一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，涉及溅射镀膜技术领域，包括沉积室，还包括工件和防护罩，沉积室的内壁设置有两个固定台，两个固定台的相对侧设置有工作台，工件设置在移动台的表面，移动台与工作台相贴合，防护罩与工作台的相对侧铰接有铰接杆和V型杆，沉积室的内壁设置有靶台组件，沉积室的内壁设置有两个离子组件，离子组件包括离子源。本发明专利技术具备了通过挡板对工件的遮挡，达到了离子源预先对靶材进行高效清理的效果以及提高空间利用率的效果，同时离子组件和靶材组件可进行定向的移动和偏转，以提高制膜的工作效率以及制膜的均匀程度的效果。工作效率以及制膜的均匀程度的效果。工作效率以及制膜的均匀程度的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备


[0001]本专利技术涉及溅射镀膜
，具体为一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备。

技术介绍

[0002]离子束溅射沉积可为待加工的工件制备薄膜，离子束溅射镀膜技术为一种新型的制膜工艺。
[0003]目前现有的沉积设备，常不对靶材进行高效的清理，以及对靶材的清洗效果较差，以影响了后续的制成薄膜的均匀程度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，具备了通过挡板对工件的遮挡，达到了离子源预先对靶材进行高效清理的效果以及提高空间利用率的效果，同时离子组件和靶材组件可进行定向的移动和偏转，以提高制膜的工作效率以及制膜的均匀程度的效果，解决了上述
技术介绍
中所提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，包括沉积室，还包括工件和防护罩，所述沉积室的内壁设置有两个固定台，两个所述固定台的相对侧设置有工作台，所述工件设置在移动台的表面，所述移动台与所述工作台相贴合，所述防护罩与所述工作台的相对侧铰接有铰接杆和V型杆，所述沉积室的内壁设置有靶台组件，所述沉积室的内壁设置有两个离子组件。
[0006]可选的，所述离子组件包括离子源，所述沉积室的背侧固定连接有电机一，所述电机一的转动部与所述离子源的表面固定连接，所述沉积室的表面开设有用于所述电机一的转动部穿入且与之定轴转动连接的开口一。
[0007]可选的，所述靶台组件包括台溅射台和电机二，所述溅射台的形状为四边形，所述溅射台的表面安装有四个靶材，所述电机二的转动部与所述靶材的表面固定连接，所述电机二的背侧固定连接有移动块，还包括使所述溅射台进行移动的移动部件。
[0008]可选的，所述移动部件包括开设在所述沉积室内壁上的滑槽，所述滑槽的表面定轴转动连接有螺纹杆，所述移动块的侧面开设有与所述螺纹杆螺纹连接的内螺纹槽，所述沉积室的内壁开设有用于所述螺纹杆穿出且与之定轴转动连接的开口三。
[0009]可选的，所述沉积室的内壁设置有辅源，所述辅源的照射方向与所述工件相正对。
[0010]可选的，所述工作台的表面固定连接有挡板，所述挡板的侧面设置有弹性块。
[0011]可选的，所述沉积室的表面固定连接有滑杆，所述滑杆的表面滑动套接有套环，所述套环的表面固定连接有底座，所述沉积室与所述套环的相对侧共同固定连接有复位弹簧。
[0012]可选的，所述底座的表面固定连接有电动推杆，所述电动推杆的伸缩部与所述移动台的表面固定连接，所述沉积室的表面开设有用于所述电动推杆伸缩部穿入且与之滑动
连接的开口二。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0014]一、本专利技术通过拉动防护罩，使得达到对工件进行遮挡的效果，本方式具备了第一当溅射作业开始之前，通常需要对靶台组件进行清理，以祛除其上的污染物，使得后续的在工件上溅射出的粒子保持纯净性，通过对工件的遮挡，并驱动离子源发射低能离子对靶台组件进行预轰击，使得可对靶台组件进行高效的清理，有助于提高后续的薄膜的均匀性以及薄膜的质量；第二通过此种翻转式的设置，具有占用空间少，实用性高的特点。
[0015]二、本专利技术通过设置溅射台的形状为四边形，使得各个靶材进行切换，当右侧的离子源工作时，使得可将离子发射至靶材的表面，并与工件沉积制成薄膜，可实现在不破坏真空作业的情况下，进行连续性的多层薄膜制备，使得提高工作效率，减少能源消耗，本方式制成的薄膜其均匀性更佳。
[0016]三、本专利技术通过螺纹杆的转动，使得靶材进行横向的位移，使得离子源产生的离子束能够较多的击打在靶材上，以提高之后在工件上沉积制备薄膜的效果和效率。
[0017]四、本专利技术通过电机一转动部的运转，以达到改变离子束的发射角度的作用，有助于提高靶材的有效利用率，同时也便于使用者进行操作。
