存储装置、数据校验方法以及装置、存储介质制造方法及图纸

技术编号:32479479 阅读:10 留言:0更新日期:2022-03-02 09:42
一种存储装置、数据校验方法及装置、非暂时性存储介质。存储装置包括存储阵列以及检测电路,检测电路被配置为可检测第n对输入线的第一输入线和第二输入线之间的电压差,以用于输出存储数据,以及被配置为可检测第n对输入线的第二输入线以及第n+1对输入线的第一输入线之间的电压差,以用于输出校验数据,进而基于多个校验数据对多个存储数据进行校验。该存储装置以及数据校验方法可以在不增加冗余存储,以及不增大存储装置面积的情况下,实现对存储装置中所有存储单元读出的存储数据进行有效侦测和校验。有效侦测和校验。有效侦测和校验。

【技术实现步骤摘要】
存储装置、数据校验方法以及装置、存储介质


[0001]本公开的实施例涉及一种存储装置、数据校验方法以及装置、存储介质。

技术介绍

[0002]静态随机存取存储器(Static Random

Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。“静态”是指这种存储器只要保持通电,存储的数据就可以恒常保持。通常静态随机存储器用来存储关键数据,减少延时,提高芯片的性能。例如,静态随机存储器可以作为CPU(central processing unit,中央处理器)或GPU(graphics processing unit,图形处理器)中的高速缓存(Cache)、数据通路上的数据缓存(Data Buffer)以及先进先出队列(First Input First Output,简称FIFO)等。静态随机存储器具有延时小,速度快的特点,而且不需要刷新,因此有利于提升芯片的性能和减少访问数据的功耗。

