一种栅极总线结构及沟槽栅芯片制造技术

本发明专利技术提供的栅极总线结构及沟槽栅芯片，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且阱区内形成有多条与元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。通过在阱区内引入了与元胞区沟槽成一定角度的多条栅极总线沟槽，可以有效缓解沟槽栅芯片在加工过程中带来的翘曲，且制备流程与原流程完全兼容，对原有工艺无影响，容易实现。现。现。

【技术实现步骤摘要】
一种栅极总线结构及沟槽栅芯片


[0001]本专利技术属于沟槽栅芯片
，具体涉及一种栅极总线结构及沟槽栅芯片。

技术介绍

[0002]IGBT等芯片具有平面栅和沟槽栅两种常用结构，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)结合了MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金氧半场效晶体管)和BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)的优点，具备低导通压降、高击穿电压、强短路耐受能力、较高开关频率和驱动功率小等特点，因而广泛应用于几乎所有涉及到电能转换与传输的领域。沟槽栅结构相比平面栅结构，具有更高电流密度以及更强的抗闩锁能力，因此已成为IGBT等芯片的主流结构。但是，沟槽栅芯片在带来性能优势的同时，对制造工艺也提出了更高的要求。芯片晶圆制造过程中的应力问题便是沟槽栅芯片面临的难点之一。
[0003]沟槽栅芯片(如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极总线结构，其特征在于，包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，所述阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且所述阱区内形成有多条与所述元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于所述阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。2.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的深度和/或宽度与所述元胞区沟槽一致，或者小于所述元胞区沟槽的深度和/或宽度。3.根据权利要求2所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的宽度的取值范围为0.3微米至2微米，所述栅极总线沟槽的深度的取值范围为2微米至7微米。4.根据权利要求1所述的栅极总线结构，其特征在于，所述栅极总线沟槽的间距与所述元胞区沟槽的间距一致，或者小于所述元胞区沟槽的间距。5.根据权利要求4所述的栅极总线结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚尧，罗海辉，肖强，梁利晓，刘葳，管佳宁，覃荣震，何逸涛，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：