【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗槽的液位监测装置
[0001]本技术涉及半导体设备
，具体涉及一种晶圆清洗槽的液位监测装置。
技术介绍
[0002]在半导体集成电路制造过程中，圆晶在化学机械研磨机台中经过抛光后，要继续经过一系列的清洗步骤，除去在抛光过程中，晶片表面所残留的研磨液，以及微粒等脏污，用以保证圆晶后续加工制造过程中的质量，从而完整的完成了化学业机械研磨的工艺。化学机械研磨(Chemical mechanical polishing，简称CMP)制程是半导体工艺中的一个步骤，该工艺于90年代前期开始被引入半导体硅晶片工序，从氧化膜等层问绝缘膜开始，推广到聚合硅电极、导通用的钨插塞CW
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Plug)、STI C元件分离)。CMP是一种使用化学腐蚀以及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理的步骤。通常清洗槽(mega tank)晶圆在CMP清洗里的主要部件，用来清洗晶圆表面残留的微粒和化学研磨液。在清洗槽上通常设有液位传感器，但是在长期使用中，液位传感器易失效或出现错误，导致清洗槽中清洗液超出液位而...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗槽的液位监测装置，其特征在于，所述清洗槽侧壁的上侧设置有导流管，所述导流管上设有漏液传感器；所述导流管在漏液传感器一侧向下倾斜。2.根据权利要求1所述的液位监测装置，其特征在于，所述清洗槽包括外腔体和内腔体，所述内腔体的外侧壁低于外腔体的外侧壁，所述导流管设置在所述外腔体的外侧壁上。3.根据权利要求2所述的液位监测装置，其特征在于，所述外腔体上设置有液位传感器，所述液位传感器的安装高度低于所述导流管的入口高度。4.根据权利要求3所述的液位监测装置，其特征在于，还包括输入泵和循环泵，所述输入泵的...
【专利技术属性】
技术研发人员：周立超，曹乐，李鹏，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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