一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，该修正装置包括支撑板和可拆卸安装在支撑板上的修正板，具有结构简单、易于拆卸、便于调整和维护的优点，且调整和维护难度不随基片尺寸的增加而提高；同时，构成修正板的各个上修正块和各个下修正块均可沿垂直于支撑板长度方向前后滑动，并与中心修正块形成形状可调的修正装置，因而可根据镀薄膜厚度分布特点改变修正板形状，其作为基片与靶材之间的工艺修正板进行薄膜沉积时能够遮挡部分靶材粒子沉积到基片表面，从而能够改善基片镀膜均匀性，实现大尺寸高均匀区沉积，适用于多种靶材、多种设备沉膜均匀性的修正，可低成本解决基片所沉积膜层中心厚边缘薄的膜层不均匀问题。不均匀问题。不均匀问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置


[0001]本技术涉及一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置。

技术介绍

[0002]离子束溅射镀膜由于其成膜质量高、膜层致密，缺陷少逐渐成为薄膜制备的常用方法，特别是在对薄膜质量要求较高的领域，如薄膜传感器、光学薄膜等。
[0003]随着电子器件向高集成度、低成本的发展，离子束镀膜设备面临的基片尺寸越来越大，镀膜均匀性要求越来越高，这对离子束镀膜设备设计及加工提出了极高要求，特别是离子源放电室、离子光学栅网、离子源与基片以及靶材三者之间角度距离等一系列影响镀膜均匀性的参数设计，涉及到的理论研究计算与部件研制费用高、周期长。目前，提高镀膜均匀性的方法主要有两种：一种是优化离子源结构设计如离子源放电室与栅网设计，另外一种是调节基片台与靶台之间的相对位置，从而提高离子束镀膜均匀性。然而，离子源优化结构设计难度大，特别是放电室与栅网设计对理论计算要求极高，且栅网加工费用高、周期长；基片台位置调节需要腔室或基片台本身结构支持，否则需要重新制作腔室，费用昂贵，且调节基片台与靶材相对位置通常会降低沉积速率。另外，现有离子束溅射系统难以满足大尺寸基片镀膜均匀性要求的问题，特别容易圆形基片镀膜中间膜层厚、边缘薄的情况。同样的，磁控溅射镀膜系统中也存在上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、操作维护方便、制造成本低的用于提高基片镀膜均匀性的修正装置。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：/>[0006]一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，包括支撑板和可拆卸安装在支撑板上的修正板；所述修正板由中心修正块、多个上修正块和多个下修正块构成；所述中心修正块安装在支撑板端部，各个上修正块和各个下修正块均并行排列在支撑板上，且各个下修正块位于各个上修正块的下方；所述各个上修正块和各个下修正块均可沿垂直于支撑板长度方向前后滑动，并与中心修正块形成形状可调的修正装置。
[0007]作为上述技术方案的进一步改进：
[0008]所述各个下修正块一一对应设在各个上修正块的下方。
[0009]所述支撑板上还设有用于紧固中心修正块、上修正块和下修正块的多个第一锁紧件，所述各个上修正块和各个下修正块与支撑板连接的一端均设有调节腰型槽，所述调节腰型槽卡设在第一锁紧件上；所述各个上修正块和各个下修正块非固定端边缘均形成调整曲线。
[0010]所述支撑板为长条形，所述支撑板的宽度大于调节腰型槽的长度。
[0011]所述中心修正块为圆形或半圆形；所述中心修正块为半圆形时，所述中心修正块由至少两个半圆形修正块堆叠而成。
[0012]所述修正装置还包括固定件；所述固定件包括固定板和调节杆；所述固定板的一端设有用于可拆卸安装支撑板的第二锁紧件，另一端设有用于可拆卸安装调节杆的第三锁紧件。
[0013]所述调节杆上设有用于调节基片与修正板之间距离的多个调节孔。
[0014]所述修正装置还包括传动件；所述传动件包括用于调整基片与修正板相对位置的磁流体和用于驱动磁流体的驱动电机，所述磁流体与调节杆连接。
[0015]所述调节杆可移动的设于镀膜设备的镀膜腔室内，所述镀膜腔室内的基片台与修正板平行设置。
[0016]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0017](1)本技术提供了一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，包括支撑板和可拆卸安装在支撑板上的修正板，具有结构简单、易于拆卸、便于调整和维护的优点，且调整和维护难度不随基片尺寸的增加而提高；同时，构成修正板的各个上修正块和各个下修正块均可沿垂直于支撑板长度方向前后滑动，并与中心修正块形成形状可调的修正装置，因而可根据镀薄膜厚度分布特点改变修正板形状，其作为基片与靶材之间的工艺修正板进行薄膜沉积时能够遮挡部分靶材粒子沉积到基片表面，从而能够改善基片镀膜均匀性，实现大尺寸高均匀区沉积，适用于多种靶材、多种设备沉膜均匀性的修正，可低成本解决基片所沉积膜层中心厚边缘薄的膜层不均匀问题。
