静态随机存取存储器结构制造技术

本发明专利技术提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一列相邻两个晶体管单元镜像设置，一列所述晶体管单元中的第一个所述晶体管单元或第二个所述晶体管包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第二共栅互补场效应晶体管、沿第二方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管和第二传输管，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一传输管堆叠设置且共栅，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述列的方向，传输管的堆叠设置且共栅减少了阵列面积，提高了电路的集成度，并降低了制造成本。并降低了制造成本。并降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种静态随机存取存储器结构。

技术介绍

[0002]静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。静态随机存取存储器的存储单元通常由上拉晶体管(pull
‑
up transistor，PU)、下拉晶体管(pull
‑
down transistor，PD)和传输管(pass
‑
gate transistor，PG)组成。实际应用中，SRAM所占电路面积较大，低的集成度会显著增加芯片成本。
[0003]因此，有必要提供一种新型的静态随机存取存储器结构以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种静态随机存取存储器结构，提高电路的集成度，并降低制造成本。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的所述静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一列相邻两个晶体管单元镜像设置，一列所述晶体管单元中的第一个所述晶体管单元或第二个所述晶体管包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第二共栅互补场效应晶体管、沿第二方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管和第二传输管，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一传输管堆叠设置且共栅，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅，所述第一传输管的沟道方向与所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向平行，所述第二传输管的沟道方向与所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向平行，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述列的方向。
[0006]所述静态随机存取存储器结构的有益效果在于：同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一传输管堆叠设置且共栅，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅，传输管的堆叠设置且共栅减少了阵列面积，提高了电路的集成度，并降低了制造成本。
[0007]可选地，所述第一共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第一N型场效应晶体管和第一P型场效应晶体管，所述第二共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第二N型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管。其有益效果在于：共用栅极，降低了工艺难度的同时降低了所占面积，极大的提高了集成度。
[0008]可选地，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第一N型场效应晶体管的源极和所述第一P型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。其有益效果在于：便于所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极之间的连接，极大的提高了电路集成度，同时降低了工艺难度。
[0009]可选地，同一所述晶体管单元中，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P
型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第一传输管的一侧。其有益效果在于：便于实现所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极之间的连接。
[0010]可选地，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第二N型场效应晶体管的源极和所述第二P型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。
[0011]可选地，同一所述晶体管单元中，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第二传输管一侧。其有益效果在于：便于所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极与所述第二传输管的连接，极大的提高了电路集成度，同时降低了工艺难度。
[0012]可选地，所述第一传输管、所述第二传输管、第一N型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管、第一P型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管的沟道的数量均大于或等于1。其有益效果在于：便于实现低功耗或高速度。
[0013]可选地，所述第一传输管和所述第二传输管均为场效应晶体管。
[0014]可选地，所述第一传输管和所述第二传输管均为N型场效应晶体管或P型场效应晶体管。
[0015]可选地，所述静态随机存取存储器结构还包括多个连接单元，所述连接单元与所述晶体管单元一一对应，所述连接单元用于实现所述晶体管单元内部连接和外部连接。
[0016]可选地，所述连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，所述字线用于控制所述第一传输管和所述第二传输管，所述第一位线和所述第二位线用于实现所述晶体管单元的信号传输，所述第一互连线和所述第二互连线用于实现所述晶体管单元的内部连接，所述第一电源线和所述第二电源线用于为所述晶体管单元供电或接地。
[0017]可选地，所述字线、所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线均为器件顶部金属互连线。
[0018]可选地，所述第一互连线、所述第二互连线位于器件顶部的第一层金属互联层，所述第一位线、所述第二位线和所述第二电源线位于器件顶部的第二层金属互联层，所述字线和所述第一电源线位于器件顶部的第三层金属互联层。
[0019]可选地，所述第一互连线、所述第二互连线位于器件顶部的第一层金属互联层，所述字线和所述第一电源线位于器件顶部的第二层金属互联层，所述第一位线、所述第二位线和所述第二电源线位于器件顶部的第三层金属互联层。
[0020]可选地，所述晶体管单元在所述第一共栅互补场效应晶体管与所述第一传输管之间设有垂直于列方向的金属埋线层，所述晶体管单元在所述第二共栅互补场效应晶体管与所述第二传输管之间设有垂直于列方向的金属埋线层。
[0021]可选地，所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部的第一层金属互联层，所述第一位线和所述第二位线位于器件顶部的第二层金属互联层，所述字线位于器件顶部的第三层金属互联层，所述第一电源线和所述第二电源线位于所述金属埋线层。
[0022]可选地，所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部的第一层金属互联层，
所述字线位于器件顶部的第二层金属互联层，所述第一位线和所述第二位线位于器件顶部的第三层金属互联层，所述第一电源线和所述第二电源线位于所述金属埋线层。
[0023]可选地，所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部的第一层金属互联层，所述第一电源线和所述第二电源线位于器件顶部的第二层金属互联层，所述字线位于器件顶部的第三层金属互联层，所述第一位线和所述第二位线位于所述金属埋线层。
[0024]可选地，所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部的第一层金属互联层，所述字线位于金属顶部的第二层金属互连线，所述第一电源线和所述第二电源线位于器件顶部的第三层金属互联层，所述第一位线和所述第二位线位于所述金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器结构，其特征在于，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一列相邻两个晶体管单元镜像设置，一列所述晶体管单元中的第一个所述晶体管单元或第二个所述晶体管包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第二共栅互补场效应晶体管、沿第二方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管和第二传输管，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一传输管堆叠设置且共栅，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅，所述第一传输管的沟道方向与所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向平行，所述第二传输管的沟道方向与所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向平行，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述列的方向。2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第一N型场效应晶体管和第一P型场效应晶体管，所述第二共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第二N型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管。3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第一N型场效应晶体管的源极和所述第一P型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，同一所述晶体管单元中，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第一传输管的一侧。5.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第二N型场效应晶体管的源极和所述第二P型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。6.根据权利要求5所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，同一所述晶体管单元中，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第二传输管一侧。7.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一传输管、所述第二传输管、第一N型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管、第一P型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管的沟道的数量均大于或等于1。8.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一传输管和所述第二传输管均为场效应晶体管。9.根据权利要求8所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一传输管和所述第二传输管均为N型场效应晶体管或P型场效应晶体管。10.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其特征在于，还包括多个连接单元，所述连接单元与所述晶体管单元一一对应，所述连接单元用于实现所述晶体管单元内部连接和外部连接。11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁荣正，俞少峰，朱小娜，朱宝，尹睿，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：