技术实现思路

[0003]本公开至少一实施例提供一种存储装置,包括存储阵列以及检测电路,其中,所述存储阵列包括G对输出端口;其中,每对输出端口包括第一输出端口和第二输出端口;以及排列为多行多列的多个存储单元,其中,每行存储单元划分为G组,所述G组存储单元与所述G对输出端口一一对应;每行存储单元具有相同的字线,每列存储单元具有相同的一对位线,所述一对位线包括第一位线和第二位线;每个存储单元包括第一读出端口和第二读出端口,并且,每个存储单元的第一读出端口和第二读出端口,通过对应的一对位线的第一位线和第二位线,与对应的一对输出端口的第一输出端口和第二输出端口分别耦接;以及所述检测电路包括G对输入线,其中,所述G对输入线与所述G对输出端口一一对应,每对输入线包括第一输入线以及第二输入线,且每对输入线的第一输入线以及第二输入线与对应的一对输出端口的第一输出端口和第二输出端口分别电连接;其中,所述检测电路被配置为可检测第n对输入线的第一输入线和第二输入线之间的电压差,以用于输出存储数据,以及被配置为可检测第n对输入线的第二输入线以及第n+1对输入线的第一输入线之间的电压差,以用于输出校验数据,其中,G、n为正整数,且n小于G。
[0004]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述检测电路包括多个第一子检测电路和多个第二子检测电路,所述多个第一子检测电路与所述G对输入线一一对应;第n个第一子检测电路与第n对位线电连接,且被配置为检测所述第n对位线的第一位线和第二位线之间的电压差,以用于输出所述存储数据;第n个第二子检测电路与所述第n对位线的第二位线以及第n+1对位线的第一位线电连接,且被配置为检测所述第n对位线的第二位线以及第n+1对位线的第一位线之间的电压差,以用于输出所述校验数据。
[0005]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述第一子检测电路包括第一灵敏放大器,所述第二子检测电路包括第二灵敏放大器。
[0006]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述第二灵敏放大器的对于电压差检测的灵敏度大于所述第一灵敏放大器的对于电压差检测的灵敏度。
[0007]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述存储阵列包括开关切换电路,所述开关切换电路与所述存储阵列的多对位线电连接,每组存储单元包括位于H列中的H个存储单元,H为大于等于2的整数,所述开关切换电路被配置为,根据选择信号,在每组存储单元中选择一个存储单元通过对应的一对位线与对应的一对输出端口对应电连接。
[0008]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述开关切换电路包括G个开关切换电路单元,所述G个开关切换电路单元与所述G组存储单元一一对应,以及与所述G对输出端口一一对应,每个开关切换电路单元包括H选一子开关电路,用于根据所述选择信号执行H选一的操作。
[0009]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述第一子检测电路包括第一灵敏放大器,所述第二子检测电路包括第二灵敏放大器。
[0010]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述第二灵敏放大器的对于电压差检测的灵敏度大于所述第一灵敏放大器的对于电压差检测的灵敏度。
[0011]例如,在本公开一些实施例提供的存储装置中,所述存储单元包括用于存储数据的锁存器,所述锁存器具有彼此反相的第一节点和第二节点,所述第一节点与所述第一读出端口耦接,所述第二节点与所述第二读出端口耦接。
[0012]例如,本公开一些实施例提供的存储装置还可以包括输出电路,所述输出电路与所述检测电路连接,用于输出所述存储数据和所述校验数据。
[0013]本公开至少一实施例还提供一种数据校验方法,应用于如上述任一项所述的存储装置,所述数据校验的方法包括:通过所述检测电路获取一行存储单元中存储的多个存储数据;通过所述检测电路获取所述一行存储单元中存储的多个存储数据对应的多个校验数据;基于所述多个校验数据对所述多个存储数据进行校验。
[0014]例如,在本公开一些实施例提供的数据校验方法中,所述基于所述多个校验数据对所述多个存储数据进行校验,包括:对于所述相邻两对输出端口输出的两个存储数据相同的情况,响应于所述相邻两对输出端口对应的校验数据为指示所述两个存储数据彼此相同的第一值,确定所述两个存储数据无错误;或者所述相邻两对输出端口对应的校验数据为指示所述两个存储数据彼此不同的第二值,确定所述两个存储数据之一有错误。
[0015]例如,在本公开一些实施例提供的数据校验方法中,所述基于所述多个校验数据对所述多个存储数据进行校验,包括:对于所述相邻两对输出端口输出的两个存储数据不同的情况,响应于所述相邻两对输出端口对应的校验数据为指示所述两个存储数据彼此相同的第一值,确定所述两个存储数据之一有错误;或者所述相邻两对输出端口对应的校验数据为指示所述两个存储数据彼此不同的第二值,确定所述两个存储数据无错误。
[0016]例如,本公开一些实施例提供的数据校验方法还可以包括:在所述存储装置中执行所述数据校验的方法,或者,通过所述输出电路输出所述多个第一子检测电路检测的多个存储数据和所述多个第二子检测电路检测的多个校验数据,在所述存储装置外执行所述数据校验的方法。
[0017]本公开至少一实施例还提供一种数据校验装置,应用于如上述任一项所述的存储装置,所述数据校验装置包括:
[0018]获取模块,被配置为通过所述检测电路获取一行存储单元中存储的多个存储数据,以及通过所述检测电路获取所述一行存储单元中存储的多个存储数据对应的多个校验
数据;
[0019]校验模块,被配置为基于所述多个校验数据对所述多个存储数据进行校验。
[0020]例如,在本公开一些实施例提供的数据校验装置中,所述基于所述多个校验数据对所述多个存储数据进行校验,包括:对于所述相邻两对输出端口输出的两个存储数据相同的情况,响应于所述相邻两对输出端口对应的校验数据为指示所述两个存储数据彼此相同的第一值,确定所述两个存储数据无错误;或者所述相邻两对本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置,包括存储阵列以及检测电路,其中,所述存储阵列包括:G对输出端口,其中,每对输出端口包括第一输出端口和第二输出端口;以及排列为多行多列的多个存储单元,其中,每行存储单元划分为G组,所述G组存储单元与所述G对输出端口一一对应;每行存储单元具有相同的字线,每列存储单元具有相同的一对位线,所述一对位线包括第一位线和第二位线;每个存储单元包括第一读出端口和第二读出端口,并且,每个存储单元的第一读出端口和第二读出端口,通过对应的一对位线的第一位线和第二位线,与对应的一对输出端口的第一输出端口和第二输出端口分别耦接;以及所述检测电路包括:G对输入线,其中,所述G对输入线与所述G对输出端口一一对应,每对输入线包括第一输入线以及第二输入线,且每对输入线的第一输入线以及第二输入线与对应的一对输出端口的第一输出端口和第二输出端口分别电连接;其中,所述检测电路被配置为可检测第n对输入线的第一输入线和第二输入线之间的电压差,以用于输出存储数据,以及被配置为可检测第n对输入线的第二输入线以及第n+1对输入线的第一输入线之间的电压差,以用于输出校验数据,其中,G、n为正整数,且n小于G。2.根据权利要求1所述的存储装置,所述检测电路包括多个第一子检测电路和多个第二子检测电路,所述多个第一子检测电路与所述G对输入线一一对应;第n个第一子检测电路与第n对位线电连接,且被配置为检测所述第n对位线的第一位线和第二位线之间的电压差,以用于输出所述存储数据;第n个第二子检测电路与所述第n对位线的第二位线以及第n+1对位线的第一位线电连接,且被配置为检测所述第n对位线的第二位线以及第n+1对位线的第一位线之间的电压差,以用于输出所述校验数据。3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述第一子检测电路包括第一灵敏放大器,所述第二子检测电路包括第二灵敏放大器。4.根据权利要求3所述的存储装置,其中,所述第二灵敏放大器的对于电压差检测的灵敏度大于所述第一灵敏放大器的对于电压差检测的灵敏度。5.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储阵列包括开关切换电路,所述开关切换电路与所述存储阵列的多对位线电连接,每组存储单元包括位于H列中的H个存储单元,H为大于等于2的整数,所述开关切换电路被配置为,根据选择信号,在每组存储单元中选择一个存储单元通过对应的一对位线与对应的一对输出端口对应电连接。6.根据权利要求5所述的存储装置,其中,所述开关切换电路包括G个开关切换电路单元,所述G个开关切换电路单元与所述G组存储单元一一对应,以及与所述G对输出端口一一对应,每个开关切换电路单元包括H选一子开关电路,用于根据所述选择信号执行H选一的操
作。7.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储单元包括用于存储数据的锁存器,所述锁存器具有彼此反相的第一节点和第二节点,所述第一节点与所述第一读出端口耦接,所述第二节点与所述第二读出端口耦接。8.根据权利要求1所述的存储装置,还包括输出电路,其中,所述输出电路与所述检测电路连接,用于输出所述存储数据和所述校验数据。9.一种数据校验方法,应用于如权利要求1~8任一项所述的存储装置,所述数据校验的方法包括:通过所述检测电路获取一行存储单元中存储的多个存储数据;通过所述检测电路获取所述一行存储单元中存储的多个存储数据对应的多个校验数据;基于所述多个校验数据对所述多个存储数据...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄瑞锋杨昌楷
申请(专利权)人:海光信息技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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