一种控制器膜电容选择性被动放电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及新能源汽车电机控制器领域，公开了一种控制器膜电容选择性被动放电装置，与车辆上的钥匙开关连接，包括：电容负端模块、信号接收模块，偏置电阻模块、控制开关模块、限流电阻模块、放电电阻模块与电容正端模块，信号接收模块与钥匙开关连接实现放电装置的启动或关闭，信号接收模块连接偏置电阻模块，偏置电阻模块与电容负端模块、控制开关模块连接，控制开关模块与电容负端模块连接，第一控制开关单元、限流电阻模块、第二控制开关单元与放电电阻模块串联连接，限流电阻模块、放电电阻模块与电容正端模块连接。本实用新型专利技术通过采用选择性被动放电装置，减少了电机控制器被动放电电阻的热耗，提高电机控制器系统的稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种控制器膜电容选择性被动放电装置


[0001]本技术涉及新能源汽车电机控制器领域，特别涉及一种控制器膜电容选择性被动放电装置。

技术介绍

[0002]随着新能源汽车的快速兴起，新能源汽车电机控制器平台的高压化与智能化也逐渐变为技术发展的主流。控制器平台的高压化使得汽车的充电速度得以提升，随之而来的，在电动自行车上所实用的铝电解电容不能满足新能源汽车高压化的要求。
[0003]聚丙烯薄膜电容因其良好的耐高压特性，在新能源汽车电机控制器上得到了广泛使用，因为薄膜电容能存储大量电荷，在电机停止运行，电机控制器停止输出功率时，薄膜电容中的电荷没有地方释放，若此时有人员接触电机控制器，会有触电风险。
[0004]目前电机控制器中薄膜电容的被动放电方式主要是在薄膜电容的两侧并一串功率电阻，通过功率电阻将薄膜电容中多余的电荷量以热能的形式消耗掉。由于被动放电电阻一直并联在薄膜电容两端，被动放电电阻在电机控制器工作与电机控制器下电时都在进行被动放电，而被动放电电阻消耗的能量也一直在以热能的形式向外发散，电阻本身一直处于热耗状态，会影响被动放电电阻的特性，进而影响到电机控制器的稳定性。