附图说明
[0018]图1为本专利技术结构的主视图；
[0019]图2为本专利技术结构的第一状态正视剖视图；
[0020]图3为本专利技术结构的第二状态正视剖视图；
[0021]图4为本专利技术电机二结构的侧视图；
[0022]图5为本专利技术图2中A处结构的放大图。
[0023]图中：1、沉积室；2、工件；3、固定台；4、工作台；5、移动台；6、防护罩；7、铰接杆；8、V型杆；9、离子源；10、电机一；11、溅射台；12、靶材；13、电机二；14、移动块；15、滑槽；16、螺纹杆；18、辅源；19、挡板；20、弹性块；21、滑杆；22、套环；23、底座；24、复位弹簧；25、电动推杆。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]实施例一：
[0026]请参阅图1至图5，本专利技术提供一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，包括沉积室1，还包括工件2和防护罩6，沉积室1的内壁设置有两个固定台3，两个固定台3的相对侧设置有工作台4，工件2设置在移动台5的表面，移动台5与工作台4相贴合，防护罩6与工作台4的相对侧铰接有铰接杆7和V型杆8，沉积室1的内壁设置有靶台组件，沉积室1的内壁设置有两个离子组件，在使用时，可将工件2安装在移动台5上，通过拉动防护罩6，且由于铰接杆7和V型杆8与防护罩6以及工作台4之间的铰接关系，如图2所示开始至如图3所示状态结束，铰接杆7与防护罩6的铰接点移动至接近左侧的固定台3，使防护罩6由初始的打开状
态转为闭合状态，进而达到了对工件2进行遮挡的效果，具备了第一当溅射作业开始之前，通常需要对靶台组件进行清理祛除其上的污染物，使后续的在工件2上溅射出的粒子保持纯净性。
[0027]通过对工件2的遮挡，并驱动离子源9发射低能的离子对靶台组件进行预轰击，可对靶台组件进行高效清理，有助于提高后续薄膜的均匀性以及薄膜的质量；第二通过此种翻转式设置，因若设置成滑动的形式，需要占用较大的空间，使沉积室1内部较大的空间被占用，当沉积室1抽取真空以及控制温度时，就需要浪费较多的能源，本方式具备了占用空间少和实用性高的特点，通过离子组件的作用下，可以改变离子束的发射角度的作用，以避发射出的离子束超出靶材12的范围的情况，进而导致在工件2上沉积时引入杂质的情况，有助于提高靶材12的利用率，同时也便于使用者进行作业。
[0028]通过靶台组件作用下，使靶材12可进行横向的移动以及不同靶材12之间的切换，并使离子源9产生的离子束能够较多的击打在靶材12上，可以提高之后在工件2上沉积制备薄膜的效果和效率以及，通过靶材12的旋转切换，可达到在不破坏真空作业的情况下，进行连续性的多层薄膜的制备，以提高工作效率，减少了能源消耗，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，包括沉积室(1)，其特征在于：还包括工件(2)和防护罩(6)，所述沉积室(1)的内壁设置有两个固定台(3)，两个所述固定台(3)的相对侧设置有工作台(4)，所述工件(2)设置在移动台(5)的表面，所述移动台(5)与所述工作台(4)相贴合，所述防护罩(6)与所述工作台(4)的相对侧铰接有铰接杆(7)和V型杆(8)，所述沉积室(1)的内壁设置有靶台组件，所述沉积室(1)的内壁设置有两个离子组件。2.根据权利要求1所述的制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，其特征在于：所述离子组件包括离子源(9)，所述沉积室(1)的背侧固定连接有电机一(10)，所述电机一(10)的转动部与所述离子源(9)的表面固定连接，所述沉积室(1)的表面开设有用于所述电机一(10)的转动部穿入且与之定轴转动连接的开口一。3.根据权利要求2所述的制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，其特征在于：所述靶台组件包括台溅射台(11)和电机二(13)，所述溅射台(11)的形状为四边形，所述溅射台(11)的表面安装有四个靶材(12)，所述电机二(13)的转动部与所述靶材(12)的表面固定连接，所述电机二(13)的背侧固定连接有移动块(14)，还包括使所述溅射台(11)进行移动的移动部件。4.根据权利要求3所述的制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，其特征在于：所述移动部件包...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧，曹俊，
申请(专利权)人：江苏籽硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：