[0018](2)本技术修正装置，适用于基片台圆心旋转的镀膜设备，不仅可以用于提高离子束镀膜的均匀性修正，也可用于提高磁控溅射镀膜的均匀性修正，适用范围广。
[0019](3)本技术修正装置，能够在不改变离子源放电室及离子光学栅网等部件的基础上，有效的提高薄膜均匀性，成本较低，可操作性强。
[0020](4)本技术修正装置，通过修正板遮挡膜层厚的地方，在保证基片薄膜均匀性较好的前提下也能最大化提高薄膜沉积速率。
附图说明
[0021]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
[0022]图1为本技术用于提高基片镀膜均匀性的修正装置的结构示意图。
[0023]图2为本技术用于提高基片镀膜均匀性的修正装置中修正块的结构示意图。
[0024]图3为本技术用于提高基片镀膜均匀性的修正装置中修正板、基片台的相对位置示意图。
[0025]图4为本技术中基片表面的初始膜层厚度分布图。
[0026]图5为本技术中仅安装中心修正块的修正装置的结构示意图。
[0027]图6为本技术中不同修正装置与基片之间距离对应的膜层厚度分布对比图。
[0028]图7为本技术中确定修正板初始形状过程中的膜层厚度分布图。
[0029]图8为本技术中基片表面的最终膜层厚度分布图。
[0030]图9为本技术中用于提高基片镀膜均匀性的修正装置的修正板、基片台的相对位置示意图。
[0031]图例说明：
[0032]1、镀膜腔室；2、溅射离子源；3、基片台；4、固定板；5、支撑板；6、修正板；601、调节腰型槽；61、中心修正块；62、上修正块；63、下修正块；7、第一锁紧件；8、调节杆； 81、调节孔；9、第二锁紧件；10、第三锁紧件；11、磁流体；12、驱动电机；13、溅射靶材。
具体实施方式
[0033]以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本技术作进一步描述，但并不因此而限制本技术的保护范围。
[0034]实施例1
[0035]如图1和图2所示，本实施例的用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，包括支撑板5和可拆卸安装在支撑板5上的修正板6；修正板6由中心修正块61、多个上修正块62和多个下修正块63构成；中心修正块61安装在支撑板5端部，各个上修正块62和各个下修正块63 均并行排列在支撑板5上，且各个下修正块63位于各个上修正块62的下方；各个上修正块 62和各个下修正块63均可沿垂直于支撑板5长度方向前后滑动，并与中心修正块61形成形状可调的修正装置。
[0036]中心修正块61、多个上修正块62和多个下修正块63可拆卸安装在支撑板5上形成修正装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，其特征在于，包括支撑板(5)和可拆卸安装在支撑板(5)上的修正板(6)；所述修正板(6)由中心修正块(61)、多个上修正块(62)和多个下修正块(63)构成；所述中心修正块(61)安装在支撑板(5)端部，各个上修正块(62)和各个下修正块(63)均并行排列在支撑板(5)上，且各个下修正块(63)位于各个上修正块(62)的下方；所述各个上修正块(62)和各个下修正块(63)均可沿垂直于支撑板(5)长度方向前后滑动，并与中心修正块(61)形成形状可调的修正装置。2.根据权利要求1所述的用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，其特征在于，所述各个下修正块(63)一一对应设在各个上修正块(62)的下方。3.根据权利要求2所述的用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，其特征在于，所述支撑板(5)上还设有用于紧固中心修正块(61)、上修正块(62)和下修正块(63)的多个第一锁紧件(7)，所述各个上修正块(62)和各个下修正块(63)与支撑板(5)连接的一端均设有调节腰型槽(601)，所述调节腰型槽(601)卡设在第一锁紧件(7)上；所述各个上修正块(62)和各个下修正块(63)非固定端边缘均形成调整曲线。4.根据权利要求3所述的用于提高基片镀膜均匀性的修正装置，其特征在于，所述支撑板(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员：范江华，彭立波，胡凡，龚俊，毛朝斌，佘鹏程，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：新型
国别省市：