技术实现思路

[0005]为了解决目前现有技术的控制器膜电容被动放电装置一直处于工作状态而产生“严重发热”现象进而降低电机控制器稳定性的问题，本技术提供了一种控制器膜电容选择性被动放电装置。
[0006]本技术技术方案如下：
[0007]一种控制器膜电容选择性被动放电装置，与车辆上的钥匙开关连接，包括：r/>[0008]电容负端模块、信号接收模块，偏置电阻模块、控制开关模块、限流电阻模块、放电电阻模块与电容正端模块，所述信号接收模块与钥匙开关连接实现放电装置的启动或关闭，所述信号接收模块连接偏置电阻模块，所述偏置电阻模块与电容负端模块、控制开关模块连接，所述控制开关模块与电容负端模块连接，所述控制开关模块包括第一控制开关单元与第二控制开关单元，所述第一控制开关单元、限流电阻模块、第二控制开关单元与放电电阻模块串联连接，所述限流电阻模块、放电电阻模块与所述电容正端模块连接。
[0009]进一步地，所述偏置电阻模块包括第一偏置电阻单元与第二偏置电阻单元，所述第一偏置电阻单元与第二偏置电阻单元串联，所述第一偏置电阻单元通过第二偏置电阻单元与所述电容负端模块连接，所述第一偏置电阻单元与所述信号接收模块连接，所述第二偏置电阻单元与所述第一控制开关单元并联。
[0010]进一步地，所述电容负端模块包括两组，分别为第一电容负端单元与第二电容负端单元，所述第一电容负端单元与所述第一控制开关单元、第二偏置电阻单元连接，所述第二电容负端单元与所述第二控制开关单元连接。
[0011]进一步地，所述电容正端模块包括两组，分别为第一电容正端单元与第二电容正端单元，所述第一电容正端单元与限流电阻模块连接，所述第二电容正端单元与放电电阻模块连接。
[0012]进一步地，所述放电电阻模块为多组电阻单元并联组成，每组电阻单元包括若干个电阻。
[0013]进一步地，所述限流电阻模块包括由若干个电阻串联组成。
[0014]本技术的有益效果至少包括：通过在膜电容两端增加选择性被动放电装置，使得被动放电装置不会在控制器运行过程中进行工作，只有在控制器下电时，被动放电装置的功能才会启动，本技术通过采用选择性被动放电装置，减少了电机控制器被动放电电阻的热耗，提高电机控制器系统的稳定性。
附图说明
[0015]图1为本技术的控制器膜电容选择性被动放电装置示意图。
[0016]其中：
[0017]1‑
电容负端模块；
[0018]11
‑
第一电容负端单元；12
‑
第二电容负端单元；
[0019]2‑
信号接收模块；
[0020]3‑
偏置电阻模块；
[0021]31
‑
第一偏置电阻单元；32
‑
第二偏置电阻单元；
[0022]4‑
控制开关模块；
[0023]41
‑
第一控制开关单元；42
‑
第二控制开关单元；
[0024]5‑
限流电阻模块；
[0025]6‑
放电电阻模块；
[0026]61
‑
电阻单元；
[0027]7‑
电容正端模块；
[0028]71
‑
第一电容正端单元；72
‑
第二电容正端单元。
具体实施方式
[0029]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]下面结合实施例，对本技术的控制器膜电容选择性被动放电装置作进一步的详细说明。
[0031]结合图1所示，本技术公开了一种控制器膜电容选择性被动放电装置，与车辆上的钥匙开关连接，包括：
[0032]电容负端模块1、信号接收模块2，偏置电阻模块3、控制开关模块4、限流电阻模块5、放电电阻模块6与电容正端模块7，所述信号接收模块2与钥匙开关连接实现放电装置的
启动或关闭，所述信号接收模块2连接偏置电阻模块3，所述偏置电阻模块3与电容负端模块1、控制开关模块4连接，所述控制开关模块4与电容负端模块1连接，所述控制开关模块4包括第一控制开关单元41与第二控制开关单元42，所述第一控制开关单元41、限流电阻模块5、第二控制开关单元42与放电电阻模块6串联连接，所述限流电阻模块5、放电电阻模块6与所述电容正端模块7连接。
[0033]控制开关模块4为金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)，是一种可以广泛使用在模拟电路和数字电路的场效晶体管，MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS。
[0034]集成电路芯片上的MOSFET为四端元件，包括栅极、源极、漏极与基极，MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制器膜电容选择性被动放电装置，与车辆上的钥匙开关连接，其特征在于：包括：电容负端模块、信号接收模块，偏置电阻模块、控制开关模块、限流电阻模块、放电电阻模块与电容正端模块，所述信号接收模块与钥匙开关连接实现放电装置的启动或关闭，所述信号接收模块连接偏置电阻模块，所述偏置电阻模块与电容负端模块、控制开关模块连接，所述控制开关模块与电容负端模块连接，所述控制开关模块包括第一控制开关单元与第二控制开关单元，所述第一控制开关单元、限流电阻模块、第二控制开关单元与放电电阻模块串联连接，所述限流电阻模块、放电电阻模块与所述电容正端模块连接。2.根据权利要求1所述的一种控制器膜电容选择性被动放电装置，其特征在于：所述偏置电阻模块包括第一偏置电阻单元与第二偏置电阻单元，所述第一偏置电阻单元与第二偏置电阻单元串联，所述第一偏置电阻单元通过第二偏置电阻单元与所述电容负端模块连接，所述第一偏置电阻单元与所述信...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昭代，陈昆，张睿智，郭新华，
申请(专利权)人：厦门唯质电气科技有限公司，
类型：新型
国别省市：