一种封装器件及制作方法技术

一种封装器件及制作方法，封装器件包括基板、硅胶层、光转换层、反射层、遮光层和若干发光二极管单元；所述发光二极管单元相互独立设置于所述基板表面形成发光单元组；所述光转换层覆盖于所述发光二极管单元并形成独立的像素点；所述硅胶层分别包裹于单个所述的发光二极管单元以及整个发光单元组；所述反射层包裹于所述像素点以及所述像素点外围的硅胶层；所述遮光层填充于所述相邻的反射层之间。通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。可有效地提高对比度。可有效地提高对比度。

【技术实现步骤摘要】
一种封装器件及制作方法


[0001]本专利技术属于LED
，具体的涉及一种封装器件及制作方法。

技术介绍

[0002]随着照明技术的发展，LED光源像素化，智慧型矩阵式照明以及显示成为发展趋势，迫切需要导入高动态对比的光源器件，特别是在车用智能照明及显示领域上，对光源提出了更高亮度与更佳对比效果的要求。现有技术通过将多个芯片分别进行独立封装后再贴装在PCB上,再采用黑色遮光材料进行隔绝，或者不同像素之间直接填充黑色遮光材料来提高对比度。目前的方案存在以下不足：
[0003]1、将多个芯片进行独立封装后再贴装在PCB板上，一方面由于封装后的LED结构尺寸较大，进而限制了整个PCB板的尺寸；另一方面，贴装后不同像素之间间距较大，较难实现高分辨率像素显示，出光不均匀。
[0004]2、直接填充黑色遮光材料，由于黑色材料的吸光作用，最后封装亮度将会大幅度下降。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种封装器件及封装器件，旨在解决现有技术存在的封装尺寸大、封装亮度下降的问题。
[0006]本专利技术为达到其目的，所采用的技术方案如下：
[0007]一种封装器件，包括：
[0008]基板、硅胶层、光转换层、反射层、遮光层和若干发光二极管单元；
[0009]所述发光二极管单元相互独立设置于所述基板表面形成发光单元组；
[0010]所述光转换层覆盖于所述发光二极管单元并形成独立的像素点；
[0011]所述硅胶层分别包裹于单个所述的发光二极管单元以及整个发光单元组；
[0012]所述反射层包裹于所述像素点以及所述像素点外围的硅胶层；
[0013]所述遮光层填充于所述相邻的反射层之间。
[0014]优选的，所述硅胶层包括第一硅胶层和第二硅胶层，所述第一硅胶层包裹于单个所述的发光二极管单元，所述第二硅胶层为闭合围墙结构并包裹于整个发光单元组。
[0015]优选的，所述相邻的反射层之间形成流道，所述遮光层设置于所述流道中。
[0016]优选的，所述不同像素点四周的反射层相互独立设置，且呈梯形、倒梯形或矩形结构。
[0017]优选的，所述遮光层呈倒梯形、梯形或矩形结构。
[0018]优选的，所述发光二极管单元在所述基板上呈矩阵排列。
[0019]优选的，相邻的所述发光二极管单元为LED芯片。
[0020]优选的，相邻的所述发光二极管单元之间的间距为0.02
‑
2mm。
[0021]优选的，所述硅胶层为透明的热固性树脂材料，所述反射层为白色的热固性树脂
材料，所述遮光层为黑色的热固性树脂材料。
[0022]本专利技术还包括一种封装器件的制作方法，用于制作上述的封装器件，步骤如下：
[0023]S1、在基板上，发光二极管单元的正负极通过共晶的方式分别与基板上的电极焊盘对连接；
[0024]S2、将硅胶层填充在发光二极管单元的四周并将发光二极管单元的侧壁全覆盖，同时将光转换层通过硅胶层固定在发光二极管单元表面上，并形成像素点；
[0025]S3、通过围坝的方式将硅胶层固定在基板上，并在发光二极管单元及光转换层四周形成闭合围墙结构；
[0026]S4、通过点胶的方式将反射层填充在发光二极管单元、光转换层和硅胶层之间的缝隙；
[0027]S5、通过切割的方式将不同像素点之间的反射层切出一条流道；
[0028]S6、通过点胶的方式将遮光层填充在流道中。
[0029]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0030]本专利技术提供的封装器件及制作方法，通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术的实施例的俯视方向示意图。
[0033]图2为本专利技术的实施例的第一种结构剖视图。
[0034]图3为本专利技术的实施例的第二种结构剖视图。
[0035]图4为本专利技术的实施例的制作方法的步骤S1的结构示意图。
[0036]图5为本专利技术的实施例的制作方法的步骤S2的结构示意图。
[0037]图6为本专利技术的实施例的制作方法的步骤S3的结构示意图。
[0038]图7为本专利技术的实施例的制作方法的步骤S4的结构示意图。
[0039]图8为本专利技术的实施例的制作方法的步骤S5的结构示意图。
[0040]图9为本专利技术的实施例的制作方法的步骤S6的结构示意图。
[0041]图10为本专利技术的实施例的制作方法的步骤流程图。
[0042]附图标记说明：
[0043]1‑
基板，2
‑
光转换层，3
‑
反射层，4
‑
遮光层，5
‑
LED芯片，6
‑
第一硅胶层，7
‑
第二硅胶层。
具体实施方式
[0044]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面对本专利技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0045]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0046]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0047]实施例：
[0048]参照图1至图3，一种封装器件，包括：
[0049]基板1、硅胶层、光转换层2、反射层3、遮光层4和若干LED芯片5；
[0050]LED芯片5相互独立设置并呈矩阵排列于基板1表面形成发光单元组，光转换层2覆盖于LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装器件，其特征在于，包括：基板、硅胶层、光转换层、反射层、遮光层和若干发光二极管单元；所述发光二极管单元相互独立设置于所述基板表面形成发光单元组；所述光转换层覆盖于所述发光二极管单元并形成独立的像素点；所述硅胶层分别包裹于单个所述的发光二极管单元以及整个发光单元组；所述反射层包裹于所述像素点以及所述像素点外围的硅胶层；所述遮光层填充于所述相邻的反射层之间。2.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述硅胶层包括第一硅胶层和第二硅胶层，所述第一硅胶层包裹于单个所述的发光二极管单元，所述第二硅胶层为闭合围墙结构并包裹于整个发光单元组。3.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述相邻的反射层之间形成流道，所述遮光层设置于所述流道中。4.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述不同像素点四周的反射层相互独立设置，且呈梯形、倒梯形或矩形结构。5.根据权利要求4所述的封装器件，其特征在于，所述遮光层呈倒梯形、梯形或矩形结构。6.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述发光二极管单元在所述基板上呈矩阵排列。7.根据权利要求1所述的封...

【专利技术属性】
技术研发人员：温绍飞，林仕强，万垂铭，朱文敏，李晨骋，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：