬季开花的独蒜兰。
[0014]优选的，所述步骤1)中春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交的方法包括：利用花粉保存的方式，将春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交；所述保存的方法包括：将花粉在温度为20～25℃和湿度在50％以下的环境中静置6～12h后，在2～8℃温度中进行密封保存。
[0015]优选的，所述春季开花独蒜兰品种包括白花独蒜兰(P.albiflora)、藏南独蒜兰(P.arunachalensis)、艳花独蒜兰(P.aurita)、独蒜兰(P.bulbocodioides)、陈氏独蒜兰(P.chunii)、冠状独蒜兰(P.coronaria)、中国台湾独蒜兰(P.formosana)、黄花独蒜兰(P.forrestii)、大花独蒜兰(P.grandiflora)、毛唇独蒜兰(P. hookeriana)、矮小独蒜兰(P.humilis)、卡氏独蒜兰(P.kaatiae)、四川独蒜兰(P.limprichtii)、美丽独蒜兰(P.pleionoides)、二叶独蒜兰(P.scopulorum) 或云南独蒜兰(P.yunnanensis)；所述秋季开花独蒜兰品种包括秋花独蒜兰(P. maculata)、疣鞘独蒜兰(P.praecox)或岩生独蒜兰(P.saxicola)。
[0016]优选的，所述步骤2)中暗培养的条件包括：温度为24～26℃，时间为30d；
[0017]所述步骤2)和步骤3)中光暗交替培养的条件分别包括：温度为24～26℃，光照时间为12h/d，光照强度为2000～3000lx。
[0018]优选的，所述步骤4)中移栽的基质包括以下体积百分含量的组分：50％～70％树皮颗粒，20％～30％椰糠和10％～20％腐叶土。
[0019]优选的，所述树皮颗粒的长度为1～3cm。
[0020]优选的，所述移栽前还包括炼苗处理；所述炼苗处理包括：将独蒜兰幼苗在遮光为45％～55％，温度为15～25℃，湿度为60％～80％的条件下静置5～9d。
[0021]有益效果：
[0022]本专利技术提供了一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基，所述培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括以下组分：NAA 0.5～1mg/L、蔗糖30g/L、椰汁100mL/L、琼脂7g/L和活性炭1g/L，所述培养基的pH值为5.6～5.8。本专利技术提供的培养基通过在常规独蒜兰培养基中复配适宜浓度的椰汁和活性炭，显著提高了独蒜兰杂交种子的萌发率，从而降低了远缘杂交独蒜兰的培育成本。
附图说明
[0023]图1为本专利技术培育冬季开花独蒜兰的流程示意图。
具体实施方式
[0024]本专利技术提供了一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基，所述培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括以下组分：NAA 0.5～1mg/L、蔗糖30g/L、椰汁80～100mL/L、琼脂6～7g/L和活性炭1g/L，所述培养基的pH值为5.6～5.8。本专利技术对所述培养基的各个组分的来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的市售商品即可。本专利技术提供的培养基通过在常规独蒜兰培养基中复配适宜浓度的椰汁和活性炭，显著提高了独蒜兰杂交种子的萌发率，从而降低了远缘杂交独蒜兰的培育成本。
[0025]本专利技术还提供了上述培养基在提高独蒜兰杂交种子萌发率中的应用。本专利技术通过将杂交种子接种到上述培养基上进行培养，可以显著提高独蒜兰杂交种子的萌发率。作用机理同上，在此不在赘述。
[0026]本专利技术还提供了上述培养基在培育冬季开花的独蒜兰品种中的应用。本专利技术通过将杂交种子接种到上述培养基上进行培养可以显著提高了独蒜兰杂交种子的萌发率，从而降低了冬季开花独蒜兰的培育成本。作用机理同上，在此不在赘述。
[0027]本专利技术还提供了一种冬季开花的独蒜兰品种的培育方法，包括以下步骤：
[0028]1)将春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交，得到杂交种子；
[0029]2)将杂交种子加入到上述的培养基中，依次经过暗培养和光暗交替培养，得到萌发幼苗；
[0030]3)将萌发幼苗转入生根培养基中，光暗交替培养，得到独蒜兰幼苗；所述生根培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括6
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BA 0.5～1mg/L、NAA 0.5～1mg/L、香蕉泥30～50g/L、蔗糖30g/L和琼脂6～7g/L；所述生根培养基的 pH值为5.6～5.8；
[0031]4)将独蒜兰幼苗进行移栽，得到冬季开花的独蒜兰。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基，其特征在于，所述培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括以下组分：NAA 0.5～1mg/L、蔗糖30g/L、椰汁80～100mL/L、琼脂6～7g/L和活性炭1g/L，所述培养基的pH值为5.6～5.8。2.权利要求1所述培养基在提高独蒜兰杂交种子萌发率中的应用。3.权利要求1所述培养基在培育冬季开花的独蒜兰品种中的应用。4.一种冬季开花的独蒜兰品种的培育方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交，得到杂交种子；2)将杂交种子加入到权利要求1所述的培养基中，依次经过暗培养和光暗交替培养，得到萌发幼苗；3)将萌发幼苗转入生根培养基中，光暗交替培养，得到独蒜兰幼苗；所述生根培养基以1/2MS培养基为基础培养基，还包括6
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BA 0.5～1mg/L、NAA0.5～1mg/L、香蕉泥30～50g/L、蔗糖30g/L和琼脂6～7g/L；所述生根培养基的pH值为5.6～5.8；4)将独蒜兰幼苗进行移栽，得到冬季开花的独蒜兰。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交的方法包括：利用花粉保存的方式，将春季开花独蒜兰品种和秋季开花独蒜兰品种杂交；所述保存的方法包括：将花粉在温度为20～25℃和湿度在50％以下的环境中静置6～12h后，在2～8℃温度中进行密封保存。6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述春季开花独蒜兰品种包括白花独蒜兰(P.albiflora)、藏南独蒜兰(P.aru...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，张石宝，
申请(专利权)人：中国科学院昆明植物研究所，
类型：发明
国别省市：
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